AMD RX570 8 GB
Pièce de monnaie
Mem.
vendor
vendor
Taux de hachage
Wt (socket)
Core
Mem.
Core
voltage
voltage
Mem.
voltage
voltage
VDDCI
voltage
voltage
Bénéfice net
Pièce de monnaie:
ProgPowZ
Mem. vendor:
Taux de hachage: 13 MH/s
Wt (socket)
Core:
Mem.:
Core voltage:
Mem. voltage:
VDDCI voltage:
Bénéfice net
0.221$
Pièce de monnaie:
Kawpow
Mem. vendor: SK Hynix H5GC8H24AJR
Taux de hachage: 14.76 MH/s
Wt (socket) 200
Core: 1200
Mem.: 2150
Core voltage: 904
Mem. voltage:
VDDCI voltage: 800
Bénéfice net
0.169$
Pièce de monnaie:
Kawpow
Mem. vendor: Samsung K4G80325FC
Taux de hachage: 14.53 MH/s
Wt (socket) 176
Core: 1200
Mem.: 2100
Core voltage: 876
Mem. voltage:
VDDCI voltage: 800
Bénéfice net
0.167$
Pièce de monnaie:
Kawpow
Mem. vendor: Micron MT51J256M32
Taux de hachage: 14.45 MH/s
Wt (socket) 180
Core: 1180
Mem.: 2100
Core voltage: 837
Mem. voltage:
VDDCI voltage: 800
Bénéfice net
0.166$
Pièce de monnaie:
Kawpow
Mem. vendor: SK Hynix H5GC4H24AJR
Taux de hachage: 14.23 MH/s
Wt (socket) 196
Core: 1156
Mem.: 2050
Core voltage: 844
Mem. voltage:
VDDCI voltage: 800
Bénéfice net
0.163$
Pièce de monnaie:
Kawpow
Mem. vendor: Micron MT51J256M3
Taux de hachage: 14 MH/s
Wt (socket) 186
Core: 1150
Mem.: 2013
Core voltage: 812
Mem. voltage:
VDDCI voltage: 800
Bénéfice net
0.161$
Pièce de monnaie:
Kawpow
Mem. vendor: Samsung K4G80325FB
Taux de hachage: 13.89 MH/s
Wt (socket) 155
Core: 1135
Mem.: 2025
Core voltage: 844
Mem. voltage:
VDDCI voltage: 800
Bénéfice net
0.159$
Pièce de monnaie:
Kawpow
Mem. vendor: SK Hynix H5GQ8H24MJR
Taux de hachage: 13.34 MH/s
Wt (socket) 125
Core: 1076
Mem.: 1925
Core voltage: 794
Mem. voltage:
VDDCI voltage: 800
Bénéfice net
0.153$
Pièce de monnaie:
Kawpow
Mem. vendor: SK Hynix H5GC8H24AJR
Taux de hachage: 14.76 MH/s
Wt (socket) 200
Core: 1200
Mem.: 2150
Core voltage: 904
Mem. voltage:
VDDCI voltage: 800
Bénéfice net
0.15$
Pièce de monnaie:
Kawpow
Mem. vendor: Samsung K4G41325FE
Taux de hachage: 12.99 MH/s
Wt (socket) 97
Core: 1050
Mem.: 1950
Core voltage: 775
Mem. voltage:
VDDCI voltage: 750
Bénéfice net
0.149$
Pièce de monnaie:
Kawpow
Mem. vendor: Samsung K4G80325FC
Taux de hachage: 14.53 MH/s
Wt (socket) 176
Core: 1200
Mem.: 2100
Core voltage: 876
Mem. voltage:
VDDCI voltage: 800
Bénéfice net
0.148$
Pièce de monnaie:
Kawpow
Mem. vendor: Micron MT51J256M32
Taux de hachage: 14.45 MH/s
Wt (socket) 180
Core: 1180
Mem.: 2100
Core voltage: 837
Mem. voltage:
VDDCI voltage: 800
Bénéfice net
0.147$
Pièce de monnaie:
Kawpow
Mem. vendor: SK Hynix H5GC4H24AJR
Taux de hachage: 14.23 MH/s
Wt (socket) 196
Core: 1156
Mem.: 2050
Core voltage: 844
Mem. voltage:
VDDCI voltage: 800
Bénéfice net
0.145$
Pièce de monnaie:
Kawpow
Mem. vendor: SK Hynix H5GC8H24AJR
Taux de hachage: 14.76 MH/s
Wt (socket) 200
Core: 1200
Mem.: 2150
Core voltage: 904
Mem. voltage:
VDDCI voltage: 800
Bénéfice net
0.143$
Pièce de monnaie:
Kawpow
Mem. vendor: Micron MT51J256M3
Taux de hachage: 14 MH/s
Wt (socket) 186
Core: 1150
Mem.: 2013
Core voltage: 812
Mem. voltage:
VDDCI voltage: 800
Bénéfice net
0.143$
Pièce de monnaie:
Kawpow
Mem. vendor: Samsung K4G80325FB
Taux de hachage: 13.89 MH/s
Wt (socket) 155
Core: 1135
Mem.: 2025
Core voltage: 844
Mem. voltage:
VDDCI voltage: 800
Bénéfice net
0.142$
Pièce de monnaie:
Kawpow
Mem. vendor: Samsung K4G80325FC
Taux de hachage: 14.53 MH/s
Wt (socket) 176
Core: 1200
Mem.: 2100
Core voltage: 876
Mem. voltage:
VDDCI voltage: 800
Bénéfice net
0.141$
Pièce de monnaie:
Kawpow
Mem. vendor: Micron MT51J256M32
Taux de hachage: 14.45 MH/s
Wt (socket) 180
Core: 1180
Mem.: 2100
Core voltage: 837
Mem. voltage:
VDDCI voltage: 800
Bénéfice net
0.14$
Pièce de monnaie:
FiroPow
Mem. vendor: SK Hynix H5GC8H24AJR
Taux de hachage: 14.76 MH/s
Wt (socket) 196
Core: 1200
Mem.: 2150
Core voltage: 904
Mem. voltage:
VDDCI voltage: 800
Bénéfice net
0.14$
Pièce de monnaie:
Kawpow
Mem. vendor: SK Hynix H5GC4H24AJR
Taux de hachage: 14.23 MH/s
Wt (socket) 196
Core: 1156
Mem.: 2050
Core voltage: 844
Mem. voltage:
VDDCI voltage: 800
Bénéfice net
0.138$
Pièce de monnaie:
Kawpow
Mem. vendor:
Taux de hachage: 13 MH/s
Wt (socket)
Core:
Mem.:
Core voltage:
Mem. voltage:
VDDCI voltage:
Bénéfice net
0.137$
Pièce de monnaie:
FiroPow
Mem. vendor: Samsung K4G80325FC
Taux de hachage: 14.53 MH/s
Wt (socket) 172
Core: 1200
Mem.: 2100
Core voltage: 876
Mem. voltage:
VDDCI voltage: 800
Bénéfice net
0.137$
Pièce de monnaie:
FiroPow
Mem. vendor: Micron MT51J256M32
Taux de hachage: 14.45 MH/s
Wt (socket) 176
Core: 1180
Mem.: 2100
Core voltage: 837
Mem. voltage:
VDDCI voltage: 800
Bénéfice net
0.137$
Pièce de monnaie:
Kawpow
Mem. vendor: Micron MT51J256M3
Taux de hachage: 14 MH/s
Wt (socket) 186
Core: 1150
Mem.: 2013
Core voltage: 812
Mem. voltage:
VDDCI voltage: 800
Bénéfice net
0.136$
Pièce de monnaie:
Kawpow
Mem. vendor: SK Hynix H5GQ8H24MJR
Taux de hachage: 13.34 MH/s
Wt (socket) 125
Core: 1076
Mem.: 1925
Core voltage: 794
Mem. voltage:
VDDCI voltage: 800
Bénéfice net
0.136$
Pièce de monnaie:
Kawpow
Mem. vendor: Samsung K4G80325FB
Taux de hachage: 13.89 MH/s
Wt (socket) 155
Core: 1135
Mem.: 2025
Core voltage: 844
Mem. voltage:
VDDCI voltage: 800
Bénéfice net
0.135$
Pièce de monnaie:
FiroPow
Mem. vendor: SK Hynix H5GC4H24AJR
Taux de hachage: 14.23 MH/s
Wt (socket) 192
Core: 1156
Mem.: 2050
Core voltage: 844
Mem. voltage:
VDDCI voltage: 800
Bénéfice net
0.135$
Pièce de monnaie:
FiroPow
Mem. vendor: Micron MT51J256M3
Taux de hachage: 14 MH/s
Wt (socket) 182
Core: 1150
Mem.: 2013
Core voltage: 812
Mem. voltage:
VDDCI voltage: 800
Bénéfice net
0.132$
Pièce de monnaie:
Kawpow
Mem. vendor: Samsung K4G41325FE
Taux de hachage: 12.99 MH/s
Wt (socket) 97
Core: 1050
Mem.: 1950
Core voltage: 775
Mem. voltage:
VDDCI voltage: 750
Bénéfice net
0.132$
Pièce de monnaie:
FiroPow
Mem. vendor: Samsung K4G80325FB
Taux de hachage: 13.89 MH/s
Wt (socket) 151
Core: 1135
Mem.: 2025
Core voltage: 844
Mem. voltage:
VDDCI voltage: 800
Bénéfice net
0.131$
Pièce de monnaie:
Kawpow
Mem. vendor: SK Hynix H5GQ8H24MJR
Taux de hachage: 13.34 MH/s
Wt (socket) 125
Core: 1076
Mem.: 1925
Core voltage: 794
Mem. voltage:
VDDCI voltage: 800
Bénéfice net
0.13$
Pièce de monnaie:
Kawpow
Mem. vendor: Samsung K4G41325FE
Taux de hachage: 12.99 MH/s
Wt (socket) 97
Core: 1050
Mem.: 1950
Core voltage: 775
Mem. voltage:
VDDCI voltage: 750
Bénéfice net
0.126$
Pièce de monnaie:
FiroPow
Mem. vendor: SK Hynix H5GQ8H24MJR
Taux de hachage: 13.34 MH/s
Wt (socket) 121
Core: 1076
Mem.: 1925
Core voltage: 794
Mem. voltage:
VDDCI voltage: 800
Bénéfice net
0.126$
Pièce de monnaie:
Verthash
Mem. vendor:
Taux de hachage: 535 kH/s
Wt (socket)
Core:
Mem.:
Core voltage:
Mem. voltage:
VDDCI voltage:
Bénéfice net
0.123$
Pièce de monnaie:
FiroPow
Mem. vendor: Samsung K4G41325FE
Taux de hachage: 12.99 MH/s
Wt (socket) 94
Core: 1050
Mem.: 1950
Core voltage: 775
Mem. voltage:
VDDCI voltage: 750
Bénéfice net
0.123$
Pièce de monnaie:
Autolykos
Mem. vendor: SK Hynix H5GC8H24AJR
Taux de hachage: 59.33 MH/s
Wt (socket) 117
Core: 1200
Mem.: 1963
Core voltage: 896
Mem. voltage:
VDDCI voltage: 800
Bénéfice net
0.111$
Pièce de monnaie:
Autolykos
Mem. vendor: Samsung K4G80325FC
Taux de hachage: 58.39 MH/s
Wt (socket) 103
Core: 1200
Mem.: 1920
Core voltage: 869
Mem. voltage:
VDDCI voltage: 800
Bénéfice net
0.109$
Pièce de monnaie:
Autolykos
Mem. vendor: Micron MT51J256M32
Taux de hachage: 58.1 MH/s
Wt (socket) 105
Core: 1180
Mem.: 1925
Core voltage: 830
Mem. voltage:
VDDCI voltage: 800
Bénéfice net
0.109$
Pièce de monnaie:
Autolykos
Mem. vendor: SK Hynix H5GC4H24AJR
Taux de hachage: 57.2 MH/s
Wt (socket) 115
Core: 1156
Mem.: 1875
Core voltage: 837
Mem. voltage:
VDDCI voltage: 800
Bénéfice net
0.107$
Pièce de monnaie:
Autolykos
Mem. vendor: Micron MT51J256M3
Taux de hachage: 56.26 MH/s
Wt (socket) 109
Core: 1150
Mem.: 1850
Core voltage: 806
Mem. voltage:
VDDCI voltage: 800
Bénéfice net
0.105$
Pièce de monnaie:
Autolykos
Mem. vendor: Samsung K4G80325FB
Taux de hachage: 55.82 MH/s
Wt (socket) 91
Core: 1135
Mem.: 1852
Core voltage: 837
Mem. voltage:
VDDCI voltage: 800
Bénéfice net
0.105$
Pièce de monnaie:
Autolykos
Mem. vendor: SK Hynix H5GQ8H24MJR
Taux de hachage: 53.61 MH/s
Wt (socket) 73
Core: 1076
Mem.: 1762
Core voltage: 788
Mem. voltage:
VDDCI voltage: 800
Bénéfice net
0.10$
Pièce de monnaie:
Autolykos
Mem. vendor: Samsung K4G41325FE
Taux de hachage: 52.23 MH/s
Wt (socket) 57
Core: 1050
Mem.: 1788
Core voltage: 768
Mem. voltage:
VDDCI voltage: 750
Bénéfice net
0.098$
Pièce de monnaie:
Autolykos
Mem. vendor: SK Hynix H5GC8H24AJR
Taux de hachage: 59.33 MH/s
Wt (socket) 117
Core: 1200
Mem.: 1963
Core voltage: 896
Mem. voltage:
VDDCI voltage: 800
Bénéfice net
0.092$
Pièce de monnaie:
Autolykos
Mem. vendor: Samsung K4G80325FC
Taux de hachage: 58.39 MH/s
Wt (socket) 103
Core: 1200
Mem.: 1920
Core voltage: 869
Mem. voltage:
VDDCI voltage: 800
Bénéfice net
0.091$
Pièce de monnaie:
Autolykos
Mem. vendor: Micron MT51J256M32
Taux de hachage: 58.1 MH/s
Wt (socket) 105
Core: 1180
Mem.: 1925
Core voltage: 830
Mem. voltage:
VDDCI voltage: 800
Bénéfice net
0.09$
Pièce de monnaie:
Autolykos
Mem. vendor: SK Hynix H5GC4H24AJR
Taux de hachage: 57.2 MH/s
Wt (socket) 115
Core: 1156
Mem.: 1875
Core voltage: 837
Mem. voltage:
VDDCI voltage: 800
Bénéfice net
0.089$
Pièce de monnaie:
Autolykos
Mem. vendor: Micron MT51J256M3
Taux de hachage: 56.26 MH/s
Wt (socket) 109
Core: 1150
Mem.: 1850
Core voltage: 806
Mem. voltage:
VDDCI voltage: 800
Bénéfice net
0.087$
Pièce de monnaie:
Autolykos
Mem. vendor: Samsung K4G80325FB
Taux de hachage: 55.82 MH/s
Wt (socket) 91
Core: 1135
Mem.: 1852
Core voltage: 837
Mem. voltage:
VDDCI voltage: 800
Bénéfice net
0.087$
Pièce de monnaie:
Autolykos
Mem. vendor: SK Hynix H5GQ8H24MJR
Taux de hachage: 53.61 MH/s
Wt (socket) 73
Core: 1076
Mem.: 1762
Core voltage: 788
Mem. voltage:
VDDCI voltage: 800
Bénéfice net
0.083$
Pièce de monnaie:
Autolykos
Mem. vendor: Samsung K4G41325FE
Taux de hachage: 52.23 MH/s
Wt (socket) 57
Core: 1050
Mem.: 1788
Core voltage: 768
Mem. voltage:
VDDCI voltage: 750
Bénéfice net
0.081$
Pièce de monnaie:
Ethash
Mem. vendor: SK Hynix H5GC8H24AJR
Taux de hachage: 32.57 MH/s
Wt (socket) 151
Core: 1200
Mem.: 2175
Core voltage: 910
Mem. voltage:
VDDCI voltage: 800
Bénéfice net
0.042$
Pièce de monnaie:
Etchash
Mem. vendor: SK Hynix H5GC8H24AJR
Taux de hachage: 32.57 MH/s
Wt (socket) 151
Core: 1200
Mem.: 2175
Core voltage: 910
Mem. voltage:
VDDCI voltage: 800
Bénéfice net
0.042$
Pièce de monnaie:
Ethash
Mem. vendor: SK Hynix H5GC8H24AJR
Taux de hachage: 32.57 MH/s
Wt (socket) 151
Core: 1200
Mem.: 2175
Core voltage: 910
Mem. voltage:
VDDCI voltage: 800
Bénéfice net
0.042$
Pièce de monnaie:
Ethash
Mem. vendor: Samsung K4G80325FC
Taux de hachage: 32.05 MH/s
Wt (socket) 133
Core: 1200
Mem.: 2125
Core voltage: 882
Mem. voltage:
VDDCI voltage: 800
Bénéfice net
0.042$
Pièce de monnaie:
Ethash
Mem. vendor: Micron MT51J256M32
Taux de hachage: 31.89 MH/s
Wt (socket) 136
Core: 1180
Mem.: 2125
Core voltage: 843
Mem. voltage: -
VDDCI voltage: 800
Bénéfice net
0.041$
Pièce de monnaie:
Etchash
Mem. vendor: Samsung K4G80325FC
Taux de hachage: 32.05 MH/s
Wt (socket) 133
Core: 1200
Mem.: 2125
Core voltage: 882
Mem. voltage:
VDDCI voltage: 800
Bénéfice net
0.041$
Pièce de monnaie:
Ethash
Mem. vendor: Samsung K4G80325FC
Taux de hachage: 32.05 MH/s
Wt (socket) 133
Core: 1200
Mem.: 2125
Core voltage: 882
Mem. voltage:
VDDCI voltage: 800
Bénéfice net
0.041$
Pièce de monnaie:
Etchash
Mem. vendor: Micron MT51J256M32
Taux de hachage: 31.89 MH/s
Wt (socket) 136
Core: 1180
Mem.: 2125
Core voltage: 843
Mem. voltage: -
VDDCI voltage: 800
Bénéfice net
0.041$
Pièce de monnaie:
Ethash
Mem. vendor: SK Hynix H5GC4H24AJR
Taux de hachage: 31.4 MH/s
Wt (socket) 148
Core: 1156
Mem.: 2075
Core voltage: 850
Mem. voltage: -
VDDCI voltage: 800
Bénéfice net
0.041$
Pièce de monnaie:
Ethash
Mem. vendor: Micron MT51J256M32
Taux de hachage: 31.89 MH/s
Wt (socket) 136
Core: 1180
Mem.: 2125
Core voltage: 843
Mem. voltage: -
VDDCI voltage: 800
Bénéfice net
0.041$
Pièce de monnaie:
Etchash
Mem. vendor: SK Hynix H5GC4H24AJR
Taux de hachage: 31.4 MH/s
Wt (socket) 148
Core: 1156
Mem.: 2075
Core voltage: 850
Mem. voltage: -
VDDCI voltage: 800
Bénéfice net
0.04$
Pièce de monnaie:
Ethash
Mem. vendor: SK Hynix H5GC4H24AJR
Taux de hachage: 31.4 MH/s
Wt (socket) 148
Core: 1156
Mem.: 2075
Core voltage: 850
Mem. voltage: -
VDDCI voltage: 800
Bénéfice net
0.04$
Pièce de monnaie:
Ethash
Mem. vendor: Micron MT51J256M3
Taux de hachage: 30.88 MH/s
Wt (socket) 140
Core: 1150
Mem.: 2038
Core voltage: 818
Mem. voltage: -
VDDCI voltage: 800
Bénéfice net
0.04$
Pièce de monnaie:
Ethash
Mem. vendor: Samsung K4G80325FB
Taux de hachage: 30.64 MH/s
Wt (socket) 117
Core: 1135
Mem.: 2050
Core voltage: 850
Mem. voltage: -
VDDCI voltage: 800
Bénéfice net
0.04$
Pièce de monnaie:
Etchash
Mem. vendor: Micron MT51J256M3
Taux de hachage: 30.88 MH/s
Wt (socket) 140
Core: 1150
Mem.: 2038
Core voltage: 818
Mem. voltage: -
VDDCI voltage: 800
Bénéfice net
0.04$
Pièce de monnaie:
Ethash
Mem. vendor: Micron MT51J256M3
Taux de hachage: 30.88 MH/s
Wt (socket) 140
Core: 1150
Mem.: 2038
Core voltage: 818
Mem. voltage: -
VDDCI voltage: 800
Bénéfice net
0.04$
Pièce de monnaie:
Etchash
Mem. vendor: Samsung K4G80325FB
Taux de hachage: 30.64 MH/s
Wt (socket) 117
Core: 1135
Mem.: 2050
Core voltage: 850
Mem. voltage: -
VDDCI voltage: 800
Bénéfice net
0.039$
Pièce de monnaie:
Ethash
Mem. vendor: Samsung K4G80325FB
Taux de hachage: 30.64 MH/s
Wt (socket) 117
Core: 1135
Mem.: 2050
Core voltage: 850
Mem. voltage: -
VDDCI voltage: 800
Bénéfice net
0.039$
Pièce de monnaie:
Etchash
Heavyhash
Mem. vendor: SK Hynix H5GC8H24AJR
Taux de hachage: 30.3 MH/s 88.13 MH/s
Wt (socket) 211
Core: 1250
Mem.: 2150
Core voltage: 957
Mem. voltage:
VDDCI voltage: 800
Bénéfice net
0.039$
Pièce de monnaie:
Ethash
Heavyhash
Mem. vendor: SK Hynix H5GC8H24AJR
Taux de hachage: 30.3 MH/s 88.13 MH/s
Wt (socket) 211
Core: 1250
Mem.: 2150
Core voltage: 957
Mem. voltage:
VDDCI voltage: 800
Bénéfice net
0.039$
Pièce de monnaie:
Etchash
Heavyhash
Mem. vendor: Samsung K4G80325FC
Taux de hachage: 29.82 MH/s 88.13 MH/s
Wt (socket) 186
Core: 1250
Mem.: 2100
Core voltage: 927
Mem. voltage:
VDDCI voltage: 800
Bénéfice net
0.038$
Pièce de monnaie:
Ethash
Mem. vendor: SK Hynix H5GQ8H24MJR
Taux de hachage: 29.43 MH/s
Wt (socket) 94
Core: 1076
Mem.: 1950
Core voltage: 800
Mem. voltage: -
VDDCI voltage: 800
Bénéfice net
0.038$
Pièce de monnaie:
Ethash
Heavyhash
Mem. vendor: Samsung K4G80325FC
Taux de hachage: 29.82 MH/s 88.13 MH/s
Wt (socket) 186
Core: 1250
Mem.: 2100
Core voltage: 927
Mem. voltage:
VDDCI voltage: 800
Bénéfice net
0.038$
Pièce de monnaie:
Etchash
Heavyhash
Mem. vendor: Micron MT51J256M32
Taux de hachage: 29.67 MH/s 88.13 MH/s
Wt (socket) 190
Core: 1229
Mem.: 2100
Core voltage: 886
Mem. voltage:
VDDCI voltage: 800
Bénéfice net
0.038$
Pièce de monnaie:
Ethash
Heavyhash
Mem. vendor: Micron MT51J256M32
Taux de hachage: 29.67 MH/s 88.13 MH/s
Wt (socket) 190
Core: 1229
Mem.: 2100
Core voltage: 886
Mem. voltage:
VDDCI voltage: 800
Bénéfice net
0.038$
Pièce de monnaie:
Etchash
Mem. vendor: SK Hynix H5GQ8H24MJR
Taux de hachage: 29.43 MH/s
Wt (socket) 94
Core: 1076
Mem.: 1950
Core voltage: 800
Mem. voltage: -
VDDCI voltage: 800
Bénéfice net
0.038$
Pièce de monnaie:
Ethash
Mem. vendor: SK Hynix H5GQ8H24MJR
Taux de hachage: 29.43 MH/s
Wt (socket) 94
Core: 1076
Mem.: 1950
Core voltage: 800
Mem. voltage: -
VDDCI voltage: 800
Bénéfice net
0.038$
Pièce de monnaie:
Etchash
Heavyhash
Mem. vendor: SK Hynix H5GC4H24AJR
Taux de hachage: 29.21 MH/s 88.13 MH/s
Wt (socket) 207
Core: 1204
Mem.: 2050
Core voltage: 894
Mem. voltage:
VDDCI voltage: 800
Bénéfice net
0.038$
Pièce de monnaie:
Ethash
Heavyhash
Mem. vendor: SK Hynix H5GC4H24AJR
Taux de hachage: 29.21 MH/s 88.13 MH/s
Wt (socket) 207
Core: 1204
Mem.: 2050
Core voltage: 894
Mem. voltage:
VDDCI voltage: 800
Bénéfice net
0.037$
Pièce de monnaie:
Ethash
Mem. vendor: Samsung K4G41325FE
Taux de hachage: 28.67 MH/s
Wt (socket) 73
Core: 1050
Mem.: 1975
Core voltage: 780
Mem. voltage: -
VDDCI voltage: 750
Bénéfice net
0.037$
Pièce de monnaie:
Etchash
Heavyhash
Mem. vendor: Micron MT51J256M3
Taux de hachage: 28.73 MH/s 88.13 MH/s
Wt (socket) 196
Core: 1198
Mem.: 2013
Core voltage: 860
Mem. voltage:
VDDCI voltage: 800
Bénéfice net
0.037$
Pièce de monnaie:
Ethash
Heavyhash
Mem. vendor: Micron MT51J256M3
Taux de hachage: 28.73 MH/s 88.13 MH/s
Wt (socket) 196
Core: 1198
Mem.: 2013
Core voltage: 860
Mem. voltage:
VDDCI voltage: 800
Bénéfice net
0.037$
Pièce de monnaie:
Etchash
Mem. vendor: Samsung K4G41325FE
Taux de hachage: 28.67 MH/s
Wt (socket) 73
Core: 1050
Mem.: 1975
Core voltage: 780
Mem. voltage: -
VDDCI voltage: 750
Bénéfice net
0.037$
Pièce de monnaie:
Ethash
Mem. vendor: Samsung K4G41325FE
Taux de hachage: 28.67 MH/s
Wt (socket) 73
Core: 1050
Mem.: 1975
Core voltage: 780
Mem. voltage: -
VDDCI voltage: 750
Bénéfice net
0.037$
Pièce de monnaie:
Etchash
Heavyhash
Mem. vendor: Samsung K4G80325FB
Taux de hachage: 28.51 MH/s 88.13 MH/s
Wt (socket) 164
Core: 1182
Mem.: 2025
Core voltage: 894
Mem. voltage:
VDDCI voltage: 800
Bénéfice net
0.037$
Pièce de monnaie:
Ethash
Heavyhash
Mem. vendor: Samsung K4G80325FB
Taux de hachage: 28.51 MH/s 88.13 MH/s
Wt (socket) 164
Core: 1182
Mem.: 2025
Core voltage: 894
Mem. voltage:
VDDCI voltage: 800
Bénéfice net
0.037$
Pièce de monnaie:
Etchash
Heavyhash
Mem. vendor: SK Hynix H5GQ8H24MJR
Taux de hachage: 27.38 MH/s 88.13 MH/s
Wt (socket) 132
Core: 1120
Mem.: 1925
Core voltage: 841
Mem. voltage:
VDDCI voltage: 800
Bénéfice net
0.035$
Pièce de monnaie:
Ethash
Heavyhash
Mem. vendor: SK Hynix H5GQ8H24MJR
Taux de hachage: 27.38 MH/s 88.13 MH/s
Wt (socket) 132
Core: 1120
Mem.: 1925
Core voltage: 841
Mem. voltage:
VDDCI voltage: 800
Bénéfice net
0.035$
Pièce de monnaie:
Etchash
Heavyhash
Mem. vendor: Samsung K4G41325FE
Taux de hachage: 26.67 MH/s 88.13 MH/s
Wt (socket) 102
Core: 1093
Mem.: 1950
Core voltage: 820
Mem. voltage:
VDDCI voltage: 750
Bénéfice net
0.034$
Pièce de monnaie:
Ethash
Heavyhash
Mem. vendor: Samsung K4G41325FE
Taux de hachage: 26.67 MH/s 88.13 MH/s
Wt (socket) 102
Core: 1093
Mem.: 1950
Core voltage: 820
Mem. voltage:
VDDCI voltage: 750
Bénéfice net
0.034$
Pièce de monnaie:
NexaPow
Mem. vendor: Micron MT51J256M3
Taux de hachage: 14.6 MH/s
Wt (socket)
Core:
Mem.:
Core voltage:
Mem. voltage:
VDDCI voltage:
Bénéfice net
0.032$
Pièce de monnaie:
NexaPow
Mem. vendor: Micron MT51J256M32
Taux de hachage: 14.6 MH/s
Wt (socket)
Core:
Mem.:
Core voltage:
Mem. voltage:
VDDCI voltage:
Bénéfice net
0.032$
Pièce de monnaie:
NexaPow
Mem. vendor: Samsung K4G80325FB
Taux de hachage: 14.6 MH/s
Wt (socket)
Core:
Mem.:
Core voltage:
Mem. voltage:
VDDCI voltage:
Bénéfice net
0.032$
Pièce de monnaie:
NexaPow
Mem. vendor: SK Hynix H5GC4H24AJR
Taux de hachage: 14.6 MH/s
Wt (socket)
Core:
Mem.:
Core voltage:
Mem. voltage:
VDDCI voltage:
Bénéfice net
0.032$
Pièce de monnaie:
NexaPow
Mem. vendor: Samsung K4G41325FE
Taux de hachage: 14.6 MH/s
Wt (socket)
Core:
Mem.:
Core voltage:
Mem. voltage:
VDDCI voltage:
Bénéfice net
0.032$
Pièce de monnaie:
NexaPow
Mem. vendor: SK Hynix H5GQ8H24MJR
Taux de hachage: 14.6 MH/s
Wt (socket)
Core:
Mem.:
Core voltage:
Mem. voltage:
VDDCI voltage:
Bénéfice net
0.032$
Pièce de monnaie:
NexaPow
Mem. vendor: SK Hynix H5GC8H24AJR
Taux de hachage: 14.6 MH/s
Wt (socket)
Core:
Mem.:
Core voltage:
Mem. voltage:
VDDCI voltage:
Bénéfice net
0.032$
Pièce de monnaie:
NexaPow
Mem. vendor: Samsung K4G80325FC
Taux de hachage: 14.6 MH/s
Wt (socket)
Core:
Mem.:
Core voltage:
Mem. voltage:
VDDCI voltage:
Bénéfice net
0.032$
Pièce de monnaie:
Blake 3
Mem. vendor: SK Hynix H5GC8H24AJR
Taux de hachage: 0.482 GH/s
Wt (socket) 128
Core: 1265
Mem.: 300
Core voltage: 918
Mem. voltage:
VDDCI voltage: 800
Bénéfice net
0.001$
Pièce de monnaie:
Blake 3
Mem. vendor: Samsung K4G80325FC
Taux de hachage: 0.474 GH/s
Wt (socket) 113
Core: 1265
Mem.: 300
Core voltage: 893
Mem. voltage:
VDDCI voltage: 800
Bénéfice net
0.001$
Pièce de monnaie:
Blake 3
Mem. vendor: Micron MT51J256M32
Taux de hachage: 0.472 GH/s
Wt (socket) 116
Core: 1244
Mem.: 300
Core voltage: 856
Mem. voltage:
VDDCI voltage: 800
Bénéfice net
0.001$
Pièce de monnaie:
Blake 3
Mem. vendor: SK Hynix H5GC4H24AJR
Taux de hachage: 0.464 GH/s
Wt (socket) 126
Core: 1219
Mem.: 300
Core voltage: 862
Mem. voltage:
VDDCI voltage: 800
Bénéfice net
0.001$
Pièce de monnaie:
Blake 3
Mem. vendor: Micron MT51J256M3
Taux de hachage: 0.457 GH/s
Wt (socket) 119
Core: 1212
Mem.: 300
Core voltage: 831
Mem. voltage:
VDDCI voltage: 800
Bénéfice net
0.001$
Pièce de monnaie:
Blake 3
Mem. vendor: Samsung K4G80325FB
Taux de hachage: 0.453 GH/s
Wt (socket) 99
Core: 1197
Mem.: 300
Core voltage: 862
Mem. voltage:
VDDCI voltage: 800
Bénéfice net
0.001$
Pièce de monnaie:
Blake 3
Mem. vendor: SK Hynix H5GQ8H24MJR
Taux de hachage: 0.435 GH/s
Wt (socket) 80
Core: 1134
Mem.: 300
Core voltage: 812
Mem. voltage:
VDDCI voltage: 800
Bénéfice net
0.001$
Pièce de monnaie:
Blake 3
Mem. vendor: Samsung K4G41325FE
Taux de hachage: 0.424 GH/s
Wt (socket) 76
Core: 1107
Mem.: 300
Core voltage: 793
Mem. voltage:
VDDCI voltage: 800
Bénéfice net
0.001$
Pièce de monnaie:
Heavyhash
Mem. vendor: SK Hynix H5GC8H24AJR
Taux de hachage: 148.94 MH/s
Wt (socket) 132
Core: 1265
Mem.: 300
Core voltage: 923
Mem. voltage:
VDDCI voltage: 800
Bénéfice net
0$
Pièce de monnaie:
Heavyhash
Mem. vendor: Samsung K4G80325FC
Taux de hachage: 146.56 MH/s
Wt (socket) 116
Core: 1265
Mem.: 300
Core voltage: 894
Mem. voltage:
VDDCI voltage: 800
Bénéfice net
0$
Pièce de monnaie:
Heavyhash
Mem. vendor: Micron MT51J256M32
Taux de hachage: 145.83 MH/s
Wt (socket) 119
Core: 1244
Mem.: 300
Core voltage: 855
Mem. voltage:
VDDCI voltage: 800
Bénéfice net
0$
Pièce de monnaie:
Heavyhash
Mem. vendor: SK Hynix H5GC4H24AJR
Taux de hachage: 143.59 MH/s
Wt (socket) 130
Core: 1219
Mem.: 300
Core voltage: 862
Mem. voltage:
VDDCI voltage: 800
Bénéfice net
0$
Pièce de monnaie:
Heavyhash
Mem. vendor: Micron MT51J256M3
Taux de hachage: 141.21 MH/s
Wt (socket) 123
Core: 1212
Mem.: 300
Core voltage: 829
Mem. voltage:
VDDCI voltage: 800
Bénéfice net
0$
Pièce de monnaie:
Heavyhash
Mem. vendor: Samsung K4G80325FB
Taux de hachage: 140.11 MH/s
Wt (socket) 102
Core: 1197
Mem.: 300
Core voltage: 862
Mem. voltage:
VDDCI voltage: 800
Bénéfice net
0$
Pièce de monnaie:
Heavyhash
Mem. vendor: SK Hynix H5GQ8H24MJR
Taux de hachage: 134.58 MH/s
Wt (socket) 82
Core: 1134
Mem.: 300
Core voltage: 811
Mem. voltage:
VDDCI voltage: 800
Bénéfice net
0$
Pièce de monnaie:
Heavyhash
Mem. vendor: Samsung K4G41325FE
Taux de hachage: 131.1 MH/s
Wt (socket) 64
Core: 1107
Mem.: 300
Core voltage: 791
Mem. voltage:
VDDCI voltage: 750
Bénéfice net
0$
Manufacturer
AMD
Date de sortie
2017
Processeur
Polaris 20
Prix de lancement
0.00$
Prix actuel
336.00$
TDP
150W
Type de mémoire
GDDR5
Mémoire
8GB
Largeur de bus
256
AMD RX570 8 GB carte vidéo. Caractéristiques, prix, hashrate de minage
Date de sortie et prix
La carte vidéo AMD RX570 a été publiée dans 2017. Meilleure pièce à extraire avec RX570 carte vidéo - Zano, cela donne 13 MH/s hashrate. Prix de lancement - 0.00 $. Prix approximatif actuel - 336.00 $. Veuillez faire attention à l'évolution du prix par rapport à l'année de sortie de la carte vidéo, avant de décider d'acheter une carte AMD RX570.
RX570 dans l'exploitation minière
Meilleure pièce à extraire avec la carte vidéo RX570 - Zano, cela vous donne 13 MH/s hashrate. Avec la difficulté quotidienne actuelle, vous gagnerez 0.221 $, donc le ROI de RX570 est de 1524 jours.
Consommation de RX570
RX570 TDP est 150 watts, tandis que dans l'exploitation minière, il consomme en moyenne 120 watts.
