AMD RX570 8 GB
Pièce de monnaie
Mem.
vendor
vendor
Taux de hachage
Wt (socket)
Core
Mem.
Core
voltage
voltage
Mem.
voltage
voltage
VDDCI
voltage
voltage
Bénéfice net
Pièce de monnaie:
Kawpow
Mem. vendor: SK Hynix H5GC8H24AJR
Taux de hachage: 14.76 MH/s
Wt (socket) 200
Core: 1200
Mem.: 2150
Core voltage: 904
Mem. voltage:
VDDCI voltage: 800
Bénéfice net
0.207$
Pièce de monnaie:
Kawpow
Mem. vendor: Samsung K4G80325FC
Taux de hachage: 14.53 MH/s
Wt (socket) 176
Core: 1200
Mem.: 2100
Core voltage: 876
Mem. voltage:
VDDCI voltage: 800
Bénéfice net
0.204$
Pièce de monnaie:
Kawpow
Mem. vendor: Micron MT51J256M32
Taux de hachage: 14.45 MH/s
Wt (socket) 180
Core: 1180
Mem.: 2100
Core voltage: 837
Mem. voltage:
VDDCI voltage: 800
Bénéfice net
0.203$
Pièce de monnaie:
Kawpow
Mem. vendor: SK Hynix H5GC4H24AJR
Taux de hachage: 14.23 MH/s
Wt (socket) 196
Core: 1156
Mem.: 2050
Core voltage: 844
Mem. voltage:
VDDCI voltage: 800
Bénéfice net
0.199$
Pièce de monnaie:
Kawpow
Mem. vendor: Micron MT51J256M3
Taux de hachage: 14 MH/s
Wt (socket) 186
Core: 1150
Mem.: 2013
Core voltage: 812
Mem. voltage:
VDDCI voltage: 800
Bénéfice net
0.196$
Pièce de monnaie:
Kawpow
Mem. vendor: Samsung K4G80325FB
Taux de hachage: 13.89 MH/s
Wt (socket) 155
Core: 1135
Mem.: 2025
Core voltage: 844
Mem. voltage:
VDDCI voltage: 800
Bénéfice net
0.195$
Pièce de monnaie:
Kawpow
Mem. vendor: SK Hynix H5GQ8H24MJR
Taux de hachage: 13.34 MH/s
Wt (socket) 125
Core: 1076
Mem.: 1925
Core voltage: 794
Mem. voltage:
VDDCI voltage: 800
Bénéfice net
0.187$
Pièce de monnaie:
Kawpow
Mem. vendor: Samsung K4G41325FE
Taux de hachage: 12.99 MH/s
Wt (socket) 97
Core: 1050
Mem.: 1950
Core voltage: 775
Mem. voltage:
VDDCI voltage: 750
Bénéfice net
0.182$
Pièce de monnaie:
Kawpow
Mem. vendor: SK Hynix H5GC8H24AJR
Taux de hachage: 14.76 MH/s
Wt (socket) 200
Core: 1200
Mem.: 2150
Core voltage: 904
Mem. voltage:
VDDCI voltage: 800
Bénéfice net
0.175$
Pièce de monnaie:
Kawpow
Mem. vendor: Samsung K4G80325FC
Taux de hachage: 14.53 MH/s
Wt (socket) 176
Core: 1200
Mem.: 2100
Core voltage: 876
Mem. voltage:
VDDCI voltage: 800
Bénéfice net
0.173$
Pièce de monnaie:
Kawpow
Mem. vendor: Micron MT51J256M32
Taux de hachage: 14.45 MH/s
Wt (socket) 180
Core: 1180
Mem.: 2100
Core voltage: 837
Mem. voltage:
VDDCI voltage: 800
Bénéfice net
0.172$
Pièce de monnaie:
ProgPowZ
Mem. vendor:
Taux de hachage: 13 MH/s
Wt (socket)
Core:
Mem.:
Core voltage:
Mem. voltage:
VDDCI voltage:
Bénéfice net
0.17$
Pièce de monnaie:
Kawpow
Mem. vendor: SK Hynix H5GC4H24AJR
Taux de hachage: 14.23 MH/s
Wt (socket) 196
Core: 1156
Mem.: 2050
Core voltage: 844
Mem. voltage:
VDDCI voltage: 800
Bénéfice net
0.169$
Pièce de monnaie:
Kawpow
Mem. vendor: SK Hynix H5GC8H24AJR
Taux de hachage: 14.76 MH/s
Wt (socket) 200
Core: 1200
Mem.: 2150
Core voltage: 904
Mem. voltage:
VDDCI voltage: 800
Bénéfice net
0.168$
Pièce de monnaie:
Kawpow
Mem. vendor: Micron MT51J256M3
Taux de hachage: 14 MH/s
Wt (socket) 186
Core: 1150
Mem.: 2013
Core voltage: 812
Mem. voltage:
VDDCI voltage: 800
Bénéfice net
0.166$
Pièce de monnaie:
Kawpow
Mem. vendor: Samsung K4G80325FC
Taux de hachage: 14.53 MH/s
Wt (socket) 176
Core: 1200
Mem.: 2100
Core voltage: 876
Mem. voltage:
VDDCI voltage: 800
Bénéfice net
0.165$
Pièce de monnaie:
Kawpow
Mem. vendor: Samsung K4G80325FB
Taux de hachage: 13.89 MH/s
Wt (socket) 155
Core: 1135
Mem.: 2025
Core voltage: 844
Mem. voltage:
VDDCI voltage: 800
Bénéfice net
0.165$
Pièce de monnaie:
Kawpow
Mem. vendor: Micron MT51J256M32
Taux de hachage: 14.45 MH/s
Wt (socket) 180
Core: 1180
Mem.: 2100
Core voltage: 837
Mem. voltage:
VDDCI voltage: 800
Bénéfice net
0.164$
Pièce de monnaie:
Kawpow
Mem. vendor: SK Hynix H5GC4H24AJR
Taux de hachage: 14.23 MH/s
Wt (socket) 196
Core: 1156
Mem.: 2050
Core voltage: 844
Mem. voltage:
VDDCI voltage: 800
Bénéfice net
0.162$
Pièce de monnaie:
Kawpow
Mem. vendor: Micron MT51J256M3
Taux de hachage: 14 MH/s
Wt (socket) 186
Core: 1150
Mem.: 2013
Core voltage: 812
Mem. voltage:
VDDCI voltage: 800
Bénéfice net
0.159$
Pièce de monnaie:
Kawpow
Mem. vendor: SK Hynix H5GQ8H24MJR
Taux de hachage: 13.34 MH/s
Wt (socket) 125
Core: 1076
Mem.: 1925
Core voltage: 794
Mem. voltage:
VDDCI voltage: 800
Bénéfice net
0.159$
Pièce de monnaie:
Kawpow
Mem. vendor: Samsung K4G80325FB
Taux de hachage: 13.89 MH/s
Wt (socket) 155
Core: 1135
Mem.: 2025
Core voltage: 844
Mem. voltage:
VDDCI voltage: 800
Bénéfice net
0.158$
Pièce de monnaie:
Kawpow
Mem. vendor: Samsung K4G41325FE
Taux de hachage: 12.99 MH/s
Wt (socket) 97
Core: 1050
Mem.: 1950
Core voltage: 775
Mem. voltage:
VDDCI voltage: 750
Bénéfice net
0.154$
Pièce de monnaie:
Kawpow
Mem. vendor: SK Hynix H5GQ8H24MJR
Taux de hachage: 13.34 MH/s
Wt (socket) 125
Core: 1076
Mem.: 1925
Core voltage: 794
Mem. voltage:
VDDCI voltage: 800
Bénéfice net
0.152$
Pièce de monnaie:
Kawpow
Mem. vendor: Samsung K4G41325FE
Taux de hachage: 12.99 MH/s
Wt (socket) 97
Core: 1050
Mem.: 1950
Core voltage: 775
Mem. voltage:
VDDCI voltage: 750
Bénéfice net
0.148$
Pièce de monnaie:
FiroPow
Mem. vendor: SK Hynix H5GC8H24AJR
Taux de hachage: 14.76 MH/s
Wt (socket) 196
Core: 1200
Mem.: 2150
Core voltage: 904
Mem. voltage:
VDDCI voltage: 800
Bénéfice net
0.132$
Pièce de monnaie:
FiroPow
Mem. vendor: Samsung K4G80325FC
Taux de hachage: 14.53 MH/s
Wt (socket) 172
Core: 1200
Mem.: 2100
Core voltage: 876
Mem. voltage:
VDDCI voltage: 800
Bénéfice net
0.13$
Pièce de monnaie:
Kawpow
Mem. vendor:
Taux de hachage: 13 MH/s
Wt (socket)
Core:
Mem.:
Core voltage:
Mem. voltage:
VDDCI voltage:
Bénéfice net
0.13$
Pièce de monnaie:
FiroPow
Mem. vendor: Micron MT51J256M32
Taux de hachage: 14.45 MH/s
Wt (socket) 176
Core: 1180
Mem.: 2100
Core voltage: 837
Mem. voltage:
VDDCI voltage: 800
Bénéfice net
0.129$
Pièce de monnaie:
FiroPow
Mem. vendor: SK Hynix H5GC4H24AJR
Taux de hachage: 14.23 MH/s
Wt (socket) 192
Core: 1156
Mem.: 2050
Core voltage: 844
Mem. voltage:
VDDCI voltage: 800
Bénéfice net
0.127$
Pièce de monnaie:
FiroPow
Mem. vendor: Micron MT51J256M3
Taux de hachage: 14 MH/s
Wt (socket) 182
Core: 1150
Mem.: 2013
Core voltage: 812
Mem. voltage:
VDDCI voltage: 800
Bénéfice net
0.125$
Pièce de monnaie:
FiroPow
Mem. vendor: Samsung K4G80325FB
Taux de hachage: 13.89 MH/s
Wt (socket) 151
Core: 1135
Mem.: 2025
Core voltage: 844
Mem. voltage:
VDDCI voltage: 800
Bénéfice net
0.124$
Pièce de monnaie:
Verthash
Mem. vendor:
Taux de hachage: 535 kH/s
Wt (socket)
Core:
Mem.:
Core voltage:
Mem. voltage:
VDDCI voltage:
Bénéfice net
0.121$
Pièce de monnaie:
FiroPow
Mem. vendor: SK Hynix H5GQ8H24MJR
Taux de hachage: 13.34 MH/s
Wt (socket) 121
Core: 1076
Mem.: 1925
Core voltage: 794
Mem. voltage:
VDDCI voltage: 800
Bénéfice net
0.119$
Pièce de monnaie:
FiroPow
Mem. vendor: Samsung K4G41325FE
Taux de hachage: 12.99 MH/s
Wt (socket) 94
Core: 1050
Mem.: 1950
Core voltage: 775
Mem. voltage:
VDDCI voltage: 750
Bénéfice net
0.116$
Pièce de monnaie:
Autolykos
Mem. vendor: SK Hynix H5GC8H24AJR
Taux de hachage: 59.33 MH/s
Wt (socket) 117
Core: 1200
Mem.: 1963
Core voltage: 896
Mem. voltage:
VDDCI voltage: 800
Bénéfice net
0.11$
Pièce de monnaie:
Autolykos
Mem. vendor: Samsung K4G80325FC
Taux de hachage: 58.39 MH/s
Wt (socket) 103
Core: 1200
Mem.: 1920
Core voltage: 869
Mem. voltage:
VDDCI voltage: 800
Bénéfice net
0.108$
Pièce de monnaie:
Autolykos
Mem. vendor: SK Hynix H5GC8H24AJR
Taux de hachage: 59.33 MH/s
Wt (socket) 117
Core: 1200
Mem.: 1963
Core voltage: 896
Mem. voltage:
VDDCI voltage: 800
Bénéfice net
0.108$
Pièce de monnaie:
Autolykos
Mem. vendor: Micron MT51J256M32
Taux de hachage: 58.1 MH/s
Wt (socket) 105
Core: 1180
Mem.: 1925
Core voltage: 830
Mem. voltage:
VDDCI voltage: 800
Bénéfice net
0.108$
Pièce de monnaie:
Autolykos
Mem. vendor: Samsung K4G80325FC
Taux de hachage: 58.39 MH/s
Wt (socket) 103
Core: 1200
Mem.: 1920
Core voltage: 869
Mem. voltage:
VDDCI voltage: 800
Bénéfice net
0.106$
Pièce de monnaie:
Autolykos
Mem. vendor: SK Hynix H5GC4H24AJR
Taux de hachage: 57.2 MH/s
Wt (socket) 115
Core: 1156
Mem.: 1875
Core voltage: 837
Mem. voltage:
VDDCI voltage: 800
Bénéfice net
0.106$
Pièce de monnaie:
Autolykos
Mem. vendor: Micron MT51J256M32
Taux de hachage: 58.1 MH/s
Wt (socket) 105
Core: 1180
Mem.: 1925
Core voltage: 830
Mem. voltage:
VDDCI voltage: 800
Bénéfice net
0.106$
Pièce de monnaie:
Autolykos
Mem. vendor: Micron MT51J256M3
Taux de hachage: 56.26 MH/s
Wt (socket) 109
Core: 1150
Mem.: 1850
Core voltage: 806
Mem. voltage:
VDDCI voltage: 800
Bénéfice net
0.104$
Pièce de monnaie:
Autolykos
Mem. vendor: SK Hynix H5GC4H24AJR
Taux de hachage: 57.2 MH/s
Wt (socket) 115
Core: 1156
Mem.: 1875
Core voltage: 837
Mem. voltage:
VDDCI voltage: 800
Bénéfice net
0.104$
Pièce de monnaie:
Autolykos
Mem. vendor: Samsung K4G80325FB
Taux de hachage: 55.82 MH/s
Wt (socket) 91
Core: 1135
Mem.: 1852
Core voltage: 837
Mem. voltage:
VDDCI voltage: 800
Bénéfice net
0.104$
Pièce de monnaie:
Autolykos
Mem. vendor: Micron MT51J256M3
Taux de hachage: 56.26 MH/s
Wt (socket) 109
Core: 1150
Mem.: 1850
Core voltage: 806
Mem. voltage:
VDDCI voltage: 800
Bénéfice net
0.102$
Pièce de monnaie:
Autolykos
Mem. vendor: Samsung K4G80325FB
Taux de hachage: 55.82 MH/s
Wt (socket) 91
Core: 1135
Mem.: 1852
Core voltage: 837
Mem. voltage:
VDDCI voltage: 800
Bénéfice net
0.102$
Pièce de monnaie:
Autolykos
Mem. vendor: SK Hynix H5GQ8H24MJR
Taux de hachage: 53.61 MH/s
Wt (socket) 73
Core: 1076
Mem.: 1762
Core voltage: 788
Mem. voltage:
VDDCI voltage: 800
Bénéfice net
0.10$
Pièce de monnaie:
Autolykos
Mem. vendor: SK Hynix H5GQ8H24MJR
Taux de hachage: 53.61 MH/s
Wt (socket) 73
Core: 1076
Mem.: 1762
Core voltage: 788
Mem. voltage:
VDDCI voltage: 800
Bénéfice net
0.098$
Pièce de monnaie:
Autolykos
Mem. vendor: Samsung K4G41325FE
Taux de hachage: 52.23 MH/s
Wt (socket) 57
Core: 1050
Mem.: 1788
Core voltage: 768
Mem. voltage:
VDDCI voltage: 750
Bénéfice net
0.097$
Pièce de monnaie:
Autolykos
Mem. vendor: Samsung K4G41325FE
Taux de hachage: 52.23 MH/s
Wt (socket) 57
Core: 1050
Mem.: 1788
Core voltage: 768
Mem. voltage:
VDDCI voltage: 750
Bénéfice net
0.095$
Pièce de monnaie:
Etchash
Mem. vendor: SK Hynix H5GC8H24AJR
Taux de hachage: 32.57 MH/s
Wt (socket) 151
Core: 1200
Mem.: 2175
Core voltage: 910
Mem. voltage:
VDDCI voltage: 800
Bénéfice net
0.059$
Pièce de monnaie:
Etchash
Mem. vendor: Samsung K4G80325FC
Taux de hachage: 32.05 MH/s
Wt (socket) 133
Core: 1200
Mem.: 2125
Core voltage: 882
Mem. voltage:
VDDCI voltage: 800
Bénéfice net
0.058$
Pièce de monnaie:
Etchash
Mem. vendor: Micron MT51J256M32
Taux de hachage: 31.89 MH/s
Wt (socket) 136
Core: 1180
Mem.: 2125
Core voltage: 843
Mem. voltage: -
VDDCI voltage: 800
Bénéfice net
0.057$
Pièce de monnaie:
Etchash
Mem. vendor: SK Hynix H5GC4H24AJR
Taux de hachage: 31.4 MH/s
Wt (socket) 148
Core: 1156
Mem.: 2075
Core voltage: 850
Mem. voltage: -
VDDCI voltage: 800
Bénéfice net
0.056$
Pièce de monnaie:
Etchash
Mem. vendor: Micron MT51J256M3
Taux de hachage: 30.88 MH/s
Wt (socket) 140
Core: 1150
Mem.: 2038
Core voltage: 818
Mem. voltage: -
VDDCI voltage: 800
Bénéfice net
0.056$
Pièce de monnaie:
Ethash
Mem. vendor: SK Hynix H5GC8H24AJR
Taux de hachage: 32.57 MH/s
Wt (socket) 151
Core: 1200
Mem.: 2175
Core voltage: 910
Mem. voltage:
VDDCI voltage: 800
Bénéfice net
0.055$
Pièce de monnaie:
Etchash
Mem. vendor: Samsung K4G80325FB
Taux de hachage: 30.64 MH/s
Wt (socket) 117
Core: 1135
Mem.: 2050
Core voltage: 850
Mem. voltage: -
VDDCI voltage: 800
Bénéfice net
0.055$
Pièce de monnaie:
Etchash
Heavyhash
Mem. vendor: SK Hynix H5GC8H24AJR
Taux de hachage: 30.3 MH/s 88.13 MH/s
Wt (socket) 211
Core: 1250
Mem.: 2150
Core voltage: 957
Mem. voltage:
VDDCI voltage: 800
Bénéfice net
0.055$
Pièce de monnaie:
Ethash
Mem. vendor: Samsung K4G80325FC
Taux de hachage: 32.05 MH/s
Wt (socket) 133
Core: 1200
Mem.: 2125
Core voltage: 882
Mem. voltage:
VDDCI voltage: 800
Bénéfice net
0.054$
Pièce de monnaie:
Ethash
Mem. vendor: Micron MT51J256M32
Taux de hachage: 31.89 MH/s
Wt (socket) 136
Core: 1180
Mem.: 2125
Core voltage: 843
Mem. voltage: -
VDDCI voltage: 800
Bénéfice net
0.054$
Pièce de monnaie:
Etchash
Heavyhash
Mem. vendor: Samsung K4G80325FC
Taux de hachage: 29.82 MH/s 88.13 MH/s
Wt (socket) 186
Core: 1250
Mem.: 2100
Core voltage: 927
Mem. voltage:
VDDCI voltage: 800
Bénéfice net
0.054$
Pièce de monnaie:
Etchash
Heavyhash
Mem. vendor: Micron MT51J256M32
Taux de hachage: 29.67 MH/s 88.13 MH/s
Wt (socket) 190
Core: 1229
Mem.: 2100
Core voltage: 886
Mem. voltage:
VDDCI voltage: 800
Bénéfice net
0.053$
Pièce de monnaie:
Ethash
Mem. vendor: SK Hynix H5GC4H24AJR
Taux de hachage: 31.4 MH/s
Wt (socket) 148
Core: 1156
Mem.: 2075
Core voltage: 850
Mem. voltage: -
VDDCI voltage: 800
Bénéfice net
0.053$
Pièce de monnaie:
Etchash
Mem. vendor: SK Hynix H5GQ8H24MJR
Taux de hachage: 29.43 MH/s
Wt (socket) 94
Core: 1076
Mem.: 1950
Core voltage: 800
Mem. voltage: -
VDDCI voltage: 800
Bénéfice net
0.053$
Pièce de monnaie:
Etchash
Heavyhash
Mem. vendor: SK Hynix H5GC4H24AJR
Taux de hachage: 29.21 MH/s 88.13 MH/s
Wt (socket) 207
Core: 1204
Mem.: 2050
Core voltage: 894
Mem. voltage:
VDDCI voltage: 800
Bénéfice net
0.053$
Pièce de monnaie:
Ethash
Mem. vendor: Micron MT51J256M3
Taux de hachage: 30.88 MH/s
Wt (socket) 140
Core: 1150
Mem.: 2038
Core voltage: 818
Mem. voltage: -
VDDCI voltage: 800
Bénéfice net
0.052$
Pièce de monnaie:
Ethash
Mem. vendor: Samsung K4G80325FB
Taux de hachage: 30.64 MH/s
Wt (socket) 117
Core: 1135
Mem.: 2050
Core voltage: 850
Mem. voltage: -
VDDCI voltage: 800
Bénéfice net
0.052$
Pièce de monnaie:
Etchash
Heavyhash
Mem. vendor: Micron MT51J256M3
Taux de hachage: 28.73 MH/s 88.13 MH/s
Wt (socket) 196
Core: 1198
Mem.: 2013
Core voltage: 860
Mem. voltage:
VDDCI voltage: 800
Bénéfice net
0.052$
Pièce de monnaie:
Etchash
Mem. vendor: Samsung K4G41325FE
Taux de hachage: 28.67 MH/s
Wt (socket) 73
Core: 1050
Mem.: 1975
Core voltage: 780
Mem. voltage: -
VDDCI voltage: 750
Bénéfice net
0.052$
Pièce de monnaie:
Etchash
Heavyhash
Mem. vendor: Samsung K4G80325FB
Taux de hachage: 28.51 MH/s 88.13 MH/s
Wt (socket) 164
Core: 1182
Mem.: 2025
Core voltage: 894
Mem. voltage:
VDDCI voltage: 800
Bénéfice net
0.051$
Pièce de monnaie:
Ethash
Mem. vendor: SK Hynix H5GC8H24AJR
Taux de hachage: 32.57 MH/s
Wt (socket) 151
Core: 1200
Mem.: 2175
Core voltage: 910
Mem. voltage:
VDDCI voltage: 800
Bénéfice net
0.051$
Pièce de monnaie:
Ethash
Mem. vendor: Samsung K4G80325FC
Taux de hachage: 32.05 MH/s
Wt (socket) 133
Core: 1200
Mem.: 2125
Core voltage: 882
Mem. voltage:
VDDCI voltage: 800
Bénéfice net
0.05$
Pièce de monnaie:
Ethash
Mem. vendor: Micron MT51J256M32
Taux de hachage: 31.89 MH/s
Wt (socket) 136
Core: 1180
Mem.: 2125
Core voltage: 843
Mem. voltage: -
VDDCI voltage: 800
Bénéfice net
0.05$
Pièce de monnaie:
Ethash
Mem. vendor: SK Hynix H5GQ8H24MJR
Taux de hachage: 29.43 MH/s
Wt (socket) 94
Core: 1076
Mem.: 1950
Core voltage: 800
Mem. voltage: -
VDDCI voltage: 800
Bénéfice net
0.05$
Pièce de monnaie:
Etchash
Heavyhash
Mem. vendor: SK Hynix H5GQ8H24MJR
Taux de hachage: 27.38 MH/s 88.13 MH/s
Wt (socket) 132
Core: 1120
Mem.: 1925
Core voltage: 841
Mem. voltage:
VDDCI voltage: 800
Bénéfice net
0.049$
Pièce de monnaie:
Ethash
Mem. vendor: SK Hynix H5GC4H24AJR
Taux de hachage: 31.4 MH/s
Wt (socket) 148
Core: 1156
Mem.: 2075
Core voltage: 850
Mem. voltage: -
VDDCI voltage: 800
Bénéfice net
0.049$
Pièce de monnaie:
Ethash
Mem. vendor: Samsung K4G41325FE
Taux de hachage: 28.67 MH/s
Wt (socket) 73
Core: 1050
Mem.: 1975
Core voltage: 780
Mem. voltage: -
VDDCI voltage: 750
Bénéfice net
0.048$
Pièce de monnaie:
Ethash
Mem. vendor: Micron MT51J256M3
Taux de hachage: 30.88 MH/s
Wt (socket) 140
Core: 1150
Mem.: 2038
Core voltage: 818
Mem. voltage: -
VDDCI voltage: 800
Bénéfice net
0.048$
Pièce de monnaie:
Etchash
Heavyhash
Mem. vendor: Samsung K4G41325FE
Taux de hachage: 26.67 MH/s 88.13 MH/s
Wt (socket) 102
Core: 1093
Mem.: 1950
Core voltage: 820
Mem. voltage:
VDDCI voltage: 750
Bénéfice net
0.048$
Pièce de monnaie:
Ethash
Mem. vendor: Samsung K4G80325FB
Taux de hachage: 30.64 MH/s
Wt (socket) 117
Core: 1135
Mem.: 2050
Core voltage: 850
Mem. voltage: -
VDDCI voltage: 800
Bénéfice net
0.048$
Pièce de monnaie:
Ethash
Heavyhash
Mem. vendor: SK Hynix H5GC8H24AJR
Taux de hachage: 30.3 MH/s 88.13 MH/s
Wt (socket) 211
Core: 1250
Mem.: 2150
Core voltage: 957
Mem. voltage:
VDDCI voltage: 800
Bénéfice net
0.047$
Pièce de monnaie:
Ethash
Heavyhash
Mem. vendor: Samsung K4G80325FC
Taux de hachage: 29.82 MH/s 88.13 MH/s
Wt (socket) 186
Core: 1250
Mem.: 2100
Core voltage: 927
Mem. voltage:
VDDCI voltage: 800
Bénéfice net
0.047$
Pièce de monnaie:
Ethash
Heavyhash
Mem. vendor: Micron MT51J256M32
Taux de hachage: 29.67 MH/s 88.13 MH/s
Wt (socket) 190
Core: 1229
Mem.: 2100
Core voltage: 886
Mem. voltage:
VDDCI voltage: 800
Bénéfice net
0.046$
Pièce de monnaie:
Ethash
Mem. vendor: SK Hynix H5GQ8H24MJR
Taux de hachage: 29.43 MH/s
Wt (socket) 94
Core: 1076
Mem.: 1950
Core voltage: 800
Mem. voltage: -
VDDCI voltage: 800
Bénéfice net
0.046$
Pièce de monnaie:
Ethash
Heavyhash
Mem. vendor: SK Hynix H5GC4H24AJR
Taux de hachage: 29.21 MH/s 88.13 MH/s
Wt (socket) 207
Core: 1204
Mem.: 2050
Core voltage: 894
Mem. voltage:
VDDCI voltage: 800
Bénéfice net
0.046$
Pièce de monnaie:
Ethash
Heavyhash
Mem. vendor: Micron MT51J256M3
Taux de hachage: 28.73 MH/s 88.13 MH/s
Wt (socket) 196
Core: 1198
Mem.: 2013
Core voltage: 860
Mem. voltage:
VDDCI voltage: 800
Bénéfice net
0.045$
Pièce de monnaie:
Ethash
Mem. vendor: Samsung K4G41325FE
Taux de hachage: 28.67 MH/s
Wt (socket) 73
Core: 1050
Mem.: 1975
Core voltage: 780
Mem. voltage: -
VDDCI voltage: 750
Bénéfice net
0.045$
Pièce de monnaie:
Ethash
Heavyhash
Mem. vendor: Samsung K4G80325FB
Taux de hachage: 28.51 MH/s 88.13 MH/s
Wt (socket) 164
Core: 1182
Mem.: 2025
Core voltage: 894
Mem. voltage:
VDDCI voltage: 800
Bénéfice net
0.045$
Pièce de monnaie:
Ethash
Heavyhash
Mem. vendor: SK Hynix H5GQ8H24MJR
Taux de hachage: 27.38 MH/s 88.13 MH/s
Wt (socket) 132
Core: 1120
Mem.: 1925
Core voltage: 841
Mem. voltage:
VDDCI voltage: 800
Bénéfice net
0.043$
Pièce de monnaie:
Ethash
Heavyhash
Mem. vendor: Samsung K4G41325FE
Taux de hachage: 26.67 MH/s 88.13 MH/s
Wt (socket) 102
Core: 1093
Mem.: 1950
Core voltage: 820
Mem. voltage:
VDDCI voltage: 750
Bénéfice net
0.042$
Pièce de monnaie:
NexaPow
Mem. vendor: Micron MT51J256M3
Taux de hachage: 14.6 MH/s
Wt (socket)
Core:
Mem.:
Core voltage:
Mem. voltage:
VDDCI voltage:
Bénéfice net
0.037$
Pièce de monnaie:
NexaPow
Mem. vendor: Micron MT51J256M32
Taux de hachage: 14.6 MH/s
Wt (socket)
Core:
Mem.:
Core voltage:
Mem. voltage:
VDDCI voltage:
Bénéfice net
0.037$
Pièce de monnaie:
NexaPow
Mem. vendor: Samsung K4G80325FB
Taux de hachage: 14.6 MH/s
Wt (socket)
Core:
Mem.:
Core voltage:
Mem. voltage:
VDDCI voltage:
Bénéfice net
0.037$
Pièce de monnaie:
NexaPow
Mem. vendor: SK Hynix H5GC4H24AJR
Taux de hachage: 14.6 MH/s
Wt (socket)
Core:
Mem.:
Core voltage:
Mem. voltage:
VDDCI voltage:
Bénéfice net
0.037$
Pièce de monnaie:
NexaPow
Mem. vendor: Samsung K4G41325FE
Taux de hachage: 14.6 MH/s
Wt (socket)
Core:
Mem.:
Core voltage:
Mem. voltage:
VDDCI voltage:
Bénéfice net
0.037$
Pièce de monnaie:
NexaPow
Mem. vendor: SK Hynix H5GQ8H24MJR
Taux de hachage: 14.6 MH/s
Wt (socket)
Core:
Mem.:
Core voltage:
Mem. voltage:
VDDCI voltage:
Bénéfice net
0.037$
Pièce de monnaie:
NexaPow
Mem. vendor: SK Hynix H5GC8H24AJR
Taux de hachage: 14.6 MH/s
Wt (socket)
Core:
Mem.:
Core voltage:
Mem. voltage:
VDDCI voltage:
Bénéfice net
0.037$
Pièce de monnaie:
NexaPow
Mem. vendor: Samsung K4G80325FC
Taux de hachage: 14.6 MH/s
Wt (socket)
Core:
Mem.:
Core voltage:
Mem. voltage:
VDDCI voltage:
Bénéfice net
0.037$
Pièce de monnaie:
Blake 3
Mem. vendor: SK Hynix H5GC8H24AJR
Taux de hachage: 0.482 GH/s
Wt (socket) 128
Core: 1265
Mem.: 300
Core voltage: 918
Mem. voltage:
VDDCI voltage: 800
Bénéfice net
0.001$
Pièce de monnaie:
Blake 3
Mem. vendor: Samsung K4G80325FC
Taux de hachage: 0.474 GH/s
Wt (socket) 113
Core: 1265
Mem.: 300
Core voltage: 893
Mem. voltage:
VDDCI voltage: 800
Bénéfice net
0.001$
Pièce de monnaie:
Blake 3
Mem. vendor: Micron MT51J256M32
Taux de hachage: 0.472 GH/s
Wt (socket) 116
Core: 1244
Mem.: 300
Core voltage: 856
Mem. voltage:
VDDCI voltage: 800
Bénéfice net
0.001$
Pièce de monnaie:
Blake 3
Mem. vendor: SK Hynix H5GC4H24AJR
Taux de hachage: 0.464 GH/s
Wt (socket) 126
Core: 1219
Mem.: 300
Core voltage: 862
Mem. voltage:
VDDCI voltage: 800
Bénéfice net
0.001$
Pièce de monnaie:
Blake 3
Mem. vendor: Micron MT51J256M3
Taux de hachage: 0.457 GH/s
Wt (socket) 119
Core: 1212
Mem.: 300
Core voltage: 831
Mem. voltage:
VDDCI voltage: 800
Bénéfice net
0.001$
Pièce de monnaie:
Blake 3
Mem. vendor: Samsung K4G80325FB
Taux de hachage: 0.453 GH/s
Wt (socket) 99
Core: 1197
Mem.: 300
Core voltage: 862
Mem. voltage:
VDDCI voltage: 800
Bénéfice net
0.001$
Pièce de monnaie:
Blake 3
Mem. vendor: SK Hynix H5GQ8H24MJR
Taux de hachage: 0.435 GH/s
Wt (socket) 80
Core: 1134
Mem.: 300
Core voltage: 812
Mem. voltage:
VDDCI voltage: 800
Bénéfice net
0.001$
Pièce de monnaie:
Blake 3
Mem. vendor: Samsung K4G41325FE
Taux de hachage: 0.424 GH/s
Wt (socket) 76
Core: 1107
Mem.: 300
Core voltage: 793
Mem. voltage:
VDDCI voltage: 800
Bénéfice net
0.001$
Pièce de monnaie:
Heavyhash
Mem. vendor: SK Hynix H5GC8H24AJR
Taux de hachage: 148.94 MH/s
Wt (socket) 132
Core: 1265
Mem.: 300
Core voltage: 923
Mem. voltage:
VDDCI voltage: 800
Bénéfice net
0$
Pièce de monnaie:
Heavyhash
Mem. vendor: Samsung K4G80325FC
Taux de hachage: 146.56 MH/s
Wt (socket) 116
Core: 1265
Mem.: 300
Core voltage: 894
Mem. voltage:
VDDCI voltage: 800
Bénéfice net
0$
Pièce de monnaie:
Heavyhash
Mem. vendor: Micron MT51J256M32
Taux de hachage: 145.83 MH/s
Wt (socket) 119
Core: 1244
Mem.: 300
Core voltage: 855
Mem. voltage:
VDDCI voltage: 800
Bénéfice net
0$
Pièce de monnaie:
Heavyhash
Mem. vendor: SK Hynix H5GC4H24AJR
Taux de hachage: 143.59 MH/s
Wt (socket) 130
Core: 1219
Mem.: 300
Core voltage: 862
Mem. voltage:
VDDCI voltage: 800
Bénéfice net
0$
Pièce de monnaie:
Heavyhash
Mem. vendor: Micron MT51J256M3
Taux de hachage: 141.21 MH/s
Wt (socket) 123
Core: 1212
Mem.: 300
Core voltage: 829
Mem. voltage:
VDDCI voltage: 800
Bénéfice net
0$
Pièce de monnaie:
Heavyhash
Mem. vendor: Samsung K4G80325FB
Taux de hachage: 140.11 MH/s
Wt (socket) 102
Core: 1197
Mem.: 300
Core voltage: 862
Mem. voltage:
VDDCI voltage: 800
Bénéfice net
0$
Pièce de monnaie:
Heavyhash
Mem. vendor: SK Hynix H5GQ8H24MJR
Taux de hachage: 134.58 MH/s
Wt (socket) 82
Core: 1134
Mem.: 300
Core voltage: 811
Mem. voltage:
VDDCI voltage: 800
Bénéfice net
0$
Pièce de monnaie:
Heavyhash
Mem. vendor: Samsung K4G41325FE
Taux de hachage: 131.1 MH/s
Wt (socket) 64
Core: 1107
Mem.: 300
Core voltage: 791
Mem. voltage:
VDDCI voltage: 750
Bénéfice net
0$
Manufacturer
AMD
Date de sortie
2017
Processeur
Polaris 20
Prix de lancement
0.00$
Prix actuel
336.00$
TDP
150W
Type de mémoire
GDDR5
Mémoire
8GB
Largeur de bus
256
AMD RX570 8 GB carte vidéo. Caractéristiques, prix, hashrate de minage
Date de sortie et prix
La carte vidéo AMD RX570 a été publiée dans 2017. Meilleure pièce à extraire avec RX570 carte vidéo - Raven, cela donne 14.76 MH/s hashrate. Prix de lancement - 0.00 $. Prix approximatif actuel - 336.00 $. Veuillez faire attention à l'évolution du prix par rapport à l'année de sortie de la carte vidéo, avant de décider d'acheter une carte AMD RX570.
RX570 dans l'exploitation minière
Meilleure pièce à extraire avec la carte vidéo RX570 - Raven, cela vous donne 14.76 MH/s hashrate. Avec la difficulté quotidienne actuelle, vous gagnerez 0.207 $, donc le ROI de RX570 est de 1624 jours.
Consommation de RX570
RX570 TDP est 150 watts, tandis que dans l'exploitation minière, il consomme en moyenne 200 watts.
