AMD RX470 8 GB
Монета
Mem.
vendor
vendor
Хешрейт
Wt (socket)
Core
Mem.
Core
voltage
voltage
Mem.
voltage
voltage
VDDCI
voltage
voltage
Чиста печалба
Монета:
FiroPow
Mem. vendor: Samsung K4G80325FB
Хешрейт: 15.3 MH/s
Wt (socket) 163
Core: 1166
Mem.: 2050
Core voltage: 869
Mem. voltage:
VDDCI voltage: 800
Чиста печалба
0.326$
Монета:
FiroPow
Mem. vendor: Samsung K4G41325FE
Хешрейт: 14.79 MH/s
Wt (socket) 163
Core: 1060
Mem.: 1875
Core voltage: 850
Mem. voltage:
VDDCI voltage: 800
Чиста печалба
0.315$
Монета:
FiroPow
Mem. vendor: SK Hynix H5GC4H24AJR
Хешрейт: 14.32 MH/s
Wt (socket) 147
Core: 1084
Mem.: 1925
Core voltage: 832
Mem. voltage:
VDDCI voltage: 800
Чиста печалба
0.305$
Монета:
FiroPow
Mem. vendor: Micron MT51J256M3
Хешрейт: 14.32 MH/s
Wt (socket) 152
Core: 1090
Mem.: 1925
Core voltage: 875
Mem. voltage:
VDDCI voltage: 800
Чиста печалба
0.305$
Монета:
FiroPow
Mem. vendor: Elpida EDW4032BABG
Хешрейт: 13.69 MH/s
Wt (socket) 154
Core: 1060
Mem.: 1875
Core voltage: 837
Mem. voltage:
VDDCI voltage: 800
Чиста печалба
0.292$
Монета:
FiroPow
Mem. vendor: Samsung K4G20325FS
Хешрейт: 13.47 MH/s
Wt (socket) 127
Core: 1016
Mem.: 1800
Core voltage: 745
Mem. voltage:
VDDCI voltage: 800
Чиста печалба
0.287$
Монета:
Kawpow
Mem. vendor: Samsung K4G80325FB
Хешрейт: 15.3 MH/s
Wt (socket) 167
Core: 1166
Mem.: 2050
Core voltage: 869
Mem. voltage:
VDDCI voltage: 800
Чиста печалба
0.285$
Монета:
Kawpow
Mem. vendor: Samsung K4G41325FE
Хешрейт: 14.79 MH/s
Wt (socket) 167
Core: 1060
Mem.: 1875
Core voltage: 850
Mem. voltage:
VDDCI voltage: 800
Чиста печалба
0.275$
Монета:
Kawpow
Mem. vendor: Micron MT51J256M3
Хешрейт: 14.32 MH/s
Wt (socket) 156
Core: 1090
Mem.: 1925
Core voltage: 875
Mem. voltage:
VDDCI voltage: 800
Чиста печалба
0.267$
Монета:
Kawpow
Mem. vendor: SK Hynix H5GC4H24AJR
Хешрейт: 14.32 MH/s
Wt (socket) 151
Core: 1084
Mem.: 1925
Core voltage: 832
Mem. voltage:
VDDCI voltage: 800
Чиста печалба
0.267$
Монета:
Kawpow
Mem. vendor: Samsung K4G80325FB
Хешрейт: 15.3 MH/s
Wt (socket) 167
Core: 1166
Mem.: 2050
Core voltage: 869
Mem. voltage:
VDDCI voltage: 800
Чиста печалба
0.264$
Монета:
Kawpow
Mem. vendor: Samsung K4G41325FE
Хешрейт: 14.79 MH/s
Wt (socket) 167
Core: 1060
Mem.: 1875
Core voltage: 850
Mem. voltage:
VDDCI voltage: 800
Чиста печалба
0.256$
Монета:
Kawpow
Mem. vendor: Elpida EDW4032BABG
Хешрейт: 13.69 MH/s
Wt (socket) 158
Core: 1060
Mem.: 1875
Core voltage: 837
Mem. voltage:
VDDCI voltage: 800
Чиста печалба
0.255$
Монета:
Kawpow
Mem. vendor: Samsung K4G20325FS
Хешрейт: 13.47 MH/s
Wt (socket) 131
Core: 1016
Mem.: 1800
Core voltage: 745
Mem. voltage:
VDDCI voltage: 800
Чиста печалба
0.251$
Монета:
Kawpow
Mem. vendor: Micron MT51J256M3
Хешрейт: 14.32 MH/s
Wt (socket) 156
Core: 1090
Mem.: 1925
Core voltage: 875
Mem. voltage:
VDDCI voltage: 800
Чиста печалба
0.248$
Монета:
Kawpow
Mem. vendor: SK Hynix H5GC4H24AJR
Хешрейт: 14.32 MH/s
Wt (socket) 151
Core: 1084
Mem.: 1925
Core voltage: 832
Mem. voltage:
VDDCI voltage: 800
Чиста печалба
0.248$
Монета:
Kawpow
Mem. vendor: Samsung K4G80325FB
Хешрейт: 15.3 MH/s
Wt (socket) 167
Core: 1166
Mem.: 2050
Core voltage: 869
Mem. voltage:
VDDCI voltage: 800
Чиста печалба
0.245$
Монета:
Kawpow
Mem. vendor: Elpida EDW4032BABG
Хешрейт: 13.69 MH/s
Wt (socket) 158
Core: 1060
Mem.: 1875
Core voltage: 837
Mem. voltage:
VDDCI voltage: 800
Чиста печалба
0.237$
Монета:
Kawpow
Mem. vendor: Samsung K4G41325FE
Хешрейт: 14.79 MH/s
Wt (socket) 167
Core: 1060
Mem.: 1875
Core voltage: 850
Mem. voltage:
VDDCI voltage: 800
Чиста печалба
0.236$
Монета:
Kawpow
Mem. vendor: Samsung K4G20325FS
Хешрейт: 13.47 MH/s
Wt (socket) 131
Core: 1016
Mem.: 1800
Core voltage: 745
Mem. voltage:
VDDCI voltage: 800
Чиста печалба
0.233$
Монета:
Kawpow
Mem. vendor: Micron MT51J256M3
Хешрейт: 14.32 MH/s
Wt (socket) 156
Core: 1090
Mem.: 1925
Core voltage: 875
Mem. voltage:
VDDCI voltage: 800
Чиста печалба
0.229$
Монета:
Kawpow
Mem. vendor: SK Hynix H5GC4H24AJR
Хешрейт: 14.32 MH/s
Wt (socket) 151
Core: 1084
Mem.: 1925
Core voltage: 832
Mem. voltage:
VDDCI voltage: 800
Чиста печалба
0.229$
Монета:
Kawpow
Mem. vendor: Elpida EDW4032BABG
Хешрейт: 13.69 MH/s
Wt (socket) 158
Core: 1060
Mem.: 1875
Core voltage: 837
Mem. voltage:
VDDCI voltage: 800
Чиста печалба
0.219$
Монета:
Kawpow
Mem. vendor: Samsung K4G20325FS
Хешрейт: 13.47 MH/s
Wt (socket) 131
Core: 1016
Mem.: 1800
Core voltage: 745
Mem. voltage:
VDDCI voltage: 800
Чиста печалба
0.215$
Монета:
Verthash
Mem. vendor:
Хешрейт: 535 kH/s
Wt (socket)
Core:
Mem.:
Core voltage:
Mem. voltage:
VDDCI voltage:
Чиста печалба
0.197$
Монета:
Kawpow
Mem. vendor:
Хешрейт: 10 MH/s
Wt (socket)
Core:
Mem.:
Core voltage:
Mem. voltage:
VDDCI voltage:
Чиста печалба
0.152$
Монета:
Autolykos
Mem. vendor: Samsung K4G80325FB
Хешрейт: 61.49 MH/s
Wt (socket) 98
Core: 1166
Mem.: 1875
Core voltage: 862
Mem. voltage:
VDDCI voltage: 800
Чиста печалба
0.129$
Монета:
Autolykos
Mem. vendor: Samsung K4G41325FE
Хешрейт: 59.43 MH/s
Wt (socket) 98
Core: 1060
Mem.: 1725
Core voltage: 843
Mem. voltage:
VDDCI voltage: 800
Чиста печалба
0.125$
Монета:
Autolykos
Mem. vendor: Micron MT51J256M3
Хешрейт: 57.55 MH/s
Wt (socket) 91
Core: 1090
Mem.: 1763
Core voltage: 868
Mem. voltage:
VDDCI voltage: 800
Чиста печалба
0.121$
Монета:
Autolykos
Mem. vendor: SK Hynix H5GC4H24AJR
Хешрейт: 57.55 MH/s
Wt (socket) 88
Core: 1084
Mem.: 1763
Core voltage: 825
Mem. voltage:
VDDCI voltage: 800
Чиста печалба
0.121$
Монета:
Autolykos
Mem. vendor: Elpida EDW4032BABG
Хешрейт: 55.02 MH/s
Wt (socket) 92
Core: 1060
Mem.: 1725
Core voltage: 830
Mem. voltage:
VDDCI voltage: 800
Чиста печалба
0.116$
Монета:
Autolykos
Mem. vendor: Samsung K4G20325FS
Хешрейт: 54.12 MH/s
Wt (socket) 77
Core: 1016
Mem.: 1650
Core voltage: 739
Mem. voltage:
VDDCI voltage: 800
Чиста печалба
0.114$
Монета:
Blake 3
Mem. vendor: Samsung K4G80325FB
Хешрейт: 0.527 GH/s
Wt (socket) 107
Core: 1229
Mem.: 601
Core voltage: 887
Mem. voltage:
VDDCI voltage: 800
Чиста печалба
0.107$
Монета:
Blake 3
Mem. vendor: Samsung K4G41325FE
Хешрейт: 0.51 GH/s
Wt (socket) 107
Core: 1117
Mem.: 601
Core voltage: 868
Mem. voltage:
VDDCI voltage: 800
Чиста печалба
0.103$
Монета:
Blake 3
Mem. vendor: SK Hynix H5GC4H24AJR
Хешрейт: 0.494 GH/s
Wt (socket) 97
Core: 1143
Mem.: 601
Core voltage: 850
Mem. voltage:
VDDCI voltage: 800
Чиста печалба
0.10$
Монета:
Blake 3
Mem. vendor: Micron MT51J256M3
Хешрейт: 0.494 GH/s
Wt (socket) 100
Core: 1149
Mem.: 601
Core voltage: 893
Mem. voltage:
VDDCI voltage: 800
Чиста печалба
0.10$
Монета:
Blake 3
Mem. vendor: Elpida EDW4032BABG
Хешрейт: 0.472 GH/s
Wt (socket) 101
Core: 1117
Mem.: 601
Core voltage: 856
Mem. voltage:
VDDCI voltage: 800
Чиста печалба
0.096$
Монета:
Blake 3
Mem. vendor: Samsung K4G20325FS
Хешрейт: 0.464 GH/s
Wt (socket) 84
Core: 1071
Mem.: 601
Core voltage: 762
Mem. voltage:
VDDCI voltage: 800
Чиста печалба
0.094$
Монета:
Ethash
Mem. vendor: Samsung K4G80325FB
Хешрейт: 31.39 MH/s
Wt (socket) 126
Core: 1166
Mem.: 2075
Core voltage: 875
Mem. voltage:
VDDCI voltage: 800
Чиста печалба
0.093$
Монета:
Ethash
Mem. vendor: Samsung K4G41325FE
Хешрейт: 30.34 MH/s
Wt (socket) 126
Core: 1060
Mem.: 1900
Core voltage: 856
Mem. voltage:
VDDCI voltage: 800
Чиста печалба
0.09$
Монета:
Ethash
Mem. vendor: Micron MT51J256M3
Хешрейт: 29.38 MH/s
Wt (socket) 118
Core: 1090
Mem.: 1950
Core voltage: 881
Mem. voltage:
VDDCI voltage: 800
Чиста печалба
0.087$
Монета:
Ethash
Mem. vendor: SK Hynix H5GC4H24AJR
Хешрейт: 29.38 MH/s
Wt (socket) 114
Core: 1084
Mem.: 1950
Core voltage: 838
Mem. voltage:
VDDCI voltage: 800
Чиста печалба
0.087$
Монета:
Ethash
Heavyhash
Mem. vendor: Samsung K4G80325FB
Хешрейт: 29.2 MH/s 88.13 MH/s
Wt (socket) 176
Core: 1214
Mem.: 2050
Core voltage: 920
Mem. voltage:
VDDCI voltage: 800
Чиста печалба
0.087$
Монета:
Etchash
Mem. vendor: Samsung K4G80325FB
Хешрейт: 31.39 MH/s
Wt (socket) 126
Core: 1166
Mem.: 2075
Core voltage: 875
Mem. voltage:
VDDCI voltage: 800
Чиста печалба
0.087$
Монета:
Ethash
Heavyhash
Mem. vendor: Samsung K4G41325FE
Хешрейт: 28.23 MH/s 88.13 MH/s
Wt (socket) 176
Core: 1104
Mem.: 1875
Core voltage: 900
Mem. voltage:
VDDCI voltage: 800
Чиста печалба
0.084$
Монета:
Etchash
Mem. vendor: Samsung K4G41325FE
Хешрейт: 30.34 MH/s
Wt (socket) 126
Core: 1060
Mem.: 1900
Core voltage: 856
Mem. voltage:
VDDCI voltage: 800
Чиста печалба
0.084$
Монета:
Ethash
Mem. vendor: Elpida EDW4032BABG
Хешрейт: 28.09 MH/s
Wt (socket) 119
Core: 1060
Mem.: 1900
Core voltage: 843
Mem. voltage:
VDDCI voltage: 800
Чиста печалба
0.083$
Монета:
Ethash
Mem. vendor: Samsung K4G20325FS
Хешрейт: 27.63 MH/s
Wt (socket) 99
Core: 1016
Mem.: 1825
Core voltage: 750
Mem. voltage:
VDDCI voltage: 800
Чиста печалба
0.082$
Монета:
Ethash
Heavyhash
Mem. vendor: Micron MT51J256M3
Хешрейт: 27.33 MH/s 88.13 MH/s
Wt (socket) 165
Core: 1135
Mem.: 1925
Core voltage: 926
Mem. voltage:
VDDCI voltage: 800
Чиста печалба
0.081$
Монета:
Ethash
Heavyhash
Mem. vendor: SK Hynix H5GC4H24AJR
Хешрейт: 27.33 MH/s 88.13 MH/s
Wt (socket) 160
Core: 1129
Mem.: 1925
Core voltage: 881
Mem. voltage:
VDDCI voltage: 800
Чиста печалба
0.081$
Монета:
Etchash
Heavyhash
Mem. vendor: Samsung K4G80325FB
Хешрейт: 29.2 MH/s 88.13 MH/s
Wt (socket) 176
Core: 1214
Mem.: 2050
Core voltage: 920
Mem. voltage:
VDDCI voltage: 800
Чиста печалба
0.081$
Монета:
Etchash
Mem. vendor: Micron MT51J256M3
Хешрейт: 29.38 MH/s
Wt (socket) 118
Core: 1090
Mem.: 1950
Core voltage: 881
Mem. voltage:
VDDCI voltage: 800
Чиста печалба
0.081$
Монета:
Etchash
Mem. vendor: SK Hynix H5GC4H24AJR
Хешрейт: 29.38 MH/s
Wt (socket) 114
Core: 1084
Mem.: 1950
Core voltage: 838
Mem. voltage:
VDDCI voltage: 800
Чиста печалба
0.081$
Монета:
Ethash
Mem. vendor: Samsung K4G80325FB
Хешрейт: 31.39 MH/s
Wt (socket) 126
Core: 1166
Mem.: 2075
Core voltage: 875
Mem. voltage:
VDDCI voltage: 800
Чиста печалба
0.081$
Монета:
Etchash
Heavyhash
Mem. vendor: Samsung K4G41325FE
Хешрейт: 28.23 MH/s 88.13 MH/s
Wt (socket) 176
Core: 1104
Mem.: 1875
Core voltage: 900
Mem. voltage:
VDDCI voltage: 800
Чиста печалба
0.078$
Монета:
Ethash
Mem. vendor: Samsung K4G41325FE
Хешрейт: 30.34 MH/s
Wt (socket) 126
Core: 1060
Mem.: 1900
Core voltage: 856
Mem. voltage:
VDDCI voltage: 800
Чиста печалба
0.078$
Монета:
Ethash
Heavyhash
Mem. vendor: Elpida EDW4032BABG
Хешрейт: 26.13 MH/s 88.13 MH/s
Wt (socket) 167
Core: 1104
Mem.: 1875
Core voltage: 886
Mem. voltage:
VDDCI voltage: 800
Чиста печалба
0.078$
Монета:
Etchash
Mem. vendor: Elpida EDW4032BABG
Хешрейт: 28.09 MH/s
Wt (socket) 119
Core: 1060
Mem.: 1900
Core voltage: 843
Mem. voltage:
VDDCI voltage: 800
Чиста печалба
0.078$
Монета:
Cuckoo (AE)
Mem. vendor:
Хешрейт: 1.8 Gp/s
Wt (socket)
Core:
Mem.:
Core voltage:
Mem. voltage:
VDDCI voltage:
Чиста печалба
0.077$
Монета:
Ethash
Heavyhash
Mem. vendor: Samsung K4G20325FS
Хешрейт: 25.71 MH/s 88.13 MH/s
Wt (socket) 139
Core: 1058
Mem.: 1800
Core voltage: 789
Mem. voltage:
VDDCI voltage: 800
Чиста печалба
0.076$
Монета:
Etchash
Mem. vendor: Samsung K4G20325FS
Хешрейт: 27.63 MH/s
Wt (socket) 99
Core: 1016
Mem.: 1825
Core voltage: 750
Mem. voltage:
VDDCI voltage: 800
Чиста печалба
0.076$
Монета:
Etchash
Heavyhash
Mem. vendor: Micron MT51J256M3
Хешрейт: 27.33 MH/s 88.13 MH/s
Wt (socket) 165
Core: 1135
Mem.: 1925
Core voltage: 926
Mem. voltage:
VDDCI voltage: 800
Чиста печалба
0.076$
Монета:
Etchash
Heavyhash
Mem. vendor: SK Hynix H5GC4H24AJR
Хешрейт: 27.33 MH/s 88.13 MH/s
Wt (socket) 160
Core: 1129
Mem.: 1925
Core voltage: 881
Mem. voltage:
VDDCI voltage: 800
Чиста печалба
0.076$
Монета:
Ethash
Mem. vendor: Micron MT51J256M3
Хешрейт: 29.38 MH/s
Wt (socket) 118
Core: 1090
Mem.: 1950
Core voltage: 881
Mem. voltage:
VDDCI voltage: 800
Чиста печалба
0.076$
Монета:
Ethash
Mem. vendor: SK Hynix H5GC4H24AJR
Хешрейт: 29.38 MH/s
Wt (socket) 114
Core: 1084
Mem.: 1950
Core voltage: 838
Mem. voltage:
VDDCI voltage: 800
Чиста печалба
0.076$
Монета:
Etchash
Heavyhash
Mem. vendor: Elpida EDW4032BABG
Хешрейт: 26.13 MH/s 88.13 MH/s
Wt (socket) 167
Core: 1104
Mem.: 1875
Core voltage: 886
Mem. voltage:
VDDCI voltage: 800
Чиста печалба
0.073$
Монета:
Ethash
Mem. vendor: Elpida EDW4032BABG
Хешрейт: 28.09 MH/s
Wt (socket) 119
Core: 1060
Mem.: 1900
Core voltage: 843
Mem. voltage:
VDDCI voltage: 800
Чиста печалба
0.072$
Монета:
NexaPow
Mem. vendor: Micron MT51J256M3
Хешрейт: 13.4 MH/s
Wt (socket)
Core:
Mem.:
Core voltage:
Mem. voltage:
VDDCI voltage:
Чиста печалба
0.072$
Монета:
NexaPow
Mem. vendor: SK Hynix H5GC4H24AJR
Хешрейт: 13.4 MH/s
Wt (socket)
Core:
Mem.:
Core voltage:
Mem. voltage:
VDDCI voltage:
Чиста печалба
0.072$
Монета:
NexaPow
Mem. vendor: Samsung K4G41325FE
Хешрейт: 13.4 MH/s
Wt (socket)
Core:
Mem.:
Core voltage:
Mem. voltage:
VDDCI voltage:
Чиста печалба
0.072$
Монета:
NexaPow
Mem. vendor: Elpida EDW4032BABG
Хешрейт: 13.4 MH/s
Wt (socket)
Core:
Mem.:
Core voltage:
Mem. voltage:
VDDCI voltage:
Чиста печалба
0.072$
Монета:
NexaPow
Mem. vendor: Samsung K4G80325FB
Хешрейт: 13.4 MH/s
Wt (socket)
Core:
Mem.:
Core voltage:
Mem. voltage:
VDDCI voltage:
Чиста печалба
0.072$
Монета:
NexaPow
Mem. vendor: Samsung K4G20325FS
Хешрейт: 13.4 MH/s
Wt (socket)
Core:
Mem.:
Core voltage:
Mem. voltage:
VDDCI voltage:
Чиста печалба
0.072$
Монета:
Etchash
Heavyhash
Mem. vendor: Samsung K4G20325FS
Хешрейт: 25.71 MH/s 88.13 MH/s
Wt (socket) 139
Core: 1058
Mem.: 1800
Core voltage: 789
Mem. voltage:
VDDCI voltage: 800
Чиста печалба
0.071$
Монета:
Ethash
Mem. vendor: Samsung K4G20325FS
Хешрейт: 27.63 MH/s
Wt (socket) 99
Core: 1016
Mem.: 1825
Core voltage: 750
Mem. voltage:
VDDCI voltage: 800
Чиста печалба
0.071$
Монета:
Karlsen
Mem. vendor:
Хешрейт: 210 MH/s
Wt (socket)
Core:
Mem.:
Core voltage:
Mem. voltage:
VDDCI voltage:
Чиста печалба
0.067$
Монета:
Pyrin
Mem. vendor:
Хешрейт: 550 MH/s
Wt (socket)
Core:
Mem.:
Core voltage:
Mem. voltage:
VDDCI voltage:
Чиста печалба
0.043$
Монета:
Heavyhash
Mem. vendor: Samsung K4G80325FB
Хешрейт: 148.60582278481013 MH/s
Wt (socket) 110
Core: 1229
Mem.: 601
Core voltage: 887
Mem. voltage:
VDDCI voltage: 800
Чиста печалба
0.001$
Монета:
Heavyhash
Mem. vendor: Samsung K4G41325FE
Хешрейт: 143.63493670886075 MH/s
Wt (socket) 110
Core: 1117
Mem.: 601
Core voltage: 868
Mem. voltage:
VDDCI voltage: 800
Чиста печалба
0.001$
Монета:
Heavyhash
Mem. vendor: Micron MT51J256M3
Хешрейт: 139.09012658227846 MH/s
Wt (socket) 103
Core: 1149
Mem.: 601
Core voltage: 893
Mem. voltage:
VDDCI voltage: 800
Чиста печалба
0.001$
Монета:
Heavyhash
Mem. vendor: SK Hynix H5GC4H24AJR
Хешрейт: 139.09012658227846 MH/s
Wt (socket) 100
Core: 1143
Mem.: 601
Core voltage: 850
Mem. voltage:
VDDCI voltage: 800
Чиста печалба
0.001$
Монета:
Heavyhash
Mem. vendor: Elpida EDW4032BABG
Хешрейт: 132.98303797468353 MH/s
Wt (socket) 104
Core: 1117
Mem.: 601
Core voltage: 855
Mem. voltage:
VDDCI voltage: 800
Чиста печалба
0.001$
Монета:
Heavyhash
Mem. vendor: Samsung K4G20325FS
Хешрейт: 130.80531645569621 MH/s
Wt (socket) 87
Core: 1071
Mem.: 601
Core voltage: 761
Mem. voltage:
VDDCI voltage: 800
Чиста печалба
0.001$
Производител
AMD
Дата на излизане
2016
Процесор
Ellesmere
Начална цена
0.00$
Текуща цена
320.00$
TDP
120W
Тип памет
GDDR5
Памет
8GB
Ширина на шината
256
AMD RX470 8 GB графична карта хешрейт
Дата на издаване и цена
Графичната карта AMD RX470 беше пусната през 2016 г. Цената към момента на пускане е - 0.00 $. Текущата приблизителна цена е - 320.00 $. Моля, разгледайте промяната в цената от годината, в която е пусната, преди да решите дали да закупите карта AMD RX470 card.
RX470 в майнинг
Най -доброто от всичко в момента е, че графичният процесор RX470 добива - Firo, раздавайки 15.3 MH/s. За ден с дневна трудност ще спечелите 0.326 $, тоест при текущата цена картата ще бъде спечелена след 982 дни.
Консумация RX470
TDP на видеокартата е 120 вата, докато при копаенето средната RX470 карта консумира 163 вата.
