AMD RX570 4 GB
Монета
Mem.
vendor
vendor
Хешрейт
Wt (socket)
Core
Mem.
Core
voltage
voltage
Mem.
voltage
voltage
VDDCI
voltage
voltage
Чиста печалба
Монета:
ProgPowZ
Mem. vendor:
Хешрейт: 13 MH/s
Wt (socket)
Core:
Mem.:
Core voltage:
Mem. voltage:
VDDCI voltage:
Чиста печалба
0.193$
Монета:
Kawpow
Mem. vendor: SK Hynix H5GC8H24AJR
Хешрейт: 14.76 MH/s
Wt (socket) 200
Core: 1200
Mem.: 2150
Core voltage: 904
Mem. voltage:
VDDCI voltage: 800
Чиста печалба
0.141$
Монета:
Kawpow
Mem. vendor: Samsung K4G80325FC
Хешрейт: 14.53 MH/s
Wt (socket) 176
Core: 1200
Mem.: 2100
Core voltage: 876
Mem. voltage:
VDDCI voltage: 800
Чиста печалба
0.139$
Монета:
Kawpow
Mem. vendor: Micron MT51J256M32
Хешрейт: 14.45 MH/s
Wt (socket) 180
Core: 1180
Mem.: 2100
Core voltage: 837
Mem. voltage:
VDDCI voltage: 800
Чиста печалба
0.138$
Монета:
Kawpow
Mem. vendor: SK Hynix H5GC4H24AJR
Хешрейт: 14.23 MH/s
Wt (socket) 196
Core: 1156
Mem.: 2050
Core voltage: 844
Mem. voltage:
VDDCI voltage: 800
Чиста печалба
0.136$
Монета:
Kawpow
Mem. vendor: Micron MT51J256M3
Хешрейт: 14 MH/s
Wt (socket) 186
Core: 1150
Mem.: 2013
Core voltage: 812
Mem. voltage:
VDDCI voltage: 800
Чиста печалба
0.134$
Монета:
Kawpow
Mem. vendor:
Хешрейт: 13 MH/s
Wt (socket)
Core:
Mem.:
Core voltage:
Mem. voltage:
VDDCI voltage:
Чиста печалба
0.134$
Монета:
Kawpow
Mem. vendor: Samsung K4G80325FB
Хешрейт: 13.89 MH/s
Wt (socket) 155
Core: 1135
Mem.: 2025
Core voltage: 844
Mem. voltage:
VDDCI voltage: 800
Чиста печалба
0.133$
Монета:
Kawpow
Mem. vendor: SK Hynix H5GQ8H24MJR
Хешрейт: 13.34 MH/s
Wt (socket) 125
Core: 1076
Mem.: 1925
Core voltage: 794
Mem. voltage:
VDDCI voltage: 800
Чиста печалба
0.127$
Монета:
Kawpow
Mem. vendor: Samsung K4G41325FE
Хешрейт: 12.99 MH/s
Wt (socket) 97
Core: 1050
Mem.: 1950
Core voltage: 775
Mem. voltage:
VDDCI voltage: 750
Чиста печалба
0.124$
Монета:
Autolykos
Mem. vendor: SK Hynix H5GC8H24AJR
Хешрейт: 59.33 MH/s
Wt (socket) 117
Core: 1200
Mem.: 1963
Core voltage: 896
Mem. voltage:
VDDCI voltage: 800
Чиста печалба
0.122$
Монета:
Autolykos
Mem. vendor: Samsung K4G80325FC
Хешрейт: 58.39 MH/s
Wt (socket) 103
Core: 1200
Mem.: 1920
Core voltage: 869
Mem. voltage:
VDDCI voltage: 800
Чиста печалба
0.12$
Монета:
Autolykos
Mem. vendor: Micron MT51J256M32
Хешрейт: 58.1 MH/s
Wt (socket) 105
Core: 1180
Mem.: 1925
Core voltage: 830
Mem. voltage:
VDDCI voltage: 800
Чиста печалба
0.119$
Монета:
Autolykos
Mem. vendor: SK Hynix H5GC4H24AJR
Хешрейт: 57.2 MH/s
Wt (socket) 115
Core: 1156
Mem.: 1875
Core voltage: 837
Mem. voltage:
VDDCI voltage: 800
Чиста печалба
0.117$
Монета:
Autolykos
Mem. vendor: Micron MT51J256M3
Хешрейт: 56.26 MH/s
Wt (socket) 109
Core: 1150
Mem.: 1850
Core voltage: 806
Mem. voltage:
VDDCI voltage: 800
Чиста печалба
0.115$
Монета:
Autolykos
Mem. vendor: Samsung K4G80325FB
Хешрейт: 55.82 MH/s
Wt (socket) 91
Core: 1135
Mem.: 1852
Core voltage: 837
Mem. voltage:
VDDCI voltage: 800
Чиста печалба
0.115$
Монета:
Autolykos
Mem. vendor: SK Hynix H5GQ8H24MJR
Хешрейт: 53.61 MH/s
Wt (socket) 73
Core: 1076
Mem.: 1762
Core voltage: 788
Mem. voltage:
VDDCI voltage: 800
Чиста печалба
0.11$
Монета:
Autolykos
Mem. vendor: SK Hynix H5GC8H24AJR
Хешрейт: 59.33 MH/s
Wt (socket) 117
Core: 1200
Mem.: 1963
Core voltage: 896
Mem. voltage:
VDDCI voltage: 800
Чиста печалба
0.11$
Монета:
Autolykos
Mem. vendor: Samsung K4G80325FC
Хешрейт: 58.39 MH/s
Wt (socket) 103
Core: 1200
Mem.: 1920
Core voltage: 869
Mem. voltage:
VDDCI voltage: 800
Чиста печалба
0.108$
Монета:
Autolykos
Mem. vendor: Micron MT51J256M32
Хешрейт: 58.1 MH/s
Wt (socket) 105
Core: 1180
Mem.: 1925
Core voltage: 830
Mem. voltage:
VDDCI voltage: 800
Чиста печалба
0.107$
Монета:
Autolykos
Mem. vendor: Samsung K4G41325FE
Хешрейт: 52.23 MH/s
Wt (socket) 57
Core: 1050
Mem.: 1788
Core voltage: 768
Mem. voltage:
VDDCI voltage: 750
Чиста печалба
0.107$
Монета:
Autolykos
Mem. vendor: SK Hynix H5GC4H24AJR
Хешрейт: 57.2 MH/s
Wt (socket) 115
Core: 1156
Mem.: 1875
Core voltage: 837
Mem. voltage:
VDDCI voltage: 800
Чиста печалба
0.106$
Монета:
Autolykos
Mem. vendor: Micron MT51J256M3
Хешрейт: 56.26 MH/s
Wt (socket) 109
Core: 1150
Mem.: 1850
Core voltage: 806
Mem. voltage:
VDDCI voltage: 800
Чиста печалба
0.104$
Монета:
Autolykos
Mem. vendor: Samsung K4G80325FB
Хешрейт: 55.82 MH/s
Wt (socket) 91
Core: 1135
Mem.: 1852
Core voltage: 837
Mem. voltage:
VDDCI voltage: 800
Чиста печалба
0.103$
Монета:
Autolykos
Mem. vendor: SK Hynix H5GQ8H24MJR
Хешрейт: 53.61 MH/s
Wt (socket) 73
Core: 1076
Mem.: 1762
Core voltage: 788
Mem. voltage:
VDDCI voltage: 800
Чиста печалба
0.099$
Монета:
Autolykos
Mem. vendor: Samsung K4G41325FE
Хешрейт: 52.23 MH/s
Wt (socket) 57
Core: 1050
Mem.: 1788
Core voltage: 768
Mem. voltage:
VDDCI voltage: 750
Чиста печалба
0.097$
Монета:
Verthash
Mem. vendor:
Хешрейт: 535 kH/s
Wt (socket)
Core:
Mem.:
Core voltage:
Mem. voltage:
VDDCI voltage:
Чиста печалба
0.096$
Монета:
Ethash
Mem. vendor: SK Hynix H5GC8H24AJR
Хешрейт: 32.57 MH/s
Wt (socket) 151
Core: 1200
Mem.: 2175
Core voltage: 910
Mem. voltage:
VDDCI voltage: 800
Чиста печалба
0.059$
Монета:
Ethash
Mem. vendor: Samsung K4G80325FC
Хешрейт: 32.05 MH/s
Wt (socket) 133
Core: 1200
Mem.: 2125
Core voltage: 882
Mem. voltage:
VDDCI voltage: 800
Чиста печалба
0.058$
Монета:
Ethash
Mem. vendor: Micron MT51J256M32
Хешрейт: 31.89 MH/s
Wt (socket) 136
Core: 1180
Mem.: 2125
Core voltage: 843
Mem. voltage: -
VDDCI voltage: 800
Чиста печалба
0.058$
Монета:
Etchash
Mem. vendor: SK Hynix H5GC8H24AJR
Хешрейт: 32.57 MH/s
Wt (socket) 151
Core: 1200
Mem.: 2175
Core voltage: 910
Mem. voltage:
VDDCI voltage: 800
Чиста печалба
0.057$
Монета:
Ethash
Mem. vendor: SK Hynix H5GC4H24AJR
Хешрейт: 31.4 MH/s
Wt (socket) 148
Core: 1156
Mem.: 2075
Core voltage: 850
Mem. voltage: -
VDDCI voltage: 800
Чиста печалба
0.057$
Монета:
Etchash
Mem. vendor: Samsung K4G80325FC
Хешрейт: 32.05 MH/s
Wt (socket) 133
Core: 1200
Mem.: 2125
Core voltage: 882
Mem. voltage:
VDDCI voltage: 800
Чиста печалба
0.056$
Монета:
Ethash
Mem. vendor: Micron MT51J256M3
Хешрейт: 30.88 MH/s
Wt (socket) 140
Core: 1150
Mem.: 2038
Core voltage: 818
Mem. voltage: -
VDDCI voltage: 800
Чиста печалба
0.056$
Монета:
Etchash
Mem. vendor: Micron MT51J256M32
Хешрейт: 31.89 MH/s
Wt (socket) 136
Core: 1180
Mem.: 2125
Core voltage: 843
Mem. voltage: -
VDDCI voltage: 800
Чиста печалба
0.056$
Монета:
Ethash
Mem. vendor: Samsung K4G80325FB
Хешрейт: 30.64 MH/s
Wt (socket) 117
Core: 1135
Mem.: 2050
Core voltage: 850
Mem. voltage: -
VDDCI voltage: 800
Чиста печалба
0.056$
Монета:
Etchash
Mem. vendor: SK Hynix H5GC4H24AJR
Хешрейт: 31.4 MH/s
Wt (socket) 148
Core: 1156
Mem.: 2075
Core voltage: 850
Mem. voltage: -
VDDCI voltage: 800
Чиста печалба
0.055$
Монета:
Etchash
Mem. vendor: Micron MT51J256M3
Хешрейт: 30.88 MH/s
Wt (socket) 140
Core: 1150
Mem.: 2038
Core voltage: 818
Mem. voltage: -
VDDCI voltage: 800
Чиста печалба
0.054$
Монета:
Etchash
Mem. vendor: Samsung K4G80325FB
Хешрейт: 30.64 MH/s
Wt (socket) 117
Core: 1135
Mem.: 2050
Core voltage: 850
Mem. voltage: -
VDDCI voltage: 800
Чиста печалба
0.054$
Монета:
Ethash
Mem. vendor: SK Hynix H5GQ8H24MJR
Хешрейт: 29.43 MH/s
Wt (socket) 94
Core: 1076
Mem.: 1950
Core voltage: 800
Mem. voltage: -
VDDCI voltage: 800
Чиста печалба
0.053$
Монета:
Etchash
Heavyhash
Mem. vendor: SK Hynix H5GC8H24AJR
Хешрейт: 30.3 MH/s 88.13 MH/s
Wt (socket) 211
Core: 1250
Mem.: 2150
Core voltage: 957
Mem. voltage:
VDDCI voltage: 800
Чиста печалба
0.053$
Монета:
Etchash
Heavyhash
Mem. vendor: Samsung K4G80325FC
Хешрейт: 29.82 MH/s 88.13 MH/s
Wt (socket) 186
Core: 1250
Mem.: 2100
Core voltage: 927
Mem. voltage:
VDDCI voltage: 800
Чиста печалба
0.052$
Монета:
Ethash
Mem. vendor: Samsung K4G41325FE
Хешрейт: 28.67 MH/s
Wt (socket) 73
Core: 1050
Mem.: 1975
Core voltage: 780
Mem. voltage: -
VDDCI voltage: 750
Чиста печалба
0.052$
Монета:
Etchash
Heavyhash
Mem. vendor: Micron MT51J256M32
Хешрейт: 29.67 MH/s 88.13 MH/s
Wt (socket) 190
Core: 1229
Mem.: 2100
Core voltage: 886
Mem. voltage:
VDDCI voltage: 800
Чиста печалба
0.052$
Монета:
Etchash
Mem. vendor: SK Hynix H5GQ8H24MJR
Хешрейт: 29.43 MH/s
Wt (socket) 94
Core: 1076
Mem.: 1950
Core voltage: 800
Mem. voltage: -
VDDCI voltage: 800
Чиста печалба
0.051$
Монета:
Etchash
Heavyhash
Mem. vendor: SK Hynix H5GC4H24AJR
Хешрейт: 29.21 MH/s 88.13 MH/s
Wt (socket) 207
Core: 1204
Mem.: 2050
Core voltage: 894
Mem. voltage:
VDDCI voltage: 800
Чиста печалба
0.051$
Монета:
Etchash
Heavyhash
Mem. vendor: Micron MT51J256M3
Хешрейт: 28.73 MH/s 88.13 MH/s
Wt (socket) 196
Core: 1198
Mem.: 2013
Core voltage: 860
Mem. voltage:
VDDCI voltage: 800
Чиста печалба
0.05$
Монета:
Etchash
Mem. vendor: Samsung K4G41325FE
Хешрейт: 28.67 MH/s
Wt (socket) 73
Core: 1050
Mem.: 1975
Core voltage: 780
Mem. voltage: -
VDDCI voltage: 750
Чиста печалба
0.05$
Монета:
Etchash
Heavyhash
Mem. vendor: Samsung K4G80325FB
Хешрейт: 28.51 MH/s 88.13 MH/s
Wt (socket) 164
Core: 1182
Mem.: 2025
Core voltage: 894
Mem. voltage:
VDDCI voltage: 800
Чиста печалба
0.05$
Монета:
Etchash
Heavyhash
Mem. vendor: SK Hynix H5GQ8H24MJR
Хешрейт: 27.38 MH/s 88.13 MH/s
Wt (socket) 132
Core: 1120
Mem.: 1925
Core voltage: 841
Mem. voltage:
VDDCI voltage: 800
Чиста печалба
0.048$
Монета:
Etchash
Heavyhash
Mem. vendor: Samsung K4G41325FE
Хешрейт: 26.67 MH/s 88.13 MH/s
Wt (socket) 102
Core: 1093
Mem.: 1950
Core voltage: 820
Mem. voltage:
VDDCI voltage: 750
Чиста печалба
0.047$
Монета:
NexaPow
Mem. vendor: Micron MT51J256M3
Хешрейт: 14.6 MH/s
Wt (socket)
Core:
Mem.:
Core voltage:
Mem. voltage:
VDDCI voltage:
Чиста печалба
0.037$
Монета:
NexaPow
Mem. vendor: Micron MT51J256M32
Хешрейт: 14.6 MH/s
Wt (socket)
Core:
Mem.:
Core voltage:
Mem. voltage:
VDDCI voltage:
Чиста печалба
0.037$
Монета:
NexaPow
Mem. vendor: Samsung K4G80325FB
Хешрейт: 14.6 MH/s
Wt (socket)
Core:
Mem.:
Core voltage:
Mem. voltage:
VDDCI voltage:
Чиста печалба
0.037$
Монета:
NexaPow
Mem. vendor: SK Hynix H5GC4H24AJR
Хешрейт: 14.6 MH/s
Wt (socket)
Core:
Mem.:
Core voltage:
Mem. voltage:
VDDCI voltage:
Чиста печалба
0.037$
Монета:
NexaPow
Mem. vendor: Samsung K4G41325FE
Хешрейт: 14.6 MH/s
Wt (socket)
Core:
Mem.:
Core voltage:
Mem. voltage:
VDDCI voltage:
Чиста печалба
0.037$
Монета:
NexaPow
Mem. vendor: SK Hynix H5GQ8H24MJR
Хешрейт: 14.6 MH/s
Wt (socket)
Core:
Mem.:
Core voltage:
Mem. voltage:
VDDCI voltage:
Чиста печалба
0.037$
Монета:
NexaPow
Mem. vendor: SK Hynix H5GC8H24AJR
Хешрейт: 14.6 MH/s
Wt (socket)
Core:
Mem.:
Core voltage:
Mem. voltage:
VDDCI voltage:
Чиста печалба
0.037$
Монета:
NexaPow
Mem. vendor: Samsung K4G80325FC
Хешрейт: 14.6 MH/s
Wt (socket)
Core:
Mem.:
Core voltage:
Mem. voltage:
VDDCI voltage:
Чиста печалба
0.037$
Монета:
Blake 3
Mem. vendor: SK Hynix H5GC8H24AJR
Хешрейт: 0.482 GH/s
Wt (socket) 128
Core: 1265
Mem.: 300
Core voltage: 918
Mem. voltage:
VDDCI voltage: 800
Чиста печалба
0.001$
Монета:
Blake 3
Mem. vendor: Samsung K4G80325FC
Хешрейт: 0.474 GH/s
Wt (socket) 113
Core: 1265
Mem.: 300
Core voltage: 893
Mem. voltage:
VDDCI voltage: 800
Чиста печалба
0.001$
Монета:
Blake 3
Mem. vendor: Micron MT51J256M32
Хешрейт: 0.472 GH/s
Wt (socket) 116
Core: 1244
Mem.: 300
Core voltage: 856
Mem. voltage:
VDDCI voltage: 800
Чиста печалба
0.001$
Монета:
Blake 3
Mem. vendor: SK Hynix H5GC4H24AJR
Хешрейт: 0.464 GH/s
Wt (socket) 126
Core: 1219
Mem.: 300
Core voltage: 862
Mem. voltage:
VDDCI voltage: 800
Чиста печалба
0.001$
Монета:
Blake 3
Mem. vendor: Micron MT51J256M3
Хешрейт: 0.457 GH/s
Wt (socket) 119
Core: 1212
Mem.: 300
Core voltage: 831
Mem. voltage:
VDDCI voltage: 800
Чиста печалба
0.001$
Монета:
Blake 3
Mem. vendor: Samsung K4G80325FB
Хешрейт: 0.453 GH/s
Wt (socket) 99
Core: 1197
Mem.: 300
Core voltage: 862
Mem. voltage:
VDDCI voltage: 800
Чиста печалба
0.001$
Монета:
Blake 3
Mem. vendor: SK Hynix H5GQ8H24MJR
Хешрейт: 0.435 GH/s
Wt (socket) 80
Core: 1134
Mem.: 300
Core voltage: 812
Mem. voltage:
VDDCI voltage: 800
Чиста печалба
0.001$
Монета:
Blake 3
Mem. vendor: Samsung K4G41325FE
Хешрейт: 0.424 GH/s
Wt (socket) 76
Core: 1107
Mem.: 300
Core voltage: 793
Mem. voltage:
VDDCI voltage: 800
Чиста печалба
0.001$
Монета:
Heavyhash
Mem. vendor: SK Hynix H5GC8H24AJR
Хешрейт: 148.94 MH/s
Wt (socket) 132
Core: 1265
Mem.: 300
Core voltage: 923
Mem. voltage:
VDDCI voltage: 800
Чиста печалба
0$
Монета:
Heavyhash
Mem. vendor: Samsung K4G80325FC
Хешрейт: 146.56 MH/s
Wt (socket) 116
Core: 1265
Mem.: 300
Core voltage: 894
Mem. voltage:
VDDCI voltage: 800
Чиста печалба
0$
Монета:
Heavyhash
Mem. vendor: Micron MT51J256M32
Хешрейт: 145.83 MH/s
Wt (socket) 119
Core: 1244
Mem.: 300
Core voltage: 855
Mem. voltage:
VDDCI voltage: 800
Чиста печалба
0$
Монета:
Heavyhash
Mem. vendor: SK Hynix H5GC4H24AJR
Хешрейт: 143.59 MH/s
Wt (socket) 130
Core: 1219
Mem.: 300
Core voltage: 862
Mem. voltage:
VDDCI voltage: 800
Чиста печалба
0$
Монета:
Heavyhash
Mem. vendor: Micron MT51J256M3
Хешрейт: 141.21 MH/s
Wt (socket) 123
Core: 1212
Mem.: 300
Core voltage: 829
Mem. voltage:
VDDCI voltage: 800
Чиста печалба
0$
Монета:
Heavyhash
Mem. vendor: Samsung K4G80325FB
Хешрейт: 140.11 MH/s
Wt (socket) 102
Core: 1197
Mem.: 300
Core voltage: 862
Mem. voltage:
VDDCI voltage: 800
Чиста печалба
0$
Монета:
Heavyhash
Mem. vendor: SK Hynix H5GQ8H24MJR
Хешрейт: 134.58 MH/s
Wt (socket) 82
Core: 1134
Mem.: 300
Core voltage: 811
Mem. voltage:
VDDCI voltage: 800
Чиста печалба
0$
Монета:
Heavyhash
Mem. vendor: Samsung K4G41325FE
Хешрейт: 131.1 MH/s
Wt (socket) 64
Core: 1107
Mem.: 300
Core voltage: 791
Mem. voltage:
VDDCI voltage: 750
Чиста печалба
0$
Производител
AMD
Дата на излизане
2017
Процесор
Polaris 20
Начална цена
169.00$
Текуща цена
235.00$
TDP
150W
Тип памет
GDDR5
Памет
4GB
Ширина на шината
256
AMD RX570 4 GB графична карта хешрейт
Дата на издаване и цена
Графичната карта AMD RX570 беше пусната през 2017 г. Цената към момента на пускане е - 169.00 $. Текущата приблизителна цена е - 235.00 $. Моля, разгледайте промяната в цената от годината, в която е пусната, преди да решите дали да закупите карта AMD RX570 card.
RX570 в майнинг
Най -доброто от всичко в момента е, че графичният процесор RX570 добива - Zano, раздавайки 13 MH/s. За ден с дневна трудност ще спечелите 0.193 $, тоест при текущата цена картата ще бъде спечелена след 1215 дни.
Консумация RX570
TDP на видеокартата е 150 вата, докато при копаенето средната RX570 карта консумира 120 вата.
