AMD RX580 4 GB
 Монета 
 Mem.
vendor
vendor
 Хешрейт 
Wt (socket)
 Core 
 Mem. 
 Core
voltage
voltage
 Mem.
voltage
voltage
 VDDCI
voltage
voltage
Чиста печалба
Монета:

ProgPowZ
Mem. vendor:  
Хешрейт: 14 MH/s 
Wt (socket)  
Core:  
Mem.:  
Core voltage:  
Mem. voltage:  
VDDCI voltage:  
Чиста печалба
0.108$
Монета:

Kawpow
Mem. vendor: Micron MT51J256M32 
Хешрейт: 15.67 MH/s 
Wt (socket) 176 
Core: 1170 
Mem.: 2075 
Core voltage: 843 
Mem. voltage:  
VDDCI voltage: 800 
Чиста печалба
0.088$
Монета:

Kawpow
Mem. vendor: SK Hynix H5GC8H24AJR 
Хешрейт: 15.52 MH/s 
Wt (socket) 179 
Core: 1160 
Mem.: 2100 
Core voltage: 806 
Mem. voltage:  
VDDCI voltage: 800 
Чиста печалба
0.087$
Монета:

Kawpow
Mem. vendor: Samsung K4G41325FE 
Хешрейт: 15.28 MH/s 
Wt (socket) 176 
Core: 1156 
Mem.: 2050 
Core voltage: 862 
Mem. voltage:  
VDDCI voltage: 800 
Чиста печалба
0.086$
Монета:

Kawpow
Mem. vendor: SK Hynix H5GC4H24AJR 
Хешрейт: 15.23 MH/s 
Wt (socket) 164 
Core: 1150 
Mem.: 2055 
Core voltage: 781 
Mem. voltage:  
VDDCI voltage: 800 
Чиста печалба
0.086$
Монета:

Kawpow
Mem. vendor: Samsung K4G80325FB 
Хешрейт: 15.07 MH/s 
Wt (socket) 168 
Core: 1150 
Mem.: 2013 
Core voltage: 818 
Mem. voltage:  
VDDCI voltage: 800 
Чиста печалба
0.085$
Монета:

Kawpow
Mem. vendor: Samsung K4G80325FC 
Хешрейт: 15.05 MH/s 
Wt (socket) 163 
Core: 1150 
Mem.: 2025 
Core voltage: 818 
Mem. voltage:  
VDDCI voltage: 800 
Чиста печалба
0.085$
Монета:

Kawpow
Mem. vendor: SK Hynix H5GQ8H24MJR 
Хешрейт: 14.97 MH/s 
Wt (socket) 178 
Core: 1166 
Mem.: 2063 
Core voltage: 818 
Mem. voltage:  
VDDCI voltage: 800 
Чиста печалба
0.084$
Монета:

Kawpow
Mem. vendor: Micron MT51J256M3 
Хешрейт: 14.65 MH/s 
Wt (socket) 188 
Core: 1120 
Mem.: 1975 
Core voltage: 868 
Mem. voltage:  
VDDCI voltage: 800 
Чиста печалба
0.082$
Монета:

Kawpow
Mem. vendor: Elpida EDW4032BABG 
Хешрейт: 14.43 MH/s 
Wt (socket) 139 
Core: 1090 
Mem.: 1738 
Core voltage: 843 
Mem. voltage:  
VDDCI voltage: 800 
Чиста печалба
0.081$
Монета:

Kawpow
Mem. vendor:  
Хешрейт: 14 MH/s 
Wt (socket)  
Core:  
Mem.:  
Core voltage:  
Mem. voltage:  
VDDCI voltage:  
Чиста печалба
0.075$
Монета:

Autolykos
Mem. vendor: Micron MT51J256M32 
Хешрейт: 63 MH/s 
Wt (socket) 103 
Core: 1170 
Mem.: 1900 
Core voltage: 837 
Mem. voltage:  
VDDCI voltage: 800 
Чиста печалба
0.06$
Монета:

Autolykos
Mem. vendor: SK Hynix H5GC8H24AJR 
Хешрейт: 62.37 MH/s 
Wt (socket) 105 
Core: 1160 
Mem.: 1925 
Core voltage: 800 
Mem. voltage:  
VDDCI voltage: 800 
Чиста печалба
0.059$
Монета:

Autolykos
Mem. vendor: Samsung K4G41325FE 
Хешрейт: 61.41 MH/s 
Wt (socket) 103 
Core: 1156 
Mem.: 1875 
Core voltage: 856 
Mem. voltage:  
VDDCI voltage: 800 
Чиста печалба
0.058$
Монета:

Autolykos
Mem. vendor: SK Hynix H5GC4H24AJR 
Хешрейт: 61.23 MH/s 
Wt (socket) 96 
Core: 1150 
Mem.: 1875 
Core voltage: 775 
Mem. voltage:  
VDDCI voltage: 800 
Чиста печалба
0.058$
Монета:

Autolykos
Mem. vendor: Samsung K4G80325FB 
Хешрейт: 60.57 MH/s 
Wt (socket) 98 
Core: 1150 
Mem.: 1838 
Core voltage: 812 
Mem. voltage:  
VDDCI voltage: 800 
Чиста печалба
0.058$
Монета:

Autolykos
Mem. vendor: Samsung K4G80325FC 
Хешрейт: 60.51 MH/s 
Wt (socket) 95 
Core: 1150 
Mem.: 1850 
Core voltage: 812 
Mem. voltage:  
VDDCI voltage: 800 
Чиста печалба
0.058$
Монета:

Autolykos
Mem. vendor: SK Hynix H5GQ8H24MJR 
Хешрейт: 60.18 MH/s 
Wt (socket) 104 
Core: 1166 
Mem.: 1888 
Core voltage: 812 
Mem. voltage:  
VDDCI voltage: 800 
Чиста печалба
0.057$
Монета:

Autolykos
Mem. vendor: Micron MT51J256M3 
Хешрейт: 58.9 MH/s 
Wt (socket) 110 
Core: 1120 
Mem.: 1800 
Core voltage: 862 
Mem. voltage:  
VDDCI voltage: 800 
Чиста печалба
0.056$
Монета:

Autolykos
Mem. vendor: Elpida EDW4032BABG 
Хешрейт: 57.98 MH/s 
Wt (socket) 81 
Core: 1090 
Mem.: 1738 
Core voltage: 843 
Mem. voltage:  
VDDCI voltage: 800 
Чиста печалба
0.055$
Монета:

NexaPow
Mem. vendor:  
Хешрейт: 16.6 MH/s 
Wt (socket)  
Core:  
Mem.:  
Core voltage:  
Mem. voltage:  
VDDCI voltage:  
Чиста печалба
0.03$
Монета:

Etchash
Mem. vendor: Micron MT51J256M32 
Хешрейт: 32.16 MH/s 
Wt (socket) 133 
Core: 1170 
Mem.: 2100 
Core voltage: 850 
Mem. voltage: - 
VDDCI voltage: 800 
Чиста печалба
0.024$
Монета:

Etchash
Mem. vendor: SK Hynix H5GC8H24AJR 
Хешрейт: 31.84 MH/s 
Wt (socket) 135 
Core: 1160 
Mem.: 2125 
Core voltage: 812 
Mem. voltage: - 
VDDCI voltage: 800 
Чиста печалба
0.024$
Монета:

Etchash
Mem. vendor: Samsung K4G41325FE 
Хешрейт: 31.35 MH/s 
Wt (socket) 133 
Core: 1156 
Mem.: 2075 
Core voltage: 868 
Mem. voltage: - 
VDDCI voltage: 800 
Чиста печалба
0.023$
Монета:

Etchash
Mem. vendor: SK Hynix H5GC4H24AJR 
Хешрейт: 31.26 MH/s 
Wt (socket) 124 
Core: 1150 
Mem.: 2080 
Core voltage: 787 
Mem. voltage: - 
VDDCI voltage: 800 
Чиста печалба
0.023$
Монета:

Etchash
Mem. vendor: Samsung K4G80325FB 
Хешрейт: 30.92 MH/s 
Wt (socket) 127 
Core: 1150 
Mem.: 2038 
Core voltage: 825 
Mem. voltage: - 
VDDCI voltage: 800 
Чиста печалба
0.023$
Монета:

Etchash
Mem. vendor: Samsung K4G80325FC 
Хешрейт: 30.89 MH/s 
Wt (socket) 123 
Core: 1150 
Mem.: 2050 
Core voltage: 825 
Mem. voltage: - 
VDDCI voltage: 800 
Чиста печалба
0.023$
Монета:

Etchash
Mem. vendor: SK Hynix H5GQ8H24MJR 
Хешрейт: 30.72 MH/s 
Wt (socket) 134 
Core: 1166 
Mem.: 2088 
Core voltage: 825 
Mem. voltage: - 
VDDCI voltage: 800 
Чиста печалба
0.023$
Монета:

Ethash
Mem. vendor: Micron MT51J256M32 
Хешрейт: 32.16 MH/s 
Wt (socket) 133 
Core: 1170 
Mem.: 2100 
Core voltage: 850 
Mem. voltage: - 
VDDCI voltage: 800 
Чиста печалба
0.023$
Монета:

Etchash
Mem. vendor: Micron MT51J256M3 
Хешрейт: 30.07 MH/s 
Wt (socket) 142 
Core: 1120 
Mem.: 2000 
Core voltage: 875 
Mem. voltage: - 
VDDCI voltage: 800 
Чиста печалба
0.023$
Монета:

Ethash
Mem. vendor: SK Hynix H5GC8H24AJR 
Хешрейт: 31.84 MH/s 
Wt (socket) 135 
Core: 1160 
Mem.: 2125 
Core voltage: 812 
Mem. voltage: - 
VDDCI voltage: 800 
Чиста печалба
0.022$
Монета:


Etchash

Heavyhash
Mem. vendor: Micron MT51J256M32 
Хешрейт: 29.92 MH/s  117.5 MH/s 
Wt (socket) 186 
Core: 1218 
Mem.: 2075 
Core voltage: 893 
Mem. voltage:  
VDDCI voltage: 800 
Чиста печалба
0.022$
Монета:


Etchash

Heavyhash
Mem. vendor: SK Hynix H5GC8H24AJR 
Хешрейт: 29.62 MH/s  117.5 MH/s 
Wt (socket) 189 
Core: 1208 
Mem.: 2100 
Core voltage: 856 
Mem. voltage:  
VDDCI voltage: 800 
Чиста печалба
0.022$
Монета:

Etchash
Mem. vendor: Elpida EDW4032BABG 
Хешрейт: 29.6 MH/s 
Wt (socket) 105 
Core: 1090 
Mem.: 1925 
Core voltage: 856 
Mem. voltage: - 
VDDCI voltage: 800 
Чиста печалба
0.022$
Монета:

Ethash
Mem. vendor: Samsung K4G41325FE 
Хешрейт: 31.35 MH/s 
Wt (socket) 133 
Core: 1156 
Mem.: 2075 
Core voltage: 868 
Mem. voltage: - 
VDDCI voltage: 800 
Чиста печалба
0.022$
Монета:

Ethash
Mem. vendor: SK Hynix H5GC4H24AJR 
Хешрейт: 31.26 MH/s 
Wt (socket) 124 
Core: 1150 
Mem.: 2080 
Core voltage: 787 
Mem. voltage: - 
VDDCI voltage: 800 
Чиста печалба
0.022$
Монета:


Etchash

Heavyhash
Mem. vendor: Samsung K4G41325FE 
Хешрейт: 29.17 MH/s  117.5 MH/s 
Wt (socket) 186 
Core: 1204 
Mem.: 2050 
Core voltage: 912 
Mem. voltage:  
VDDCI voltage: 800 
Чиста печалба
0.022$
Монета:

Ethash
Mem. vendor: Samsung K4G80325FB 
Хешрейт: 30.92 MH/s 
Wt (socket) 127 
Core: 1150 
Mem.: 2038 
Core voltage: 825 
Mem. voltage: - 
VDDCI voltage: 800 
Чиста печалба
0.022$
Монета:

Ethash
Mem. vendor: Samsung K4G80325FC 
Хешрейт: 30.89 MH/s 
Wt (socket) 123 
Core: 1150 
Mem.: 2050 
Core voltage: 825 
Mem. voltage: - 
VDDCI voltage: 800 
Чиста печалба
0.022$
Монета:


Etchash

Heavyhash
Mem. vendor: SK Hynix H5GC4H24AJR 
Хешрейт: 29.08 MH/s  117.5 MH/s 
Wt (socket) 174 
Core: 1198 
Mem.: 2050 
Core voltage: 825 
Mem. voltage:  
VDDCI voltage: 800 
Чиста печалба
0.022$
Монета:

Ethash
Mem. vendor: SK Hynix H5GQ8H24MJR 
Хешрейт: 30.72 MH/s 
Wt (socket) 134 
Core: 1166 
Mem.: 2088 
Core voltage: 825 
Mem. voltage: - 
VDDCI voltage: 800 
Чиста печалба
0.022$
Монета:


Etchash

Heavyhash
Mem. vendor: Samsung K4G80325FB 
Хешрейт: 28.77 MH/s  117.5 MH/s 
Wt (socket) 178 
Core: 1198 
Mem.: 2013 
Core voltage: 868 
Mem. voltage:  
VDDCI voltage: 800 
Чиста печалба
0.022$
Монета:


Etchash

Heavyhash
Mem. vendor: Samsung K4G80325FC 
Хешрейт: 28.74 MH/s  117.5 MH/s 
Wt (socket) 172 
Core: 1198 
Mem.: 2025 
Core voltage: 868 
Mem. voltage:  
VDDCI voltage: 800 
Чиста печалба
0.022$
Монета:


Etchash

Heavyhash
Mem. vendor: SK Hynix H5GQ8H24MJR 
Хешрейт: 28.58 MH/s  117.5 MH/s 
Wt (socket) 188 
Core: 1214 
Mem.: 2063 
Core voltage: 868 
Mem. voltage:  
VDDCI voltage: 800 
Чиста печалба
0.021$
Монета:

Ethash
Mem. vendor: Micron MT51J256M3 
Хешрейт: 30.07 MH/s 
Wt (socket) 142 
Core: 1120 
Mem.: 2000 
Core voltage: 875 
Mem. voltage: - 
VDDCI voltage: 800 
Чиста печалба
0.021$
Монета:


Etchash

Heavyhash
Mem. vendor: Micron MT51J256M3 
Хешрейт: 27.98 MH/s  117.5 MH/s 
Wt (socket) 199 
Core: 1166 
Mem.: 1975 
Core voltage: 918 
Mem. voltage:  
VDDCI voltage: 800 
Чиста печалба
0.021$
Монета:

Ethash
Mem. vendor: Elpida EDW4032BABG 
Хешрейт: 29.6 MH/s 
Wt (socket) 105 
Core: 1090 
Mem.: 1925 
Core voltage: 856 
Mem. voltage: - 
VDDCI voltage: 800 
Чиста печалба
0.021$
Монета:


Etchash

Heavyhash
Mem. vendor: Elpida EDW4032BABG 
Хешрейт: 27.54 MH/s  117.5 MH/s 
Wt (socket) 147 
Core: 1135 
Mem.: 1900 
Core voltage: 900 
Mem. voltage:  
VDDCI voltage: 800 
Чиста печалба
0.021$
Монета:

Blake 3
Mem. vendor: Micron MT51J256M32 
Хешрейт: 0.54 GH/s 
Wt (socket) 113 
Core: 1233 
Mem.: 300 
Core voltage: 862 
Mem. voltage:  
VDDCI voltage: 800 
Чиста печалба
0$
Монета:

Blake 3
Mem. vendor: SK Hynix H5GC8H24AJR 
Хешрейт: 0.535 GH/s 
Wt (socket) 115 
Core: 1223 
Mem.: 300 
Core voltage: 825 
Mem. voltage:  
VDDCI voltage: 800 
Чиста печалба
0$
Монета:

Blake 3
Mem. vendor: Samsung K4G41325FE 
Хешрейт: 0.527 GH/s 
Wt (socket) 113 
Core: 1219 
Mem.: 300 
Core voltage: 881 
Mem. voltage:  
VDDCI voltage: 800 
Чиста печалба
0$
Монета:

Blake 3
Mem. vendor: SK Hynix H5GC4H24AJR 
Хешрейт: 0.525 GH/s 
Wt (socket) 105 
Core: 1212 
Mem.: 300 
Core voltage: 800 
Mem. voltage:  
VDDCI voltage: 800 
Чиста печалба
0$
Монета:

Blake 3
Mem. vendor: Samsung K4G80325FB 
Хешрейт: 0.52 GH/s 
Wt (socket) 108 
Core: 1212 
Mem.: 300 
Core voltage: 837 
Mem. voltage:  
VDDCI voltage: 800 
Чиста печалба
0$
Монета:

Blake 3
Mem. vendor: Samsung K4G80325FC 
Хешрейт: 0.519 GH/s 
Wt (socket) 105 
Core: 1212 
Mem.: 300 
Core voltage: 837 
Mem. voltage:  
VDDCI voltage: 800 
Чиста печалба
0$
Монета:

Blake 3
Mem. vendor: SK Hynix H5GQ8H24MJR 
Хешрейт: 0.516 GH/s 
Wt (socket) 114 
Core: 1229 
Mem.: 300 
Core voltage: 837 
Mem. voltage:  
VDDCI voltage: 800 
Чиста печалба
0$
Монета:

Blake 3
Mem. vendor: Micron MT51J256M3 
Хешрейт: 0.505 GH/s 
Wt (socket) 121 
Core: 1181 
Mem.: 300 
Core voltage: 887 
Mem. voltage:  
VDDCI voltage: 800 
Чиста печалба
0$
Монета:

Blake 3
Mem. vendor: Elpida EDW4032BABG 
Хешрейт: 0.497 GH/s 
Wt (socket) 89 
Core: 1149 
Mem.: 300 
Core voltage: 868 
Mem. voltage:  
VDDCI voltage: 800 
Чиста печалба
0$
Монета:

Verthash
Mem. vendor:  
Хешрейт: 535 kH/s 
Wt (socket)  
Core:  
Mem.:  
Core voltage:  
Mem. voltage:  
VDDCI voltage:  
Чиста печалба
0$
Монета:

Heavyhash
Mem. vendor: Micron MT51J256M32 
Хешрейт: 173.01 MH/s 
Wt (socket) 116 
Core: 1233 
Mem.: 300 
Core voltage: 862 
Mem. voltage:  
VDDCI voltage: 800 
Чиста печалба
0$
Монета:

Heavyhash
Mem. vendor: SK Hynix H5GC8H24AJR 
Хешрейт: 171.29 MH/s 
Wt (socket) 118 
Core: 1223 
Mem.: 300 
Core voltage: 825 
Mem. voltage:  
VDDCI voltage: 770 
Чиста печалба
0$
Монета:

Heavyhash
Mem. vendor: Samsung K4G41325FE 
Хешрейт: 168.66 MH/s 
Wt (socket) 116 
Core: 1219 
Mem.: 300 
Core voltage: 875 
Mem. voltage:  
VDDCI voltage: 800 
Чиста печалба
0$
Монета:

Heavyhash
Mem. vendor: SK Hynix H5GC4H24AJR 
Хешрейт: 168.17 MH/s 
Wt (socket) 109 
Core: 1212 
Mem.: 300 
Core voltage: 800 
Mem. voltage:  
VDDCI voltage: 800 
Чиста печалба
0$
Монета:

Heavyhash
Mem. vendor: Samsung K4G80325FB 
Хешрейт: 166.34 MH/s 
Wt (socket) 111 
Core: 1212 
Mem.: 300 
Core voltage: 837 
Mem. voltage:  
VDDCI voltage: 800 
Чиста печалба
0$
Монета:

Heavyhash
Mem. vendor: Samsung K4G80325FC 
Хешрейт: 166.18 MH/s 
Wt (socket) 108 
Core: 1212 
Mem.: 300 
Core voltage: 837 
Mem. voltage:  
VDDCI voltage: 800 
Чиста печалба
0$
Монета:

Heavyhash
Mem. vendor: SK Hynix H5GQ8H24MJR 
Хешрейт: 165.27 MH/s 
Wt (socket) 117 
Core: 1229 
Mem.: 300 
Core voltage: 837 
Mem. voltage:  
VDDCI voltage: 800 
Чиста печалба
0$
Монета:

Heavyhash
Mem. vendor: Micron MT51J256M3 
Хешрейт: 161.77 MH/s 
Wt (socket) 124 
Core: 1181 
Mem.: 300 
Core voltage: 887 
Mem. voltage:  
VDDCI voltage: 800 
Чиста печалба
0$
Монета:

Heavyhash
Mem. vendor: Elpida EDW4032BABG 
Хешрейт: 159.24 MH/s 
Wt (socket) 92 
Core: 1149 
Mem.: 300 
Core voltage: 868 
Mem. voltage:  
VDDCI voltage: 800 
Чиста печалба
0$
 Производител 
AMD
 Дата на излизане 
2017
 Процесор 
Polaris 20
 Начална цена 
229.00$
 Текуща цена 
235.00$
 TDP 
185W
 Тип памет 
GDDR5
 Памет 
4GB
 Ширина на шината 
256
AMD RX580 4 GB графична карта хешрейт
Дата на издаване и цена
Графичната карта AMD RX580 беше пусната през 2017 г. Цената към момента на пускане е - 229.00 $. Текущата приблизителна цена е - 235.00 $. Моля, разгледайте промяната в цената от годината, в която е пусната, преди да решите дали да закупите карта AMD RX580 card.
RX580 в майнинг
Най -доброто от всичко в момента е, че графичният процесор RX580 добива - Zano, раздавайки 14 MH/s. За ден с дневна трудност ще спечелите 0.108 $, тоест при текущата цена картата ще бъде спечелена след 2169 дни.
Консумация RX580
TDP на видеокартата е 185 вата, докато при копаенето средната RX580 карта консумира 148 вата.


















