AMD RX470 4 GB
Монета
Mem.
vendor
vendor
Хешрейт
Wt (socket)
Core
Mem.
Core
voltage
voltage
Mem.
voltage
voltage
VDDCI
voltage
voltage
Чистый
доход
доход
Монета:
Kawpow
Mem. vendor: Samsung K4G80325FB
Хешрейт: 15.3 MH/s
Wt (socket) 167
Core: 1166
Mem.: 2050
Core voltage: 869
Mem. voltage:
VDDCI voltage: 800
Чистый
доход
доход
0.179$
Монета:
Kawpow
Mem. vendor: Samsung K4G41325FE
Хешрейт: 14.79 MH/s
Wt (socket) 167
Core: 1060
Mem.: 1875
Core voltage: 850
Mem. voltage:
VDDCI voltage: 800
Чистый
доход
доход
0.173$
Монета:
Kawpow
Mem. vendor: Micron MT51J256M3
Хешрейт: 14.32 MH/s
Wt (socket) 156
Core: 1090
Mem.: 1925
Core voltage: 875
Mem. voltage:
VDDCI voltage: 800
Чистый
доход
доход
0.168$
Монета:
Kawpow
Mem. vendor: SK Hynix H5GC4H24AJR
Хешрейт: 14.32 MH/s
Wt (socket) 151
Core: 1084
Mem.: 1925
Core voltage: 832
Mem. voltage:
VDDCI voltage: 800
Чистый
доход
доход
0.168$
Монета:
Kawpow
Mem. vendor: Elpida EDW4032BABG
Хешрейт: 13.69 MH/s
Wt (socket) 158
Core: 1060
Mem.: 1875
Core voltage: 837
Mem. voltage:
VDDCI voltage: 800
Чистый
доход
доход
0.16$
Монета:
Kawpow
Mem. vendor: Samsung K4G20325FS
Хешрейт: 13.47 MH/s
Wt (socket) 131
Core: 1016
Mem.: 1800
Core voltage: 745
Mem. voltage:
VDDCI voltage: 800
Чистый
доход
доход
0.158$
Монета:
ProgPowZ
Mem. vendor:
Хешрейт: 10 MH/s
Wt (socket)
Core:
Mem.:
Core voltage:
Mem. voltage:
VDDCI voltage:
Чистый
доход
доход
0.143$
Монета:
Verthash
Mem. vendor:
Хешрейт: 535 kH/s
Wt (socket)
Core:
Mem.:
Core voltage:
Mem. voltage:
VDDCI voltage:
Чистый
доход
доход
0.124$
Монета:
Autolykos
Mem. vendor: Samsung K4G80325FB
Хешрейт: 61.49 MH/s
Wt (socket) 98
Core: 1166
Mem.: 1875
Core voltage: 862
Mem. voltage:
VDDCI voltage: 800
Чистый
доход
доход
0.113$
Монета:
Autolykos
Mem. vendor: Samsung K4G41325FE
Хешрейт: 59.43 MH/s
Wt (socket) 98
Core: 1060
Mem.: 1725
Core voltage: 843
Mem. voltage:
VDDCI voltage: 800
Чистый
доход
доход
0.11$
Монета:
Kawpow
Mem. vendor:
Хешрейт: 10 MH/s
Wt (socket)
Core:
Mem.:
Core voltage:
Mem. voltage:
VDDCI voltage:
Чистый
доход
доход
0.109$
Монета:
Autolykos
Mem. vendor: Micron MT51J256M3
Хешрейт: 57.55 MH/s
Wt (socket) 91
Core: 1090
Mem.: 1763
Core voltage: 868
Mem. voltage:
VDDCI voltage: 800
Чистый
доход
доход
0.106$
Монета:
Autolykos
Mem. vendor: SK Hynix H5GC4H24AJR
Хешрейт: 57.55 MH/s
Wt (socket) 88
Core: 1084
Mem.: 1763
Core voltage: 825
Mem. voltage:
VDDCI voltage: 800
Чистый
доход
доход
0.106$
Монета:
Autolykos
Mem. vendor: Elpida EDW4032BABG
Хешрейт: 55.02 MH/s
Wt (socket) 92
Core: 1060
Mem.: 1725
Core voltage: 830
Mem. voltage:
VDDCI voltage: 800
Чистый
доход
доход
0.101$
Монета:
Autolykos
Mem. vendor: Samsung K4G80325FB
Хешрейт: 61.49 MH/s
Wt (socket) 98
Core: 1166
Mem.: 1875
Core voltage: 862
Mem. voltage:
VDDCI voltage: 800
Чистый
доход
доход
0.101$
Монета:
Autolykos
Mem. vendor: Samsung K4G20325FS
Хешрейт: 54.12 MH/s
Wt (socket) 77
Core: 1016
Mem.: 1650
Core voltage: 739
Mem. voltage:
VDDCI voltage: 800
Чистый
доход
доход
0.10$
Монета:
Autolykos
Mem. vendor: Samsung K4G41325FE
Хешрейт: 59.43 MH/s
Wt (socket) 98
Core: 1060
Mem.: 1725
Core voltage: 843
Mem. voltage:
VDDCI voltage: 800
Чистый
доход
доход
0.098$
Монета:
Autolykos
Mem. vendor: Micron MT51J256M3
Хешрейт: 57.55 MH/s
Wt (socket) 91
Core: 1090
Mem.: 1763
Core voltage: 868
Mem. voltage:
VDDCI voltage: 800
Чистый
доход
доход
0.095$
Монета:
Autolykos
Mem. vendor: SK Hynix H5GC4H24AJR
Хешрейт: 57.55 MH/s
Wt (socket) 88
Core: 1084
Mem.: 1763
Core voltage: 825
Mem. voltage:
VDDCI voltage: 800
Чистый
доход
доход
0.095$
Монета:
Autolykos
Mem. vendor: Elpida EDW4032BABG
Хешрейт: 55.02 MH/s
Wt (socket) 92
Core: 1060
Mem.: 1725
Core voltage: 830
Mem. voltage:
VDDCI voltage: 800
Чистый
доход
доход
0.091$
Монета:
Autolykos
Mem. vendor: Samsung K4G20325FS
Хешрейт: 54.12 MH/s
Wt (socket) 77
Core: 1016
Mem.: 1650
Core voltage: 739
Mem. voltage:
VDDCI voltage: 800
Чистый
доход
доход
0.089$
Монета:
Ethash
Mem. vendor: Samsung K4G80325FB
Хешрейт: 31.39 MH/s
Wt (socket) 126
Core: 1166
Mem.: 2075
Core voltage: 875
Mem. voltage:
VDDCI voltage: 800
Чистый
доход
доход
0.044$
Монета:
Etchash
Mem. vendor: Samsung K4G80325FB
Хешрейт: 31.39 MH/s
Wt (socket) 126
Core: 1166
Mem.: 2075
Core voltage: 875
Mem. voltage:
VDDCI voltage: 800
Чистый
доход
доход
0.043$
Монета:
Ethash
Mem. vendor: Samsung K4G41325FE
Хешрейт: 30.34 MH/s
Wt (socket) 126
Core: 1060
Mem.: 1900
Core voltage: 856
Mem. voltage:
VDDCI voltage: 800
Чистый
доход
доход
0.043$
Монета:
Etchash
Mem. vendor: Samsung K4G41325FE
Хешрейт: 30.34 MH/s
Wt (socket) 126
Core: 1060
Mem.: 1900
Core voltage: 856
Mem. voltage:
VDDCI voltage: 800
Чистый
доход
доход
0.042$
Монета:
Ethash
Mem. vendor: Micron MT51J256M3
Хешрейт: 29.38 MH/s
Wt (socket) 118
Core: 1090
Mem.: 1950
Core voltage: 881
Mem. voltage:
VDDCI voltage: 800
Чистый
доход
доход
0.041$
Монета:
Ethash
Mem. vendor: SK Hynix H5GC4H24AJR
Хешрейт: 29.38 MH/s
Wt (socket) 114
Core: 1084
Mem.: 1950
Core voltage: 838
Mem. voltage:
VDDCI voltage: 800
Чистый
доход
доход
0.041$
Монета:
Etchash
Mem. vendor: Micron MT51J256M3
Хешрейт: 29.38 MH/s
Wt (socket) 118
Core: 1090
Mem.: 1950
Core voltage: 881
Mem. voltage:
VDDCI voltage: 800
Чистый
доход
доход
0.04$
Монета:
Etchash
Mem. vendor: SK Hynix H5GC4H24AJR
Хешрейт: 29.38 MH/s
Wt (socket) 114
Core: 1084
Mem.: 1950
Core voltage: 838
Mem. voltage:
VDDCI voltage: 800
Чистый
доход
доход
0.04$
Монета:
Etchash
Heavyhash
Mem. vendor: Samsung K4G80325FB
Хешрейт: 29.2 MH/s 88.13 MH/s
Wt (socket) 176
Core: 1214
Mem.: 2050
Core voltage: 920
Mem. voltage:
VDDCI voltage: 800
Чистый
доход
доход
0.04$
Монета:
Ethash
Mem. vendor: Elpida EDW4032BABG
Хешрейт: 28.09 MH/s
Wt (socket) 119
Core: 1060
Mem.: 1900
Core voltage: 843
Mem. voltage:
VDDCI voltage: 800
Чистый
доход
доход
0.04$
Монета:
Ethash
Mem. vendor: Samsung K4G20325FS
Хешрейт: 27.63 MH/s
Wt (socket) 99
Core: 1016
Mem.: 1825
Core voltage: 750
Mem. voltage:
VDDCI voltage: 800
Чистый
доход
доход
0.039$
Монета:
Etchash
Heavyhash
Mem. vendor: Samsung K4G41325FE
Хешрейт: 28.23 MH/s 88.13 MH/s
Wt (socket) 176
Core: 1104
Mem.: 1875
Core voltage: 900
Mem. voltage:
VDDCI voltage: 800
Чистый
доход
доход
0.039$
Монета:
Etchash
Mem. vendor: Elpida EDW4032BABG
Хешрейт: 28.09 MH/s
Wt (socket) 119
Core: 1060
Mem.: 1900
Core voltage: 843
Mem. voltage:
VDDCI voltage: 800
Чистый
доход
доход
0.038$
Монета:
Etchash
Mem. vendor: Samsung K4G20325FS
Хешрейт: 27.63 MH/s
Wt (socket) 99
Core: 1016
Mem.: 1825
Core voltage: 750
Mem. voltage:
VDDCI voltage: 800
Чистый
доход
доход
0.038$
Монета:
Etchash
Heavyhash
Mem. vendor: Micron MT51J256M3
Хешрейт: 27.33 MH/s 88.13 MH/s
Wt (socket) 165
Core: 1135
Mem.: 1925
Core voltage: 926
Mem. voltage:
VDDCI voltage: 800
Чистый
доход
доход
0.038$
Монета:
Etchash
Heavyhash
Mem. vendor: SK Hynix H5GC4H24AJR
Хешрейт: 27.33 MH/s 88.13 MH/s
Wt (socket) 160
Core: 1129
Mem.: 1925
Core voltage: 881
Mem. voltage:
VDDCI voltage: 800
Чистый
доход
доход
0.038$
Монета:
Etchash
Heavyhash
Mem. vendor: Elpida EDW4032BABG
Хешрейт: 26.13 MH/s 88.13 MH/s
Wt (socket) 167
Core: 1104
Mem.: 1875
Core voltage: 886
Mem. voltage:
VDDCI voltage: 800
Чистый
доход
доход
0.036$
Монета:
Etchash
Heavyhash
Mem. vendor: Samsung K4G20325FS
Хешрейт: 25.71 MH/s 88.13 MH/s
Wt (socket) 139
Core: 1058
Mem.: 1800
Core voltage: 789
Mem. voltage:
VDDCI voltage: 800
Чистый
доход
доход
0.035$
Монета:
NexaPow
Mem. vendor: Micron MT51J256M3
Хешрейт: 13.4 MH/s
Wt (socket)
Core:
Mem.:
Core voltage:
Mem. voltage:
VDDCI voltage:
Чистый
доход
доход
0.034$
Монета:
NexaPow
Mem. vendor: SK Hynix H5GC4H24AJR
Хешрейт: 13.4 MH/s
Wt (socket)
Core:
Mem.:
Core voltage:
Mem. voltage:
VDDCI voltage:
Чистый
доход
доход
0.034$
Монета:
NexaPow
Mem. vendor: Samsung K4G41325FE
Хешрейт: 13.4 MH/s
Wt (socket)
Core:
Mem.:
Core voltage:
Mem. voltage:
VDDCI voltage:
Чистый
доход
доход
0.034$
Монета:
NexaPow
Mem. vendor: Elpida EDW4032BABG
Хешрейт: 13.4 MH/s
Wt (socket)
Core:
Mem.:
Core voltage:
Mem. voltage:
VDDCI voltage:
Чистый
доход
доход
0.034$
Монета:
NexaPow
Mem. vendor: Samsung K4G80325FB
Хешрейт: 13.4 MH/s
Wt (socket)
Core:
Mem.:
Core voltage:
Mem. voltage:
VDDCI voltage:
Чистый
доход
доход
0.034$
Монета:
NexaPow
Mem. vendor: Samsung K4G20325FS
Хешрейт: 13.4 MH/s
Wt (socket)
Core:
Mem.:
Core voltage:
Mem. voltage:
VDDCI voltage:
Чистый
доход
доход
0.034$
Монета:
Blake 3
Mem. vendor: Samsung K4G80325FB
Хешрейт: 0.527 GH/s
Wt (socket) 107
Core: 1229
Mem.: 601
Core voltage: 887
Mem. voltage:
VDDCI voltage: 800
Чистый
доход
доход
0.001$
Монета:
Blake 3
Mem. vendor: Samsung K4G41325FE
Хешрейт: 0.51 GH/s
Wt (socket) 107
Core: 1117
Mem.: 601
Core voltage: 868
Mem. voltage:
VDDCI voltage: 800
Чистый
доход
доход
0.001$
Монета:
Blake 3
Mem. vendor: SK Hynix H5GC4H24AJR
Хешрейт: 0.494 GH/s
Wt (socket) 97
Core: 1143
Mem.: 601
Core voltage: 850
Mem. voltage:
VDDCI voltage: 800
Чистый
доход
доход
0.001$
Монета:
Blake 3
Mem. vendor: Micron MT51J256M3
Хешрейт: 0.494 GH/s
Wt (socket) 100
Core: 1149
Mem.: 601
Core voltage: 893
Mem. voltage:
VDDCI voltage: 800
Чистый
доход
доход
0.001$
Монета:
Blake 3
Mem. vendor: Elpida EDW4032BABG
Хешрейт: 0.472 GH/s
Wt (socket) 101
Core: 1117
Mem.: 601
Core voltage: 856
Mem. voltage:
VDDCI voltage: 800
Чистый
доход
доход
0.001$
Монета:
Blake 3
Mem. vendor: Samsung K4G20325FS
Хешрейт: 0.464 GH/s
Wt (socket) 84
Core: 1071
Mem.: 601
Core voltage: 762
Mem. voltage:
VDDCI voltage: 800
Чистый
доход
доход
0.001$
Монета:
Heavyhash
Mem. vendor: Samsung K4G80325FB
Хешрейт: 148.60582278481013 MH/s
Wt (socket) 110
Core: 1229
Mem.: 601
Core voltage: 887
Mem. voltage:
VDDCI voltage: 800
Чистый
доход
доход
0$
Монета:
Heavyhash
Mem. vendor: Samsung K4G41325FE
Хешрейт: 143.63493670886075 MH/s
Wt (socket) 110
Core: 1117
Mem.: 601
Core voltage: 868
Mem. voltage:
VDDCI voltage: 800
Чистый
доход
доход
0$
Монета:
Heavyhash
Mem. vendor: Micron MT51J256M3
Хешрейт: 139.09012658227846 MH/s
Wt (socket) 103
Core: 1149
Mem.: 601
Core voltage: 893
Mem. voltage:
VDDCI voltage: 800
Чистый
доход
доход
0$
Монета:
Heavyhash
Mem. vendor: SK Hynix H5GC4H24AJR
Хешрейт: 139.09012658227846 MH/s
Wt (socket) 100
Core: 1143
Mem.: 601
Core voltage: 850
Mem. voltage:
VDDCI voltage: 800
Чистый
доход
доход
0$
Монета:
Heavyhash
Mem. vendor: Elpida EDW4032BABG
Хешрейт: 132.98303797468353 MH/s
Wt (socket) 104
Core: 1117
Mem.: 601
Core voltage: 855
Mem. voltage:
VDDCI voltage: 800
Чистый
доход
доход
0$
Монета:
Heavyhash
Mem. vendor: Samsung K4G20325FS
Хешрейт: 130.80531645569621 MH/s
Wt (socket) 87
Core: 1071
Mem.: 601
Core voltage: 761
Mem. voltage:
VDDCI voltage: 800
Чистый
доход
доход
0$
Производитель
AMD
Дата выхода
2016
Процессор
Ellesmere
Цена на старте
179.00$
Текущая цена
210.00$
TDP
120W
Тип памяти
GDDR5
Память
4GB
Шина памяти
256
Видеокарта AMD RX470 4 GB, характеристики, цена, хешрейт, разгон в майнинге
Дата выхода и цена
Видеокарта AMD RX470 была выпущена в 2016 году. Стоимость на момент выхода - 179.00 $. Текущая приблизительная стоимость - 210.00 $. Пожалуйста, обратите внимание на изменение стоимости по сравнению с годом выхода видеокарты, прежде чем принимать решение о покупке карты RX470.
Карта имеет 4 GB памяти, шина используемой памяти - 256.
Карта имеет 4 GB памяти, шина используемой памяти - 256.
Разгон в майнинге
На этой странице мы собрали базу разгонов для AMD RX470. Если у вас есть предложения по лучшему разгону или вы нашли ошибку, пожалуйста, напишете t.me/aus004
RX470 в майнинге
Лучше всего на данный момент видеокарта AMD RX470 майнит Clore, выдавая 15.3 MH/s. За день при суточной сложности вы заработаете 0.179 $, то есть при текущей цене карта отобьется за 1173 дней.
Потребление RX470
TDP видеокарты - 120 ватт, при этом в майнинге в среднем карта RX470 потребляет 167 ватт.
