AMD RX470 4 GB
Érme
Mem.
vendor
vendor
Hashráta
Wt (socket)
Core
Mem.
Core
voltage
voltage
Mem.
voltage
voltage
VDDCI
voltage
voltage
Nettó nyereség
Érme:
Kawpow
Mem. vendor: Samsung K4G80325FB
Hashráta: 15.3 MH/s
Wt (socket) 167
Core: 1166
Mem.: 2050
Core voltage: 869
Mem. voltage:
VDDCI voltage: 800
Nettó nyereség
0.254$
Érme:
Kawpow
Mem. vendor: Samsung K4G41325FE
Hashráta: 14.79 MH/s
Wt (socket) 167
Core: 1060
Mem.: 1875
Core voltage: 850
Mem. voltage:
VDDCI voltage: 800
Nettó nyereség
0.246$
Érme:
Kawpow
Mem. vendor: Micron MT51J256M3
Hashráta: 14.32 MH/s
Wt (socket) 156
Core: 1090
Mem.: 1925
Core voltage: 875
Mem. voltage:
VDDCI voltage: 800
Nettó nyereség
0.238$
Érme:
Kawpow
Mem. vendor: SK Hynix H5GC4H24AJR
Hashráta: 14.32 MH/s
Wt (socket) 151
Core: 1084
Mem.: 1925
Core voltage: 832
Mem. voltage:
VDDCI voltage: 800
Nettó nyereség
0.238$
Érme:
Kawpow
Mem. vendor: Elpida EDW4032BABG
Hashráta: 13.69 MH/s
Wt (socket) 158
Core: 1060
Mem.: 1875
Core voltage: 837
Mem. voltage:
VDDCI voltage: 800
Nettó nyereség
0.228$
Érme:
Kawpow
Mem. vendor: Samsung K4G20325FS
Hashráta: 13.47 MH/s
Wt (socket) 131
Core: 1016
Mem.: 1800
Core voltage: 745
Mem. voltage:
VDDCI voltage: 800
Nettó nyereség
0.224$
Érme:
Verthash
Mem. vendor:
Hashráta: 535 kH/s
Wt (socket)
Core:
Mem.:
Core voltage:
Mem. voltage:
VDDCI voltage:
Nettó nyereség
0.189$
Érme:
Kawpow
Mem. vendor:
Hashráta: 10 MH/s
Wt (socket)
Core:
Mem.:
Core voltage:
Mem. voltage:
VDDCI voltage:
Nettó nyereség
0.147$
Érme:
Autolykos
Mem. vendor: Samsung K4G80325FB
Hashráta: 61.49 MH/s
Wt (socket) 98
Core: 1166
Mem.: 1875
Core voltage: 862
Mem. voltage:
VDDCI voltage: 800
Nettó nyereség
0.12$
Érme:
Autolykos
Mem. vendor: Samsung K4G41325FE
Hashráta: 59.43 MH/s
Wt (socket) 98
Core: 1060
Mem.: 1725
Core voltage: 843
Mem. voltage:
VDDCI voltage: 800
Nettó nyereség
0.116$
Érme:
Autolykos
Mem. vendor: Micron MT51J256M3
Hashráta: 57.55 MH/s
Wt (socket) 91
Core: 1090
Mem.: 1763
Core voltage: 868
Mem. voltage:
VDDCI voltage: 800
Nettó nyereség
0.112$
Érme:
Autolykos
Mem. vendor: SK Hynix H5GC4H24AJR
Hashráta: 57.55 MH/s
Wt (socket) 88
Core: 1084
Mem.: 1763
Core voltage: 825
Mem. voltage:
VDDCI voltage: 800
Nettó nyereség
0.112$
Érme:
Autolykos
Mem. vendor: Elpida EDW4032BABG
Hashráta: 55.02 MH/s
Wt (socket) 92
Core: 1060
Mem.: 1725
Core voltage: 830
Mem. voltage:
VDDCI voltage: 800
Nettó nyereség
0.107$
Érme:
Autolykos
Mem. vendor: Samsung K4G20325FS
Hashráta: 54.12 MH/s
Wt (socket) 77
Core: 1016
Mem.: 1650
Core voltage: 739
Mem. voltage:
VDDCI voltage: 800
Nettó nyereség
0.105$
Érme:
Ethash
Mem. vendor: Samsung K4G80325FB
Hashráta: 31.39 MH/s
Wt (socket) 126
Core: 1166
Mem.: 2075
Core voltage: 875
Mem. voltage:
VDDCI voltage: 800
Nettó nyereség
0.10$
Érme:
Ethash
Mem. vendor: Samsung K4G41325FE
Hashráta: 30.34 MH/s
Wt (socket) 126
Core: 1060
Mem.: 1900
Core voltage: 856
Mem. voltage:
VDDCI voltage: 800
Nettó nyereség
0.097$
Érme:
Blake 3
Mem. vendor: Samsung K4G80325FB
Hashráta: 0.527 GH/s
Wt (socket) 107
Core: 1229
Mem.: 601
Core voltage: 887
Mem. voltage:
VDDCI voltage: 800
Nettó nyereség
0.095$
Érme:
Ethash
Mem. vendor: Micron MT51J256M3
Hashráta: 29.38 MH/s
Wt (socket) 118
Core: 1090
Mem.: 1950
Core voltage: 881
Mem. voltage:
VDDCI voltage: 800
Nettó nyereség
0.094$
Érme:
Ethash
Mem. vendor: SK Hynix H5GC4H24AJR
Hashráta: 29.38 MH/s
Wt (socket) 114
Core: 1084
Mem.: 1950
Core voltage: 838
Mem. voltage:
VDDCI voltage: 800
Nettó nyereség
0.094$
Érme:
Blake 3
Mem. vendor: Samsung K4G41325FE
Hashráta: 0.51 GH/s
Wt (socket) 107
Core: 1117
Mem.: 601
Core voltage: 868
Mem. voltage:
VDDCI voltage: 800
Nettó nyereség
0.092$
Érme:
Ethash
Mem. vendor: Elpida EDW4032BABG
Hashráta: 28.09 MH/s
Wt (socket) 119
Core: 1060
Mem.: 1900
Core voltage: 843
Mem. voltage:
VDDCI voltage: 800
Nettó nyereség
0.09$
Érme:
Blake 3
Mem. vendor: Micron MT51J256M3
Hashráta: 0.494 GH/s
Wt (socket) 100
Core: 1149
Mem.: 601
Core voltage: 893
Mem. voltage:
VDDCI voltage: 800
Nettó nyereség
0.089$
Érme:
Blake 3
Mem. vendor: SK Hynix H5GC4H24AJR
Hashráta: 0.494 GH/s
Wt (socket) 97
Core: 1143
Mem.: 601
Core voltage: 850
Mem. voltage:
VDDCI voltage: 800
Nettó nyereség
0.089$
Érme:
Ethash
Mem. vendor: Samsung K4G20325FS
Hashráta: 27.63 MH/s
Wt (socket) 99
Core: 1016
Mem.: 1825
Core voltage: 750
Mem. voltage:
VDDCI voltage: 800
Nettó nyereség
0.088$
Érme:
Blake 3
Mem. vendor: Elpida EDW4032BABG
Hashráta: 0.472 GH/s
Wt (socket) 101
Core: 1117
Mem.: 601
Core voltage: 856
Mem. voltage:
VDDCI voltage: 800
Nettó nyereség
0.085$
Érme:
Blake 3
Mem. vendor: Samsung K4G20325FS
Hashráta: 0.464 GH/s
Wt (socket) 84
Core: 1071
Mem.: 601
Core voltage: 762
Mem. voltage:
VDDCI voltage: 800
Nettó nyereség
0.084$
Érme:
Etchash
Mem. vendor: Samsung K4G80325FB
Hashráta: 31.39 MH/s
Wt (socket) 126
Core: 1166
Mem.: 2075
Core voltage: 875
Mem. voltage:
VDDCI voltage: 800
Nettó nyereség
0.08$
Érme:
Etchash
Mem. vendor: Samsung K4G41325FE
Hashráta: 30.34 MH/s
Wt (socket) 126
Core: 1060
Mem.: 1900
Core voltage: 856
Mem. voltage:
VDDCI voltage: 800
Nettó nyereség
0.077$
Érme:
Etchash
Mem. vendor: Micron MT51J256M3
Hashráta: 29.38 MH/s
Wt (socket) 118
Core: 1090
Mem.: 1950
Core voltage: 881
Mem. voltage:
VDDCI voltage: 800
Nettó nyereség
0.075$
Érme:
Etchash
Mem. vendor: SK Hynix H5GC4H24AJR
Hashráta: 29.38 MH/s
Wt (socket) 114
Core: 1084
Mem.: 1950
Core voltage: 838
Mem. voltage:
VDDCI voltage: 800
Nettó nyereség
0.075$
Érme:
Etchash
Heavyhash
Mem. vendor: Samsung K4G80325FB
Hashráta: 29.2 MH/s 88.13 MH/s
Wt (socket) 176
Core: 1214
Mem.: 2050
Core voltage: 920
Mem. voltage:
VDDCI voltage: 800
Nettó nyereség
0.075$
Érme:
Etchash
Heavyhash
Mem. vendor: Samsung K4G41325FE
Hashráta: 28.23 MH/s 88.13 MH/s
Wt (socket) 176
Core: 1104
Mem.: 1875
Core voltage: 900
Mem. voltage:
VDDCI voltage: 800
Nettó nyereség
0.072$
Érme:
Etchash
Mem. vendor: Elpida EDW4032BABG
Hashráta: 28.09 MH/s
Wt (socket) 119
Core: 1060
Mem.: 1900
Core voltage: 843
Mem. voltage:
VDDCI voltage: 800
Nettó nyereség
0.072$
Érme:
Etchash
Mem. vendor: Samsung K4G20325FS
Hashráta: 27.63 MH/s
Wt (socket) 99
Core: 1016
Mem.: 1825
Core voltage: 750
Mem. voltage:
VDDCI voltage: 800
Nettó nyereség
0.07$
Érme:
Etchash
Heavyhash
Mem. vendor: Micron MT51J256M3
Hashráta: 27.33 MH/s 88.13 MH/s
Wt (socket) 165
Core: 1135
Mem.: 1925
Core voltage: 926
Mem. voltage:
VDDCI voltage: 800
Nettó nyereség
0.07$
Érme:
Etchash
Heavyhash
Mem. vendor: SK Hynix H5GC4H24AJR
Hashráta: 27.33 MH/s 88.13 MH/s
Wt (socket) 160
Core: 1129
Mem.: 1925
Core voltage: 881
Mem. voltage:
VDDCI voltage: 800
Nettó nyereség
0.07$
Érme:
Etchash
Heavyhash
Mem. vendor: Elpida EDW4032BABG
Hashráta: 26.13 MH/s 88.13 MH/s
Wt (socket) 167
Core: 1104
Mem.: 1875
Core voltage: 886
Mem. voltage:
VDDCI voltage: 800
Nettó nyereség
0.067$
Érme:
Etchash
Heavyhash
Mem. vendor: Samsung K4G20325FS
Hashráta: 25.71 MH/s 88.13 MH/s
Wt (socket) 139
Core: 1058
Mem.: 1800
Core voltage: 789
Mem. voltage:
VDDCI voltage: 800
Nettó nyereség
0.066$
Érme:
Karlsen
Mem. vendor:
Hashráta: 210 MH/s
Wt (socket)
Core:
Mem.:
Core voltage:
Mem. voltage:
VDDCI voltage:
Nettó nyereség
0.063$
Érme:
NexaPow
Mem. vendor: Micron MT51J256M3
Hashráta: 13.4 MH/s
Wt (socket)
Core:
Mem.:
Core voltage:
Mem. voltage:
VDDCI voltage:
Nettó nyereség
0.062$
Érme:
NexaPow
Mem. vendor: SK Hynix H5GC4H24AJR
Hashráta: 13.4 MH/s
Wt (socket)
Core:
Mem.:
Core voltage:
Mem. voltage:
VDDCI voltage:
Nettó nyereség
0.062$
Érme:
NexaPow
Mem. vendor: Samsung K4G41325FE
Hashráta: 13.4 MH/s
Wt (socket)
Core:
Mem.:
Core voltage:
Mem. voltage:
VDDCI voltage:
Nettó nyereség
0.062$
Érme:
NexaPow
Mem. vendor: Elpida EDW4032BABG
Hashráta: 13.4 MH/s
Wt (socket)
Core:
Mem.:
Core voltage:
Mem. voltage:
VDDCI voltage:
Nettó nyereség
0.062$
Érme:
NexaPow
Mem. vendor: Samsung K4G80325FB
Hashráta: 13.4 MH/s
Wt (socket)
Core:
Mem.:
Core voltage:
Mem. voltage:
VDDCI voltage:
Nettó nyereség
0.062$
Érme:
NexaPow
Mem. vendor: Samsung K4G20325FS
Hashráta: 13.4 MH/s
Wt (socket)
Core:
Mem.:
Core voltage:
Mem. voltage:
VDDCI voltage:
Nettó nyereség
0.062$
Érme:
Heavyhash
Mem. vendor: Samsung K4G80325FB
Hashráta: 148.60582278481013 MH/s
Wt (socket) 110
Core: 1229
Mem.: 601
Core voltage: 887
Mem. voltage:
VDDCI voltage: 800
Nettó nyereség
0.001$
Érme:
Heavyhash
Mem. vendor: Samsung K4G41325FE
Hashráta: 143.63493670886075 MH/s
Wt (socket) 110
Core: 1117
Mem.: 601
Core voltage: 868
Mem. voltage:
VDDCI voltage: 800
Nettó nyereség
0.001$
Érme:
Heavyhash
Mem. vendor: Micron MT51J256M3
Hashráta: 139.09012658227846 MH/s
Wt (socket) 103
Core: 1149
Mem.: 601
Core voltage: 893
Mem. voltage:
VDDCI voltage: 800
Nettó nyereség
0.001$
Érme:
Heavyhash
Mem. vendor: SK Hynix H5GC4H24AJR
Hashráta: 139.09012658227846 MH/s
Wt (socket) 100
Core: 1143
Mem.: 601
Core voltage: 850
Mem. voltage:
VDDCI voltage: 800
Nettó nyereség
0.001$
Érme:
Heavyhash
Mem. vendor: Elpida EDW4032BABG
Hashráta: 132.98303797468353 MH/s
Wt (socket) 104
Core: 1117
Mem.: 601
Core voltage: 855
Mem. voltage:
VDDCI voltage: 800
Nettó nyereség
0.001$
Érme:
Heavyhash
Mem. vendor: Samsung K4G20325FS
Hashráta: 130.80531645569621 MH/s
Wt (socket) 87
Core: 1071
Mem.: 601
Core voltage: 761
Mem. voltage:
VDDCI voltage: 800
Nettó nyereség
0.001$
Gyártó
AMD
Kiadási dátum
2016
Processzor
Ellesmere
Indítási ár
179.00$
Jelenlegi ár
210.00$
TDP
120W
Memória típusa
GDDR5
Memória
4GB
Busz szélessége
256
AMD RX470 4 GB videokártya hashrate
Megjelenés dátuma és ára
AMD RX470 videokártya jelent meg itt: 2016. Indítási ár - 179.00 $. Jelenlegi hozzávetőleges ár - 210.00 $. Kérjük, figyeljen az árváltozásra a videokártya megjelenésének évéhez képest, mielőtt eldöntené, hogy AMD RX470 kártyát vesz -e.
RX470 in mining
A legjobb érme az enyém a RX470 videokártyával - Clore, 15.3 MH/s hashrate. A jelenlegi napi nehézségek mellett 0.254 $, tehát RX470 ROI 826 napot fog keresni.
RX470 fogyasztás
RX470 A TDP 120 watt, míg a bányászatban átlagosan 167 wattot fogyaszt.
