AMD RX470 8 GB
Érme
Mem.
vendor
vendor
Hashráta
Wt (socket)
Core
Mem.
Core
voltage
voltage
Mem.
voltage
voltage
VDDCI
voltage
voltage
Nettó nyereség
Érme:
Kawpow
Mem. vendor: Samsung K4G80325FB
Hashráta: 15.3 MH/s
Wt (socket) 167
Core: 1166
Mem.: 2050
Core voltage: 869
Mem. voltage:
VDDCI voltage: 800
Nettó nyereség
0.283$
Érme:
Kawpow
Mem. vendor: Samsung K4G41325FE
Hashráta: 14.79 MH/s
Wt (socket) 167
Core: 1060
Mem.: 1875
Core voltage: 850
Mem. voltage:
VDDCI voltage: 800
Nettó nyereség
0.274$
Érme:
Kawpow
Mem. vendor: Micron MT51J256M3
Hashráta: 14.32 MH/s
Wt (socket) 156
Core: 1090
Mem.: 1925
Core voltage: 875
Mem. voltage:
VDDCI voltage: 800
Nettó nyereség
0.265$
Érme:
Kawpow
Mem. vendor: SK Hynix H5GC4H24AJR
Hashráta: 14.32 MH/s
Wt (socket) 151
Core: 1084
Mem.: 1925
Core voltage: 832
Mem. voltage:
VDDCI voltage: 800
Nettó nyereség
0.265$
Érme:
Kawpow
Mem. vendor: Samsung K4G80325FB
Hashráta: 15.3 MH/s
Wt (socket) 167
Core: 1166
Mem.: 2050
Core voltage: 869
Mem. voltage:
VDDCI voltage: 800
Nettó nyereség
0.262$
Érme:
Kawpow
Mem. vendor: Elpida EDW4032BABG
Hashráta: 13.69 MH/s
Wt (socket) 158
Core: 1060
Mem.: 1875
Core voltage: 837
Mem. voltage:
VDDCI voltage: 800
Nettó nyereség
0.253$
Érme:
Kawpow
Mem. vendor: Samsung K4G41325FE
Hashráta: 14.79 MH/s
Wt (socket) 167
Core: 1060
Mem.: 1875
Core voltage: 850
Mem. voltage:
VDDCI voltage: 800
Nettó nyereség
0.253$
Érme:
Kawpow
Mem. vendor: Samsung K4G80325FB
Hashráta: 15.3 MH/s
Wt (socket) 167
Core: 1166
Mem.: 2050
Core voltage: 869
Mem. voltage:
VDDCI voltage: 800
Nettó nyereség
0.251$
Érme:
Kawpow
Mem. vendor: Samsung K4G20325FS
Hashráta: 13.47 MH/s
Wt (socket) 131
Core: 1016
Mem.: 1800
Core voltage: 745
Mem. voltage:
VDDCI voltage: 800
Nettó nyereség
0.249$
Érme:
Kawpow
Mem. vendor: Micron MT51J256M3
Hashráta: 14.32 MH/s
Wt (socket) 156
Core: 1090
Mem.: 1925
Core voltage: 875
Mem. voltage:
VDDCI voltage: 800
Nettó nyereség
0.245$
Érme:
Kawpow
Mem. vendor: SK Hynix H5GC4H24AJR
Hashráta: 14.32 MH/s
Wt (socket) 151
Core: 1084
Mem.: 1925
Core voltage: 832
Mem. voltage:
VDDCI voltage: 800
Nettó nyereség
0.245$
Érme:
Kawpow
Mem. vendor: Samsung K4G41325FE
Hashráta: 14.79 MH/s
Wt (socket) 167
Core: 1060
Mem.: 1875
Core voltage: 850
Mem. voltage:
VDDCI voltage: 800
Nettó nyereség
0.243$
Érme:
FiroPow
Mem. vendor: Samsung K4G80325FB
Hashráta: 15.3 MH/s
Wt (socket) 163
Core: 1166
Mem.: 2050
Core voltage: 869
Mem. voltage:
VDDCI voltage: 800
Nettó nyereség
0.241$
Érme:
Kawpow
Mem. vendor: Micron MT51J256M3
Hashráta: 14.32 MH/s
Wt (socket) 156
Core: 1090
Mem.: 1925
Core voltage: 875
Mem. voltage:
VDDCI voltage: 800
Nettó nyereség
0.235$
Érme:
Kawpow
Mem. vendor: SK Hynix H5GC4H24AJR
Hashráta: 14.32 MH/s
Wt (socket) 151
Core: 1084
Mem.: 1925
Core voltage: 832
Mem. voltage:
VDDCI voltage: 800
Nettó nyereség
0.235$
Érme:
Kawpow
Mem. vendor: Elpida EDW4032BABG
Hashráta: 13.69 MH/s
Wt (socket) 158
Core: 1060
Mem.: 1875
Core voltage: 837
Mem. voltage:
VDDCI voltage: 800
Nettó nyereség
0.234$
Érme:
FiroPow
Mem. vendor: Samsung K4G41325FE
Hashráta: 14.79 MH/s
Wt (socket) 163
Core: 1060
Mem.: 1875
Core voltage: 850
Mem. voltage:
VDDCI voltage: 800
Nettó nyereség
0.233$
Érme:
Kawpow
Mem. vendor: Samsung K4G20325FS
Hashráta: 13.47 MH/s
Wt (socket) 131
Core: 1016
Mem.: 1800
Core voltage: 745
Mem. voltage:
VDDCI voltage: 800
Nettó nyereség
0.23$
Érme:
FiroPow
Mem. vendor: SK Hynix H5GC4H24AJR
Hashráta: 14.32 MH/s
Wt (socket) 147
Core: 1084
Mem.: 1925
Core voltage: 832
Mem. voltage:
VDDCI voltage: 800
Nettó nyereség
0.225$
Érme:
FiroPow
Mem. vendor: Micron MT51J256M3
Hashráta: 14.32 MH/s
Wt (socket) 152
Core: 1090
Mem.: 1925
Core voltage: 875
Mem. voltage:
VDDCI voltage: 800
Nettó nyereség
0.225$
Érme:
Kawpow
Mem. vendor: Elpida EDW4032BABG
Hashráta: 13.69 MH/s
Wt (socket) 158
Core: 1060
Mem.: 1875
Core voltage: 837
Mem. voltage:
VDDCI voltage: 800
Nettó nyereség
0.225$
Érme:
Kawpow
Mem. vendor: Samsung K4G20325FS
Hashráta: 13.47 MH/s
Wt (socket) 131
Core: 1016
Mem.: 1800
Core voltage: 745
Mem. voltage:
VDDCI voltage: 800
Nettó nyereség
0.221$
Érme:
FiroPow
Mem. vendor: Elpida EDW4032BABG
Hashráta: 13.69 MH/s
Wt (socket) 154
Core: 1060
Mem.: 1875
Core voltage: 837
Mem. voltage:
VDDCI voltage: 800
Nettó nyereség
0.215$
Érme:
FiroPow
Mem. vendor: Samsung K4G20325FS
Hashráta: 13.47 MH/s
Wt (socket) 127
Core: 1016
Mem.: 1800
Core voltage: 745
Mem. voltage:
VDDCI voltage: 800
Nettó nyereség
0.212$
Érme:
Verthash
Mem. vendor:
Hashráta: 535 kH/s
Wt (socket)
Core:
Mem.:
Core voltage:
Mem. voltage:
VDDCI voltage:
Nettó nyereség
0.203$
Érme:
Kawpow
Mem. vendor:
Hashráta: 10 MH/s
Wt (socket)
Core:
Mem.:
Core voltage:
Mem. voltage:
VDDCI voltage:
Nettó nyereség
0.177$
Érme:
Autolykos
Mem. vendor: Samsung K4G80325FB
Hashráta: 61.49 MH/s
Wt (socket) 98
Core: 1166
Mem.: 1875
Core voltage: 862
Mem. voltage:
VDDCI voltage: 800
Nettó nyereség
0.126$
Érme:
Autolykos
Mem. vendor: Samsung K4G41325FE
Hashráta: 59.43 MH/s
Wt (socket) 98
Core: 1060
Mem.: 1725
Core voltage: 843
Mem. voltage:
VDDCI voltage: 800
Nettó nyereség
0.122$
Érme:
Autolykos
Mem. vendor: Micron MT51J256M3
Hashráta: 57.55 MH/s
Wt (socket) 91
Core: 1090
Mem.: 1763
Core voltage: 868
Mem. voltage:
VDDCI voltage: 800
Nettó nyereség
0.118$
Érme:
Autolykos
Mem. vendor: SK Hynix H5GC4H24AJR
Hashráta: 57.55 MH/s
Wt (socket) 88
Core: 1084
Mem.: 1763
Core voltage: 825
Mem. voltage:
VDDCI voltage: 800
Nettó nyereség
0.118$
Érme:
Autolykos
Mem. vendor: Elpida EDW4032BABG
Hashráta: 55.02 MH/s
Wt (socket) 92
Core: 1060
Mem.: 1725
Core voltage: 830
Mem. voltage:
VDDCI voltage: 800
Nettó nyereség
0.113$
Érme:
Autolykos
Mem. vendor: Samsung K4G20325FS
Hashráta: 54.12 MH/s
Wt (socket) 77
Core: 1016
Mem.: 1650
Core voltage: 739
Mem. voltage:
VDDCI voltage: 800
Nettó nyereség
0.111$
Érme:
Ethash
Mem. vendor: Samsung K4G80325FB
Hashráta: 31.39 MH/s
Wt (socket) 126
Core: 1166
Mem.: 2075
Core voltage: 875
Mem. voltage:
VDDCI voltage: 800
Nettó nyereség
0.103$
Érme:
Ethash
Mem. vendor: Samsung K4G41325FE
Hashráta: 30.34 MH/s
Wt (socket) 126
Core: 1060
Mem.: 1900
Core voltage: 856
Mem. voltage:
VDDCI voltage: 800
Nettó nyereség
0.099$
Érme:
Ethash
Mem. vendor: Micron MT51J256M3
Hashráta: 29.38 MH/s
Wt (socket) 118
Core: 1090
Mem.: 1950
Core voltage: 881
Mem. voltage:
VDDCI voltage: 800
Nettó nyereség
0.096$
Érme:
Ethash
Mem. vendor: SK Hynix H5GC4H24AJR
Hashráta: 29.38 MH/s
Wt (socket) 114
Core: 1084
Mem.: 1950
Core voltage: 838
Mem. voltage:
VDDCI voltage: 800
Nettó nyereség
0.096$
Érme:
Ethash
Mem. vendor: Samsung K4G80325FB
Hashráta: 31.39 MH/s
Wt (socket) 126
Core: 1166
Mem.: 2075
Core voltage: 875
Mem. voltage:
VDDCI voltage: 800
Nettó nyereség
0.092$
Érme:
Ethash
Mem. vendor: Elpida EDW4032BABG
Hashráta: 28.09 MH/s
Wt (socket) 119
Core: 1060
Mem.: 1900
Core voltage: 843
Mem. voltage:
VDDCI voltage: 800
Nettó nyereség
0.092$
Érme:
Ethash
Mem. vendor: Samsung K4G20325FS
Hashráta: 27.63 MH/s
Wt (socket) 99
Core: 1016
Mem.: 1825
Core voltage: 750
Mem. voltage:
VDDCI voltage: 800
Nettó nyereség
0.09$
Érme:
Ethash
Mem. vendor: Samsung K4G41325FE
Hashráta: 30.34 MH/s
Wt (socket) 126
Core: 1060
Mem.: 1900
Core voltage: 856
Mem. voltage:
VDDCI voltage: 800
Nettó nyereség
0.089$
Érme:
Ethash
Mem. vendor: Micron MT51J256M3
Hashráta: 29.38 MH/s
Wt (socket) 118
Core: 1090
Mem.: 1950
Core voltage: 881
Mem. voltage:
VDDCI voltage: 800
Nettó nyereség
0.086$
Érme:
Ethash
Mem. vendor: SK Hynix H5GC4H24AJR
Hashráta: 29.38 MH/s
Wt (socket) 114
Core: 1084
Mem.: 1950
Core voltage: 838
Mem. voltage:
VDDCI voltage: 800
Nettó nyereség
0.086$
Érme:
Ethash
Heavyhash
Mem. vendor: Samsung K4G80325FB
Hashráta: 29.2 MH/s 88.13 MH/s
Wt (socket) 176
Core: 1214
Mem.: 2050
Core voltage: 920
Mem. voltage:
VDDCI voltage: 800
Nettó nyereség
0.086$
Érme:
Ethash
Heavyhash
Mem. vendor: Samsung K4G41325FE
Hashráta: 28.23 MH/s 88.13 MH/s
Wt (socket) 176
Core: 1104
Mem.: 1875
Core voltage: 900
Mem. voltage:
VDDCI voltage: 800
Nettó nyereség
0.083$
Érme:
Cuckoo (AE)
Mem. vendor:
Hashráta: 1.8 Gp/s
Wt (socket)
Core:
Mem.:
Core voltage:
Mem. voltage:
VDDCI voltage:
Nettó nyereség
0.083$
Érme:
Ethash
Mem. vendor: Elpida EDW4032BABG
Hashráta: 28.09 MH/s
Wt (socket) 119
Core: 1060
Mem.: 1900
Core voltage: 843
Mem. voltage:
VDDCI voltage: 800
Nettó nyereség
0.082$
Érme:
Ethash
Mem. vendor: Samsung K4G20325FS
Hashráta: 27.63 MH/s
Wt (socket) 99
Core: 1016
Mem.: 1825
Core voltage: 750
Mem. voltage:
VDDCI voltage: 800
Nettó nyereség
0.081$
Érme:
Ethash
Heavyhash
Mem. vendor: Micron MT51J256M3
Hashráta: 27.33 MH/s 88.13 MH/s
Wt (socket) 165
Core: 1135
Mem.: 1925
Core voltage: 926
Mem. voltage:
VDDCI voltage: 800
Nettó nyereség
0.08$
Érme:
Ethash
Heavyhash
Mem. vendor: SK Hynix H5GC4H24AJR
Hashráta: 27.33 MH/s 88.13 MH/s
Wt (socket) 160
Core: 1129
Mem.: 1925
Core voltage: 881
Mem. voltage:
VDDCI voltage: 800
Nettó nyereség
0.08$
Érme:
Etchash
Mem. vendor: Samsung K4G80325FB
Hashráta: 31.39 MH/s
Wt (socket) 126
Core: 1166
Mem.: 2075
Core voltage: 875
Mem. voltage:
VDDCI voltage: 800
Nettó nyereség
0.08$
Érme:
Etchash
Mem. vendor: Samsung K4G41325FE
Hashráta: 30.34 MH/s
Wt (socket) 126
Core: 1060
Mem.: 1900
Core voltage: 856
Mem. voltage:
VDDCI voltage: 800
Nettó nyereség
0.077$
Érme:
Ethash
Heavyhash
Mem. vendor: Elpida EDW4032BABG
Hashráta: 26.13 MH/s 88.13 MH/s
Wt (socket) 167
Core: 1104
Mem.: 1875
Core voltage: 886
Mem. voltage:
VDDCI voltage: 800
Nettó nyereség
0.077$
Érme:
Blake 3
Mem. vendor: Samsung K4G80325FB
Hashráta: 0.527 GH/s
Wt (socket) 107
Core: 1229
Mem.: 601
Core voltage: 887
Mem. voltage:
VDDCI voltage: 800
Nettó nyereség
0.077$
Érme:
Ethash
Heavyhash
Mem. vendor: Samsung K4G20325FS
Hashráta: 25.71 MH/s 88.13 MH/s
Wt (socket) 139
Core: 1058
Mem.: 1800
Core voltage: 789
Mem. voltage:
VDDCI voltage: 800
Nettó nyereség
0.076$
Érme:
Etchash
Heavyhash
Mem. vendor: Samsung K4G80325FB
Hashráta: 29.2 MH/s 88.13 MH/s
Wt (socket) 176
Core: 1214
Mem.: 2050
Core voltage: 920
Mem. voltage:
VDDCI voltage: 800
Nettó nyereség
0.075$
Érme:
Etchash
Mem. vendor: Micron MT51J256M3
Hashráta: 29.38 MH/s
Wt (socket) 118
Core: 1090
Mem.: 1950
Core voltage: 881
Mem. voltage:
VDDCI voltage: 800
Nettó nyereség
0.075$
Érme:
Etchash
Mem. vendor: SK Hynix H5GC4H24AJR
Hashráta: 29.38 MH/s
Wt (socket) 114
Core: 1084
Mem.: 1950
Core voltage: 838
Mem. voltage:
VDDCI voltage: 800
Nettó nyereség
0.075$
Érme:
Blake 3
Mem. vendor: Samsung K4G41325FE
Hashráta: 0.51 GH/s
Wt (socket) 107
Core: 1117
Mem.: 601
Core voltage: 868
Mem. voltage:
VDDCI voltage: 800
Nettó nyereség
0.074$
Érme:
Etchash
Heavyhash
Mem. vendor: Samsung K4G41325FE
Hashráta: 28.23 MH/s 88.13 MH/s
Wt (socket) 176
Core: 1104
Mem.: 1875
Core voltage: 900
Mem. voltage:
VDDCI voltage: 800
Nettó nyereség
0.072$
Érme:
Blake 3
Mem. vendor: SK Hynix H5GC4H24AJR
Hashráta: 0.494 GH/s
Wt (socket) 97
Core: 1143
Mem.: 601
Core voltage: 850
Mem. voltage:
VDDCI voltage: 800
Nettó nyereség
0.072$
Érme:
Blake 3
Mem. vendor: Micron MT51J256M3
Hashráta: 0.494 GH/s
Wt (socket) 100
Core: 1149
Mem.: 601
Core voltage: 893
Mem. voltage:
VDDCI voltage: 800
Nettó nyereség
0.072$
Érme:
Etchash
Mem. vendor: Elpida EDW4032BABG
Hashráta: 28.09 MH/s
Wt (socket) 119
Core: 1060
Mem.: 1900
Core voltage: 843
Mem. voltage:
VDDCI voltage: 800
Nettó nyereség
0.071$
Érme:
Etchash
Mem. vendor: Samsung K4G20325FS
Hashráta: 27.63 MH/s
Wt (socket) 99
Core: 1016
Mem.: 1825
Core voltage: 750
Mem. voltage:
VDDCI voltage: 800
Nettó nyereség
0.07$
Érme:
Etchash
Heavyhash
Mem. vendor: Micron MT51J256M3
Hashráta: 27.33 MH/s 88.13 MH/s
Wt (socket) 165
Core: 1135
Mem.: 1925
Core voltage: 926
Mem. voltage:
VDDCI voltage: 800
Nettó nyereség
0.07$
Érme:
Etchash
Heavyhash
Mem. vendor: SK Hynix H5GC4H24AJR
Hashráta: 27.33 MH/s 88.13 MH/s
Wt (socket) 160
Core: 1129
Mem.: 1925
Core voltage: 881
Mem. voltage:
VDDCI voltage: 800
Nettó nyereség
0.07$
Érme:
Blake 3
Mem. vendor: Elpida EDW4032BABG
Hashráta: 0.472 GH/s
Wt (socket) 101
Core: 1117
Mem.: 601
Core voltage: 856
Mem. voltage:
VDDCI voltage: 800
Nettó nyereség
0.069$
Érme:
Blake 3
Mem. vendor: Samsung K4G20325FS
Hashráta: 0.464 GH/s
Wt (socket) 84
Core: 1071
Mem.: 601
Core voltage: 762
Mem. voltage:
VDDCI voltage: 800
Nettó nyereség
0.067$
Érme:
Etchash
Heavyhash
Mem. vendor: Elpida EDW4032BABG
Hashráta: 26.13 MH/s 88.13 MH/s
Wt (socket) 167
Core: 1104
Mem.: 1875
Core voltage: 886
Mem. voltage:
VDDCI voltage: 800
Nettó nyereség
0.067$
Érme:
Etchash
Heavyhash
Mem. vendor: Samsung K4G20325FS
Hashráta: 25.71 MH/s 88.13 MH/s
Wt (socket) 139
Core: 1058
Mem.: 1800
Core voltage: 789
Mem. voltage:
VDDCI voltage: 800
Nettó nyereség
0.066$
Érme:
NexaPow
Mem. vendor: Micron MT51J256M3
Hashráta: 13.4 MH/s
Wt (socket)
Core:
Mem.:
Core voltage:
Mem. voltage:
VDDCI voltage:
Nettó nyereség
0.062$
Érme:
NexaPow
Mem. vendor: SK Hynix H5GC4H24AJR
Hashráta: 13.4 MH/s
Wt (socket)
Core:
Mem.:
Core voltage:
Mem. voltage:
VDDCI voltage:
Nettó nyereség
0.062$
Érme:
NexaPow
Mem. vendor: Samsung K4G41325FE
Hashráta: 13.4 MH/s
Wt (socket)
Core:
Mem.:
Core voltage:
Mem. voltage:
VDDCI voltage:
Nettó nyereség
0.062$
Érme:
NexaPow
Mem. vendor: Elpida EDW4032BABG
Hashráta: 13.4 MH/s
Wt (socket)
Core:
Mem.:
Core voltage:
Mem. voltage:
VDDCI voltage:
Nettó nyereség
0.062$
Érme:
NexaPow
Mem. vendor: Samsung K4G80325FB
Hashráta: 13.4 MH/s
Wt (socket)
Core:
Mem.:
Core voltage:
Mem. voltage:
VDDCI voltage:
Nettó nyereség
0.062$
Érme:
NexaPow
Mem. vendor: Samsung K4G20325FS
Hashráta: 13.4 MH/s
Wt (socket)
Core:
Mem.:
Core voltage:
Mem. voltage:
VDDCI voltage:
Nettó nyereség
0.062$
Érme:
Karlsen
Mem. vendor:
Hashráta: 210 MH/s
Wt (socket)
Core:
Mem.:
Core voltage:
Mem. voltage:
VDDCI voltage:
Nettó nyereség
0.061$
Érme:
Pyrin
Mem. vendor:
Hashráta: 550 MH/s
Wt (socket)
Core:
Mem.:
Core voltage:
Mem. voltage:
VDDCI voltage:
Nettó nyereség
0.042$
Érme:
Heavyhash
Mem. vendor: Samsung K4G80325FB
Hashráta: 148.60582278481013 MH/s
Wt (socket) 110
Core: 1229
Mem.: 601
Core voltage: 887
Mem. voltage:
VDDCI voltage: 800
Nettó nyereség
0.001$
Érme:
Heavyhash
Mem. vendor: Samsung K4G41325FE
Hashráta: 143.63493670886075 MH/s
Wt (socket) 110
Core: 1117
Mem.: 601
Core voltage: 868
Mem. voltage:
VDDCI voltage: 800
Nettó nyereség
0.001$
Érme:
Heavyhash
Mem. vendor: Micron MT51J256M3
Hashráta: 139.09012658227846 MH/s
Wt (socket) 103
Core: 1149
Mem.: 601
Core voltage: 893
Mem. voltage:
VDDCI voltage: 800
Nettó nyereség
0.001$
Érme:
Heavyhash
Mem. vendor: SK Hynix H5GC4H24AJR
Hashráta: 139.09012658227846 MH/s
Wt (socket) 100
Core: 1143
Mem.: 601
Core voltage: 850
Mem. voltage:
VDDCI voltage: 800
Nettó nyereség
0.001$
Érme:
Heavyhash
Mem. vendor: Elpida EDW4032BABG
Hashráta: 132.98303797468353 MH/s
Wt (socket) 104
Core: 1117
Mem.: 601
Core voltage: 855
Mem. voltage:
VDDCI voltage: 800
Nettó nyereség
0.001$
Érme:
Heavyhash
Mem. vendor: Samsung K4G20325FS
Hashráta: 130.80531645569621 MH/s
Wt (socket) 87
Core: 1071
Mem.: 601
Core voltage: 761
Mem. voltage:
VDDCI voltage: 800
Nettó nyereség
0.001$
Gyártó
AMD
Kiadási dátum
2016
Processzor
Ellesmere
Indítási ár
0.00$
Jelenlegi ár
320.00$
TDP
120W
Memória típusa
GDDR5
Memória
8GB
Busz szélessége
256
AMD RX470 8 GB videokártya hashrate
Megjelenés dátuma és ára
AMD RX470 videokártya jelent meg itt: 2016. Indítási ár - 0.00 $. Jelenlegi hozzávetőleges ár - 320.00 $. Kérjük, figyeljen az árváltozásra a videokártya megjelenésének évéhez képest, mielőtt eldöntené, hogy AMD RX470 kártyát vesz -e.
RX470 in mining
A legjobb érme az enyém a RX470 videokártyával - Clore, 15.3 MH/s hashrate. A jelenlegi napi nehézségek mellett 0.283 $, tehát RX470 ROI 1130 napot fog keresni.
RX470 fogyasztás
RX470 A TDP 120 watt, míg a bányászatban átlagosan 167 wattot fogyaszt.
