AMD RX570 8 GB
Érme
Mem.
vendor
vendor
Hashráta
Wt (socket)
Core
Mem.
Core
voltage
voltage
Mem.
voltage
voltage
VDDCI
voltage
voltage
Nettó nyereség
Érme:
Kawpow
Mem. vendor: SK Hynix H5GC8H24AJR
Hashráta: 14.76 MH/s
Wt (socket) 200
Core: 1200
Mem.: 2150
Core voltage: 904
Mem. voltage:
VDDCI voltage: 800
Nettó nyereség
0.237$
Érme:
Kawpow
Mem. vendor: SK Hynix H5GC8H24AJR
Hashráta: 14.76 MH/s
Wt (socket) 200
Core: 1200
Mem.: 2150
Core voltage: 904
Mem. voltage:
VDDCI voltage: 800
Nettó nyereség
0.235$
Érme:
Kawpow
Mem. vendor: Samsung K4G80325FC
Hashráta: 14.53 MH/s
Wt (socket) 176
Core: 1200
Mem.: 2100
Core voltage: 876
Mem. voltage:
VDDCI voltage: 800
Nettó nyereség
0.233$
Érme:
Kawpow
Mem. vendor: SK Hynix H5GC8H24AJR
Hashráta: 14.76 MH/s
Wt (socket) 200
Core: 1200
Mem.: 2150
Core voltage: 904
Mem. voltage:
VDDCI voltage: 800
Nettó nyereség
0.233$
Érme:
Kawpow
Mem. vendor: Micron MT51J256M32
Hashráta: 14.45 MH/s
Wt (socket) 180
Core: 1180
Mem.: 2100
Core voltage: 837
Mem. voltage:
VDDCI voltage: 800
Nettó nyereség
0.232$
Érme:
Kawpow
Mem. vendor: Samsung K4G80325FC
Hashráta: 14.53 MH/s
Wt (socket) 176
Core: 1200
Mem.: 2100
Core voltage: 876
Mem. voltage:
VDDCI voltage: 800
Nettó nyereség
0.231$
Érme:
Kawpow
Mem. vendor: Micron MT51J256M32
Hashráta: 14.45 MH/s
Wt (socket) 180
Core: 1180
Mem.: 2100
Core voltage: 837
Mem. voltage:
VDDCI voltage: 800
Nettó nyereség
0.23$
Érme:
Kawpow
Mem. vendor: Samsung K4G80325FC
Hashráta: 14.53 MH/s
Wt (socket) 176
Core: 1200
Mem.: 2100
Core voltage: 876
Mem. voltage:
VDDCI voltage: 800
Nettó nyereség
0.229$
Érme:
Kawpow
Mem. vendor: SK Hynix H5GC4H24AJR
Hashráta: 14.23 MH/s
Wt (socket) 196
Core: 1156
Mem.: 2050
Core voltage: 844
Mem. voltage:
VDDCI voltage: 800
Nettó nyereség
0.229$
Érme:
Kawpow
Mem. vendor: Micron MT51J256M32
Hashráta: 14.45 MH/s
Wt (socket) 180
Core: 1180
Mem.: 2100
Core voltage: 837
Mem. voltage:
VDDCI voltage: 800
Nettó nyereség
0.228$
Érme:
Kawpow
Mem. vendor: SK Hynix H5GC4H24AJR
Hashráta: 14.23 MH/s
Wt (socket) 196
Core: 1156
Mem.: 2050
Core voltage: 844
Mem. voltage:
VDDCI voltage: 800
Nettó nyereség
0.226$
Érme:
Kawpow
Mem. vendor: Micron MT51J256M3
Hashráta: 14 MH/s
Wt (socket) 186
Core: 1150
Mem.: 2013
Core voltage: 812
Mem. voltage:
VDDCI voltage: 800
Nettó nyereség
0.225$
Érme:
Kawpow
Mem. vendor: SK Hynix H5GC4H24AJR
Hashráta: 14.23 MH/s
Wt (socket) 196
Core: 1156
Mem.: 2050
Core voltage: 844
Mem. voltage:
VDDCI voltage: 800
Nettó nyereség
0.225$
Érme:
Kawpow
Mem. vendor: Samsung K4G80325FB
Hashráta: 13.89 MH/s
Wt (socket) 155
Core: 1135
Mem.: 2025
Core voltage: 844
Mem. voltage:
VDDCI voltage: 800
Nettó nyereség
0.223$
Érme:
Kawpow
Mem. vendor: Micron MT51J256M3
Hashráta: 14 MH/s
Wt (socket) 186
Core: 1150
Mem.: 2013
Core voltage: 812
Mem. voltage:
VDDCI voltage: 800
Nettó nyereség
0.223$
Érme:
Kawpow
Mem. vendor: Micron MT51J256M3
Hashráta: 14 MH/s
Wt (socket) 186
Core: 1150
Mem.: 2013
Core voltage: 812
Mem. voltage:
VDDCI voltage: 800
Nettó nyereség
0.221$
Érme:
Kawpow
Mem. vendor: Samsung K4G80325FB
Hashráta: 13.89 MH/s
Wt (socket) 155
Core: 1135
Mem.: 2025
Core voltage: 844
Mem. voltage:
VDDCI voltage: 800
Nettó nyereség
0.221$
Érme:
Kawpow
Mem. vendor: Samsung K4G80325FB
Hashráta: 13.89 MH/s
Wt (socket) 155
Core: 1135
Mem.: 2025
Core voltage: 844
Mem. voltage:
VDDCI voltage: 800
Nettó nyereség
0.219$
Érme:
Kawpow
Mem. vendor: SK Hynix H5GQ8H24MJR
Hashráta: 13.34 MH/s
Wt (socket) 125
Core: 1076
Mem.: 1925
Core voltage: 794
Mem. voltage:
VDDCI voltage: 800
Nettó nyereség
0.214$
Érme:
ProgPowZ
Mem. vendor:
Hashráta: 13 MH/s
Wt (socket)
Core:
Mem.:
Core voltage:
Mem. voltage:
VDDCI voltage:
Nettó nyereség
0.214$
Érme:
Kawpow
Mem. vendor: SK Hynix H5GQ8H24MJR
Hashráta: 13.34 MH/s
Wt (socket) 125
Core: 1076
Mem.: 1925
Core voltage: 794
Mem. voltage:
VDDCI voltage: 800
Nettó nyereség
0.212$
Érme:
Kawpow
Mem. vendor: SK Hynix H5GQ8H24MJR
Hashráta: 13.34 MH/s
Wt (socket) 125
Core: 1076
Mem.: 1925
Core voltage: 794
Mem. voltage:
VDDCI voltage: 800
Nettó nyereség
0.211$
Érme:
Kawpow
Mem. vendor: Samsung K4G41325FE
Hashráta: 12.99 MH/s
Wt (socket) 97
Core: 1050
Mem.: 1950
Core voltage: 775
Mem. voltage:
VDDCI voltage: 750
Nettó nyereség
0.209$
Érme:
Kawpow
Mem. vendor: Samsung K4G41325FE
Hashráta: 12.99 MH/s
Wt (socket) 97
Core: 1050
Mem.: 1950
Core voltage: 775
Mem. voltage:
VDDCI voltage: 750
Nettó nyereség
0.207$
Érme:
Kawpow
Mem. vendor: Samsung K4G41325FE
Hashráta: 12.99 MH/s
Wt (socket) 97
Core: 1050
Mem.: 1950
Core voltage: 775
Mem. voltage:
VDDCI voltage: 750
Nettó nyereség
0.205$
Érme:
FiroPow
Mem. vendor: SK Hynix H5GC8H24AJR
Hashráta: 14.76 MH/s
Wt (socket) 196
Core: 1200
Mem.: 2150
Core voltage: 904
Mem. voltage:
VDDCI voltage: 800
Nettó nyereség
0.199$
Érme:
FiroPow
Mem. vendor: Samsung K4G80325FC
Hashráta: 14.53 MH/s
Wt (socket) 172
Core: 1200
Mem.: 2100
Core voltage: 876
Mem. voltage:
VDDCI voltage: 800
Nettó nyereség
0.196$
Érme:
FiroPow
Mem. vendor: Micron MT51J256M32
Hashráta: 14.45 MH/s
Wt (socket) 176
Core: 1180
Mem.: 2100
Core voltage: 837
Mem. voltage:
VDDCI voltage: 800
Nettó nyereség
0.195$
Érme:
FiroPow
Mem. vendor: SK Hynix H5GC4H24AJR
Hashráta: 14.23 MH/s
Wt (socket) 192
Core: 1156
Mem.: 2050
Core voltage: 844
Mem. voltage:
VDDCI voltage: 800
Nettó nyereség
0.192$
Érme:
FiroPow
Mem. vendor: Micron MT51J256M3
Hashráta: 14 MH/s
Wt (socket) 182
Core: 1150
Mem.: 2013
Core voltage: 812
Mem. voltage:
VDDCI voltage: 800
Nettó nyereség
0.189$
Érme:
FiroPow
Mem. vendor: Samsung K4G80325FB
Hashráta: 13.89 MH/s
Wt (socket) 151
Core: 1135
Mem.: 2025
Core voltage: 844
Mem. voltage:
VDDCI voltage: 800
Nettó nyereség
0.187$
Érme:
FiroPow
Mem. vendor: SK Hynix H5GQ8H24MJR
Hashráta: 13.34 MH/s
Wt (socket) 121
Core: 1076
Mem.: 1925
Core voltage: 794
Mem. voltage:
VDDCI voltage: 800
Nettó nyereség
0.18$
Érme:
Kawpow
Mem. vendor:
Hashráta: 13 MH/s
Wt (socket)
Core:
Mem.:
Core voltage:
Mem. voltage:
VDDCI voltage:
Nettó nyereség
0.179$
Érme:
FiroPow
Mem. vendor: Samsung K4G41325FE
Hashráta: 12.99 MH/s
Wt (socket) 94
Core: 1050
Mem.: 1950
Core voltage: 775
Mem. voltage:
VDDCI voltage: 750
Nettó nyereség
0.175$
Érme:
Autolykos
Mem. vendor: SK Hynix H5GC8H24AJR
Hashráta: 59.33 MH/s
Wt (socket) 117
Core: 1200
Mem.: 1963
Core voltage: 896
Mem. voltage:
VDDCI voltage: 800
Nettó nyereség
0.154$
Érme:
Autolykos
Mem. vendor: Samsung K4G80325FC
Hashráta: 58.39 MH/s
Wt (socket) 103
Core: 1200
Mem.: 1920
Core voltage: 869
Mem. voltage:
VDDCI voltage: 800
Nettó nyereség
0.152$
Érme:
Autolykos
Mem. vendor: Micron MT51J256M32
Hashráta: 58.1 MH/s
Wt (socket) 105
Core: 1180
Mem.: 1925
Core voltage: 830
Mem. voltage:
VDDCI voltage: 800
Nettó nyereség
0.151$
Érme:
Autolykos
Mem. vendor: SK Hynix H5GC4H24AJR
Hashráta: 57.2 MH/s
Wt (socket) 115
Core: 1156
Mem.: 1875
Core voltage: 837
Mem. voltage:
VDDCI voltage: 800
Nettó nyereség
0.148$
Érme:
Autolykos
Mem. vendor: Micron MT51J256M3
Hashráta: 56.26 MH/s
Wt (socket) 109
Core: 1150
Mem.: 1850
Core voltage: 806
Mem. voltage:
VDDCI voltage: 800
Nettó nyereség
0.146$
Érme:
Autolykos
Mem. vendor: Samsung K4G80325FB
Hashráta: 55.82 MH/s
Wt (socket) 91
Core: 1135
Mem.: 1852
Core voltage: 837
Mem. voltage:
VDDCI voltage: 800
Nettó nyereség
0.145$
Érme:
Autolykos
Mem. vendor: SK Hynix H5GQ8H24MJR
Hashráta: 53.61 MH/s
Wt (socket) 73
Core: 1076
Mem.: 1762
Core voltage: 788
Mem. voltage:
VDDCI voltage: 800
Nettó nyereség
0.139$
Érme:
Autolykos
Mem. vendor: Samsung K4G41325FE
Hashráta: 52.23 MH/s
Wt (socket) 57
Core: 1050
Mem.: 1788
Core voltage: 768
Mem. voltage:
VDDCI voltage: 750
Nettó nyereség
0.136$
Érme:
Autolykos
Mem. vendor: SK Hynix H5GC8H24AJR
Hashráta: 59.33 MH/s
Wt (socket) 117
Core: 1200
Mem.: 1963
Core voltage: 896
Mem. voltage:
VDDCI voltage: 800
Nettó nyereség
0.124$
Érme:
Autolykos
Mem. vendor: Samsung K4G80325FC
Hashráta: 58.39 MH/s
Wt (socket) 103
Core: 1200
Mem.: 1920
Core voltage: 869
Mem. voltage:
VDDCI voltage: 800
Nettó nyereség
0.122$
Érme:
Autolykos
Mem. vendor: Micron MT51J256M32
Hashráta: 58.1 MH/s
Wt (socket) 105
Core: 1180
Mem.: 1925
Core voltage: 830
Mem. voltage:
VDDCI voltage: 800
Nettó nyereség
0.122$
Érme:
Autolykos
Mem. vendor: SK Hynix H5GC4H24AJR
Hashráta: 57.2 MH/s
Wt (socket) 115
Core: 1156
Mem.: 1875
Core voltage: 837
Mem. voltage:
VDDCI voltage: 800
Nettó nyereség
0.12$
Érme:
Autolykos
Mem. vendor: Micron MT51J256M3
Hashráta: 56.26 MH/s
Wt (socket) 109
Core: 1150
Mem.: 1850
Core voltage: 806
Mem. voltage:
VDDCI voltage: 800
Nettó nyereség
0.118$
Érme:
Verthash
Mem. vendor:
Hashráta: 535 kH/s
Wt (socket)
Core:
Mem.:
Core voltage:
Mem. voltage:
VDDCI voltage:
Nettó nyereség
0.117$
Érme:
Autolykos
Mem. vendor: Samsung K4G80325FB
Hashráta: 55.82 MH/s
Wt (socket) 91
Core: 1135
Mem.: 1852
Core voltage: 837
Mem. voltage:
VDDCI voltage: 800
Nettó nyereség
0.117$
Érme:
Autolykos
Mem. vendor: SK Hynix H5GQ8H24MJR
Hashráta: 53.61 MH/s
Wt (socket) 73
Core: 1076
Mem.: 1762
Core voltage: 788
Mem. voltage:
VDDCI voltage: 800
Nettó nyereség
0.112$
Érme:
Autolykos
Mem. vendor: Samsung K4G41325FE
Hashráta: 52.23 MH/s
Wt (socket) 57
Core: 1050
Mem.: 1788
Core voltage: 768
Mem. voltage:
VDDCI voltage: 750
Nettó nyereség
0.109$
Érme:
Ethash
Mem. vendor: SK Hynix H5GC8H24AJR
Hashráta: 32.57 MH/s
Wt (socket) 151
Core: 1200
Mem.: 2175
Core voltage: 910
Mem. voltage:
VDDCI voltage: 800
Nettó nyereség
0.069$
Érme:
Ethash
Mem. vendor: SK Hynix H5GC8H24AJR
Hashráta: 32.57 MH/s
Wt (socket) 151
Core: 1200
Mem.: 2175
Core voltage: 910
Mem. voltage:
VDDCI voltage: 800
Nettó nyereség
0.069$
Érme:
Ethash
Mem. vendor: Samsung K4G80325FC
Hashráta: 32.05 MH/s
Wt (socket) 133
Core: 1200
Mem.: 2125
Core voltage: 882
Mem. voltage:
VDDCI voltage: 800
Nettó nyereség
0.068$
Érme:
Ethash
Mem. vendor: Samsung K4G80325FC
Hashráta: 32.05 MH/s
Wt (socket) 133
Core: 1200
Mem.: 2125
Core voltage: 882
Mem. voltage:
VDDCI voltage: 800
Nettó nyereség
0.068$
Érme:
Ethash
Mem. vendor: Micron MT51J256M32
Hashráta: 31.89 MH/s
Wt (socket) 136
Core: 1180
Mem.: 2125
Core voltage: 843
Mem. voltage: -
VDDCI voltage: 800
Nettó nyereség
0.067$
Érme:
Ethash
Mem. vendor: Micron MT51J256M32
Hashráta: 31.89 MH/s
Wt (socket) 136
Core: 1180
Mem.: 2125
Core voltage: 843
Mem. voltage: -
VDDCI voltage: 800
Nettó nyereség
0.067$
Érme:
Ethash
Mem. vendor: SK Hynix H5GC4H24AJR
Hashráta: 31.4 MH/s
Wt (socket) 148
Core: 1156
Mem.: 2075
Core voltage: 850
Mem. voltage: -
VDDCI voltage: 800
Nettó nyereség
0.066$
Érme:
Ethash
Mem. vendor: SK Hynix H5GC4H24AJR
Hashráta: 31.4 MH/s
Wt (socket) 148
Core: 1156
Mem.: 2075
Core voltage: 850
Mem. voltage: -
VDDCI voltage: 800
Nettó nyereség
0.066$
Érme:
Ethash
Mem. vendor: Micron MT51J256M3
Hashráta: 30.88 MH/s
Wt (socket) 140
Core: 1150
Mem.: 2038
Core voltage: 818
Mem. voltage: -
VDDCI voltage: 800
Nettó nyereség
0.065$
Érme:
Ethash
Mem. vendor: Micron MT51J256M3
Hashráta: 30.88 MH/s
Wt (socket) 140
Core: 1150
Mem.: 2038
Core voltage: 818
Mem. voltage: -
VDDCI voltage: 800
Nettó nyereség
0.065$
Érme:
Etchash
Mem. vendor: SK Hynix H5GC8H24AJR
Hashráta: 32.57 MH/s
Wt (socket) 151
Core: 1200
Mem.: 2175
Core voltage: 910
Mem. voltage:
VDDCI voltage: 800
Nettó nyereség
0.065$
Érme:
Ethash
Mem. vendor: Samsung K4G80325FB
Hashráta: 30.64 MH/s
Wt (socket) 117
Core: 1135
Mem.: 2050
Core voltage: 850
Mem. voltage: -
VDDCI voltage: 800
Nettó nyereség
0.065$
Érme:
Ethash
Mem. vendor: Samsung K4G80325FB
Hashráta: 30.64 MH/s
Wt (socket) 117
Core: 1135
Mem.: 2050
Core voltage: 850
Mem. voltage: -
VDDCI voltage: 800
Nettó nyereség
0.065$
Érme:
Ethash
Heavyhash
Mem. vendor: SK Hynix H5GC8H24AJR
Hashráta: 30.3 MH/s 88.13 MH/s
Wt (socket) 211
Core: 1250
Mem.: 2150
Core voltage: 957
Mem. voltage:
VDDCI voltage: 800
Nettó nyereség
0.064$
Érme:
Etchash
Mem. vendor: Samsung K4G80325FC
Hashráta: 32.05 MH/s
Wt (socket) 133
Core: 1200
Mem.: 2125
Core voltage: 882
Mem. voltage:
VDDCI voltage: 800
Nettó nyereség
0.064$
Érme:
Etchash
Mem. vendor: Micron MT51J256M32
Hashráta: 31.89 MH/s
Wt (socket) 136
Core: 1180
Mem.: 2125
Core voltage: 843
Mem. voltage: -
VDDCI voltage: 800
Nettó nyereség
0.064$
Érme:
Ethash
Heavyhash
Mem. vendor: Samsung K4G80325FC
Hashráta: 29.82 MH/s 88.13 MH/s
Wt (socket) 186
Core: 1250
Mem.: 2100
Core voltage: 927
Mem. voltage:
VDDCI voltage: 800
Nettó nyereség
0.063$
Érme:
Etchash
Mem. vendor: SK Hynix H5GC4H24AJR
Hashráta: 31.4 MH/s
Wt (socket) 148
Core: 1156
Mem.: 2075
Core voltage: 850
Mem. voltage: -
VDDCI voltage: 800
Nettó nyereség
0.063$
Érme:
Ethash
Heavyhash
Mem. vendor: Micron MT51J256M32
Hashráta: 29.67 MH/s 88.13 MH/s
Wt (socket) 190
Core: 1229
Mem.: 2100
Core voltage: 886
Mem. voltage:
VDDCI voltage: 800
Nettó nyereség
0.063$
Érme:
Ethash
Mem. vendor: SK Hynix H5GQ8H24MJR
Hashráta: 29.43 MH/s
Wt (socket) 94
Core: 1076
Mem.: 1950
Core voltage: 800
Mem. voltage: -
VDDCI voltage: 800
Nettó nyereség
0.062$
Érme:
Ethash
Mem. vendor: SK Hynix H5GQ8H24MJR
Hashráta: 29.43 MH/s
Wt (socket) 94
Core: 1076
Mem.: 1950
Core voltage: 800
Mem. voltage: -
VDDCI voltage: 800
Nettó nyereség
0.062$
Érme:
Ethash
Heavyhash
Mem. vendor: SK Hynix H5GC4H24AJR
Hashráta: 29.21 MH/s 88.13 MH/s
Wt (socket) 207
Core: 1204
Mem.: 2050
Core voltage: 894
Mem. voltage:
VDDCI voltage: 800
Nettó nyereség
0.062$
Érme:
Etchash
Mem. vendor: Micron MT51J256M3
Hashráta: 30.88 MH/s
Wt (socket) 140
Core: 1150
Mem.: 2038
Core voltage: 818
Mem. voltage: -
VDDCI voltage: 800
Nettó nyereség
0.062$
Érme:
Etchash
Mem. vendor: Samsung K4G80325FB
Hashráta: 30.64 MH/s
Wt (socket) 117
Core: 1135
Mem.: 2050
Core voltage: 850
Mem. voltage: -
VDDCI voltage: 800
Nettó nyereség
0.061$
Érme:
Ethash
Heavyhash
Mem. vendor: Micron MT51J256M3
Hashráta: 28.73 MH/s 88.13 MH/s
Wt (socket) 196
Core: 1198
Mem.: 2013
Core voltage: 860
Mem. voltage:
VDDCI voltage: 800
Nettó nyereség
0.061$
Érme:
Ethash
Mem. vendor: Samsung K4G41325FE
Hashráta: 28.67 MH/s
Wt (socket) 73
Core: 1050
Mem.: 1975
Core voltage: 780
Mem. voltage: -
VDDCI voltage: 750
Nettó nyereség
0.061$
Érme:
Etchash
Heavyhash
Mem. vendor: SK Hynix H5GC8H24AJR
Hashráta: 30.3 MH/s 88.13 MH/s
Wt (socket) 211
Core: 1250
Mem.: 2150
Core voltage: 957
Mem. voltage:
VDDCI voltage: 800
Nettó nyereség
0.06$
Érme:
Ethash
Mem. vendor: Samsung K4G41325FE
Hashráta: 28.67 MH/s
Wt (socket) 73
Core: 1050
Mem.: 1975
Core voltage: 780
Mem. voltage: -
VDDCI voltage: 750
Nettó nyereség
0.06$
Érme:
Ethash
Heavyhash
Mem. vendor: Samsung K4G80325FB
Hashráta: 28.51 MH/s 88.13 MH/s
Wt (socket) 164
Core: 1182
Mem.: 2025
Core voltage: 894
Mem. voltage:
VDDCI voltage: 800
Nettó nyereség
0.06$
Érme:
Etchash
Heavyhash
Mem. vendor: Samsung K4G80325FC
Hashráta: 29.82 MH/s 88.13 MH/s
Wt (socket) 186
Core: 1250
Mem.: 2100
Core voltage: 927
Mem. voltage:
VDDCI voltage: 800
Nettó nyereség
0.06$
Érme:
Etchash
Heavyhash
Mem. vendor: Micron MT51J256M32
Hashráta: 29.67 MH/s 88.13 MH/s
Wt (socket) 190
Core: 1229
Mem.: 2100
Core voltage: 886
Mem. voltage:
VDDCI voltage: 800
Nettó nyereség
0.059$
Érme:
Etchash
Mem. vendor: SK Hynix H5GQ8H24MJR
Hashráta: 29.43 MH/s
Wt (socket) 94
Core: 1076
Mem.: 1950
Core voltage: 800
Mem. voltage: -
VDDCI voltage: 800
Nettó nyereség
0.059$
Érme:
Etchash
Heavyhash
Mem. vendor: SK Hynix H5GC4H24AJR
Hashráta: 29.21 MH/s 88.13 MH/s
Wt (socket) 207
Core: 1204
Mem.: 2050
Core voltage: 894
Mem. voltage:
VDDCI voltage: 800
Nettó nyereség
0.058$
Érme:
Ethash
Heavyhash
Mem. vendor: SK Hynix H5GQ8H24MJR
Hashráta: 27.38 MH/s 88.13 MH/s
Wt (socket) 132
Core: 1120
Mem.: 1925
Core voltage: 841
Mem. voltage:
VDDCI voltage: 800
Nettó nyereség
0.058$
Érme:
Etchash
Heavyhash
Mem. vendor: Micron MT51J256M3
Hashráta: 28.73 MH/s 88.13 MH/s
Wt (socket) 196
Core: 1198
Mem.: 2013
Core voltage: 860
Mem. voltage:
VDDCI voltage: 800
Nettó nyereség
0.057$
Érme:
Etchash
Mem. vendor: Samsung K4G41325FE
Hashráta: 28.67 MH/s
Wt (socket) 73
Core: 1050
Mem.: 1975
Core voltage: 780
Mem. voltage: -
VDDCI voltage: 750
Nettó nyereség
0.057$
Érme:
Etchash
Heavyhash
Mem. vendor: Samsung K4G80325FB
Hashráta: 28.51 MH/s 88.13 MH/s
Wt (socket) 164
Core: 1182
Mem.: 2025
Core voltage: 894
Mem. voltage:
VDDCI voltage: 800
Nettó nyereség
0.057$
Érme:
Ethash
Heavyhash
Mem. vendor: Samsung K4G41325FE
Hashráta: 26.67 MH/s 88.13 MH/s
Wt (socket) 102
Core: 1093
Mem.: 1950
Core voltage: 820
Mem. voltage:
VDDCI voltage: 750
Nettó nyereség
0.056$
Érme:
Etchash
Heavyhash
Mem. vendor: SK Hynix H5GQ8H24MJR
Hashráta: 27.38 MH/s 88.13 MH/s
Wt (socket) 132
Core: 1120
Mem.: 1925
Core voltage: 841
Mem. voltage:
VDDCI voltage: 800
Nettó nyereség
0.055$
Érme:
NexaPow
Mem. vendor: Micron MT51J256M3
Hashráta: 14.6 MH/s
Wt (socket)
Core:
Mem.:
Core voltage:
Mem. voltage:
VDDCI voltage:
Nettó nyereség
0.054$
Érme:
NexaPow
Mem. vendor: Micron MT51J256M32
Hashráta: 14.6 MH/s
Wt (socket)
Core:
Mem.:
Core voltage:
Mem. voltage:
VDDCI voltage:
Nettó nyereség
0.054$
Érme:
NexaPow
Mem. vendor: Samsung K4G80325FB
Hashráta: 14.6 MH/s
Wt (socket)
Core:
Mem.:
Core voltage:
Mem. voltage:
VDDCI voltage:
Nettó nyereség
0.054$
Érme:
NexaPow
Mem. vendor: SK Hynix H5GC4H24AJR
Hashráta: 14.6 MH/s
Wt (socket)
Core:
Mem.:
Core voltage:
Mem. voltage:
VDDCI voltage:
Nettó nyereség
0.054$
Érme:
NexaPow
Mem. vendor: Samsung K4G41325FE
Hashráta: 14.6 MH/s
Wt (socket)
Core:
Mem.:
Core voltage:
Mem. voltage:
VDDCI voltage:
Nettó nyereség
0.054$
Érme:
NexaPow
Mem. vendor: SK Hynix H5GQ8H24MJR
Hashráta: 14.6 MH/s
Wt (socket)
Core:
Mem.:
Core voltage:
Mem. voltage:
VDDCI voltage:
Nettó nyereség
0.054$
Érme:
NexaPow
Mem. vendor: SK Hynix H5GC8H24AJR
Hashráta: 14.6 MH/s
Wt (socket)
Core:
Mem.:
Core voltage:
Mem. voltage:
VDDCI voltage:
Nettó nyereség
0.054$
Érme:
NexaPow
Mem. vendor: Samsung K4G80325FC
Hashráta: 14.6 MH/s
Wt (socket)
Core:
Mem.:
Core voltage:
Mem. voltage:
VDDCI voltage:
Nettó nyereség
0.054$
Érme:
Etchash
Heavyhash
Mem. vendor: Samsung K4G41325FE
Hashráta: 26.67 MH/s 88.13 MH/s
Wt (socket) 102
Core: 1093
Mem.: 1950
Core voltage: 820
Mem. voltage:
VDDCI voltage: 750
Nettó nyereség
0.053$
Érme:
Blake 3
Mem. vendor: SK Hynix H5GC8H24AJR
Hashráta: 0.482 GH/s
Wt (socket) 128
Core: 1265
Mem.: 300
Core voltage: 918
Mem. voltage:
VDDCI voltage: 800
Nettó nyereség
0.001$
Érme:
Blake 3
Mem. vendor: Samsung K4G80325FC
Hashráta: 0.474 GH/s
Wt (socket) 113
Core: 1265
Mem.: 300
Core voltage: 893
Mem. voltage:
VDDCI voltage: 800
Nettó nyereség
0.001$
Érme:
Blake 3
Mem. vendor: Micron MT51J256M32
Hashráta: 0.472 GH/s
Wt (socket) 116
Core: 1244
Mem.: 300
Core voltage: 856
Mem. voltage:
VDDCI voltage: 800
Nettó nyereség
0.001$
Érme:
Blake 3
Mem. vendor: SK Hynix H5GC4H24AJR
Hashráta: 0.464 GH/s
Wt (socket) 126
Core: 1219
Mem.: 300
Core voltage: 862
Mem. voltage:
VDDCI voltage: 800
Nettó nyereség
0.001$
Érme:
Blake 3
Mem. vendor: Micron MT51J256M3
Hashráta: 0.457 GH/s
Wt (socket) 119
Core: 1212
Mem.: 300
Core voltage: 831
Mem. voltage:
VDDCI voltage: 800
Nettó nyereség
0.001$
Érme:
Blake 3
Mem. vendor: Samsung K4G80325FB
Hashráta: 0.453 GH/s
Wt (socket) 99
Core: 1197
Mem.: 300
Core voltage: 862
Mem. voltage:
VDDCI voltage: 800
Nettó nyereség
0.001$
Érme:
Blake 3
Mem. vendor: SK Hynix H5GQ8H24MJR
Hashráta: 0.435 GH/s
Wt (socket) 80
Core: 1134
Mem.: 300
Core voltage: 812
Mem. voltage:
VDDCI voltage: 800
Nettó nyereség
0.001$
Érme:
Blake 3
Mem. vendor: Samsung K4G41325FE
Hashráta: 0.424 GH/s
Wt (socket) 76
Core: 1107
Mem.: 300
Core voltage: 793
Mem. voltage:
VDDCI voltage: 800
Nettó nyereség
0.001$
Érme:
Heavyhash
Mem. vendor: SK Hynix H5GC8H24AJR
Hashráta: 148.94 MH/s
Wt (socket) 132
Core: 1265
Mem.: 300
Core voltage: 923
Mem. voltage:
VDDCI voltage: 800
Nettó nyereség
0$
Érme:
Heavyhash
Mem. vendor: Samsung K4G80325FC
Hashráta: 146.56 MH/s
Wt (socket) 116
Core: 1265
Mem.: 300
Core voltage: 894
Mem. voltage:
VDDCI voltage: 800
Nettó nyereség
0$
Érme:
Heavyhash
Mem. vendor: Micron MT51J256M32
Hashráta: 145.83 MH/s
Wt (socket) 119
Core: 1244
Mem.: 300
Core voltage: 855
Mem. voltage:
VDDCI voltage: 800
Nettó nyereség
0$
Érme:
Heavyhash
Mem. vendor: SK Hynix H5GC4H24AJR
Hashráta: 143.59 MH/s
Wt (socket) 130
Core: 1219
Mem.: 300
Core voltage: 862
Mem. voltage:
VDDCI voltage: 800
Nettó nyereség
0$
Érme:
Heavyhash
Mem. vendor: Micron MT51J256M3
Hashráta: 141.21 MH/s
Wt (socket) 123
Core: 1212
Mem.: 300
Core voltage: 829
Mem. voltage:
VDDCI voltage: 800
Nettó nyereség
0$
Érme:
Heavyhash
Mem. vendor: Samsung K4G80325FB
Hashráta: 140.11 MH/s
Wt (socket) 102
Core: 1197
Mem.: 300
Core voltage: 862
Mem. voltage:
VDDCI voltage: 800
Nettó nyereség
0$
Érme:
Heavyhash
Mem. vendor: SK Hynix H5GQ8H24MJR
Hashráta: 134.58 MH/s
Wt (socket) 82
Core: 1134
Mem.: 300
Core voltage: 811
Mem. voltage:
VDDCI voltage: 800
Nettó nyereség
0$
Érme:
Heavyhash
Mem. vendor: Samsung K4G41325FE
Hashráta: 131.1 MH/s
Wt (socket) 64
Core: 1107
Mem.: 300
Core voltage: 791
Mem. voltage:
VDDCI voltage: 750
Nettó nyereség
0$
Gyártó
AMD
Kiadási dátum
2017
Processzor
Polaris 20
Indítási ár
0.00$
Jelenlegi ár
336.00$
TDP
150W
Memória típusa
GDDR5
Memória
8GB
Busz szélessége
256
AMD RX570 8 GB videokártya hashrate
Megjelenés dátuma és ára
AMD RX570 videokártya jelent meg itt: 2017. Indítási ár - 0.00 $. Jelenlegi hozzávetőleges ár - 336.00 $. Kérjük, figyeljen az árváltozásra a videokártya megjelenésének évéhez képest, mielőtt eldöntené, hogy AMD RX570 kártyát vesz -e.
RX570 in mining
A legjobb érme az enyém a RX570 videokártyával - MeowCoin, 14.76 MH/s hashrate. A jelenlegi napi nehézségek mellett 0.237 $, tehát RX570 ROI 1417 napot fog keresni.
RX570 fogyasztás
RX570 A TDP 150 watt, míg a bányászatban átlagosan 200 wattot fogyaszt.
