AMD RX580 8 GB
Монета
Mem.
vendor
vendor
Хешрейт
Wt (socket)
Core
Mem.
Core
voltage
voltage
Mem.
voltage
voltage
VDDCI
voltage
voltage
Чиста печалба
Монета:
Kawpow
Mem. vendor: Micron MT51J256M32
Хешрейт: 15.67 MH/s
Wt (socket) 176
Core: 1170
Mem.: 2075
Core voltage: 843
Mem. voltage:
VDDCI voltage: 800
Чиста печалба
0.318$
Монета:
Kawpow
Mem. vendor: SK Hynix H5GC8H24AJR
Хешрейт: 15.52 MH/s
Wt (socket) 179
Core: 1160
Mem.: 2100
Core voltage: 806
Mem. voltage:
VDDCI voltage: 800
Чиста печалба
0.315$
Монета:
Kawpow
Mem. vendor: Samsung K4G41325FE
Хешрейт: 15.28 MH/s
Wt (socket) 176
Core: 1156
Mem.: 2050
Core voltage: 862
Mem. voltage:
VDDCI voltage: 800
Чиста печалба
0.31$
Монета:
Kawpow
Mem. vendor: SK Hynix H5GC4H24AJR
Хешрейт: 15.23 MH/s
Wt (socket) 164
Core: 1150
Mem.: 2055
Core voltage: 781
Mem. voltage:
VDDCI voltage: 800
Чиста печалба
0.309$
Монета:
Kawpow
Mem. vendor: Samsung K4G80325FB
Хешрейт: 15.07 MH/s
Wt (socket) 168
Core: 1150
Mem.: 2013
Core voltage: 818
Mem. voltage:
VDDCI voltage: 800
Чиста печалба
0.305$
Монета:
Kawpow
Mem. vendor: Samsung K4G80325FC
Хешрейт: 15.05 MH/s
Wt (socket) 163
Core: 1150
Mem.: 2025
Core voltage: 818
Mem. voltage:
VDDCI voltage: 800
Чиста печалба
0.305$
Монета:
Kawpow
Mem. vendor: SK Hynix H5GQ8H24MJR
Хешрейт: 14.97 MH/s
Wt (socket) 178
Core: 1166
Mem.: 2063
Core voltage: 818
Mem. voltage:
VDDCI voltage: 800
Чиста печалба
0.303$
Монета:
Kawpow
Mem. vendor: Micron MT51J256M3
Хешрейт: 14.65 MH/s
Wt (socket) 188
Core: 1120
Mem.: 1975
Core voltage: 868
Mem. voltage:
VDDCI voltage: 800
Чиста печалба
0.297$
Монета:
Kawpow
Mem. vendor: Elpida EDW4032BABG
Хешрейт: 14.43 MH/s
Wt (socket) 139
Core: 1090
Mem.: 1738
Core voltage: 843
Mem. voltage:
VDDCI voltage: 800
Чиста печалба
0.292$
Монета:
Kawpow
Mem. vendor: Micron MT51J256M32
Хешрейт: 15.67 MH/s
Wt (socket) 176
Core: 1170
Mem.: 2075
Core voltage: 843
Mem. voltage:
VDDCI voltage: 800
Чиста печалба
0.274$
Монета:
Kawpow
Mem. vendor: SK Hynix H5GC8H24AJR
Хешрейт: 15.52 MH/s
Wt (socket) 179
Core: 1160
Mem.: 2100
Core voltage: 806
Mem. voltage:
VDDCI voltage: 800
Чиста печалба
0.271$
Монета:
Kawpow
Mem. vendor: Samsung K4G41325FE
Хешрейт: 15.28 MH/s
Wt (socket) 176
Core: 1156
Mem.: 2050
Core voltage: 862
Mem. voltage:
VDDCI voltage: 800
Чиста печалба
0.267$
Монета:
Kawpow
Mem. vendor: SK Hynix H5GC4H24AJR
Хешрейт: 15.23 MH/s
Wt (socket) 164
Core: 1150
Mem.: 2055
Core voltage: 781
Mem. voltage:
VDDCI voltage: 800
Чиста печалба
0.266$
Монета:
Kawpow
Mem. vendor: Samsung K4G80325FB
Хешрейт: 15.07 MH/s
Wt (socket) 168
Core: 1150
Mem.: 2013
Core voltage: 818
Mem. voltage:
VDDCI voltage: 800
Чиста печалба
0.263$
Монета:
Kawpow
Mem. vendor: Samsung K4G80325FC
Хешрейт: 15.05 MH/s
Wt (socket) 163
Core: 1150
Mem.: 2025
Core voltage: 818
Mem. voltage:
VDDCI voltage: 800
Чиста печалба
0.263$
Монета:
Kawpow
Mem. vendor: SK Hynix H5GQ8H24MJR
Хешрейт: 14.97 MH/s
Wt (socket) 178
Core: 1166
Mem.: 2063
Core voltage: 818
Mem. voltage:
VDDCI voltage: 800
Чиста печалба
0.261$
Монета:
Kawpow
Mem. vendor: Micron MT51J256M3
Хешрейт: 14.65 MH/s
Wt (socket) 188
Core: 1120
Mem.: 1975
Core voltage: 868
Mem. voltage:
VDDCI voltage: 800
Чиста печалба
0.256$
Монета:
Kawpow
Mem. vendor: Elpida EDW4032BABG
Хешрейт: 14.43 MH/s
Wt (socket) 139
Core: 1090
Mem.: 1738
Core voltage: 843
Mem. voltage:
VDDCI voltage: 800
Чиста печалба
0.252$
Монета:
Kawpow
Mem. vendor: Micron MT51J256M32
Хешрейт: 15.67 MH/s
Wt (socket) 176
Core: 1170
Mem.: 2075
Core voltage: 843
Mem. voltage:
VDDCI voltage: 800
Чиста печалба
0.249$
Монета:
Kawpow
Mem. vendor: SK Hynix H5GC8H24AJR
Хешрейт: 15.52 MH/s
Wt (socket) 179
Core: 1160
Mem.: 2100
Core voltage: 806
Mem. voltage:
VDDCI voltage: 800
Чиста печалба
0.246$
Монета:
Kawpow
Mem. vendor: Samsung K4G41325FE
Хешрейт: 15.28 MH/s
Wt (socket) 176
Core: 1156
Mem.: 2050
Core voltage: 862
Mem. voltage:
VDDCI voltage: 800
Чиста печалба
0.243$
Монета:
Kawpow
Mem. vendor: SK Hynix H5GC4H24AJR
Хешрейт: 15.23 MH/s
Wt (socket) 164
Core: 1150
Mem.: 2055
Core voltage: 781
Mem. voltage:
VDDCI voltage: 800
Чиста печалба
0.242$
Монета:
Kawpow
Mem. vendor: Samsung K4G80325FB
Хешрейт: 15.07 MH/s
Wt (socket) 168
Core: 1150
Mem.: 2013
Core voltage: 818
Mem. voltage:
VDDCI voltage: 800
Чиста печалба
0.239$
Монета:
Kawpow
Mem. vendor: Samsung K4G80325FC
Хешрейт: 15.05 MH/s
Wt (socket) 163
Core: 1150
Mem.: 2025
Core voltage: 818
Mem. voltage:
VDDCI voltage: 800
Чиста печалба
0.239$
Монета:
Kawpow
Mem. vendor: SK Hynix H5GQ8H24MJR
Хешрейт: 14.97 MH/s
Wt (socket) 178
Core: 1166
Mem.: 2063
Core voltage: 818
Mem. voltage:
VDDCI voltage: 800
Чиста печалба
0.238$
Монета:
Kawpow
Mem. vendor: Micron MT51J256M3
Хешрейт: 14.65 MH/s
Wt (socket) 188
Core: 1120
Mem.: 1975
Core voltage: 868
Mem. voltage:
VDDCI voltage: 800
Чиста печалба
0.233$
Монета:
Kawpow
Mem. vendor: Elpida EDW4032BABG
Хешрейт: 14.43 MH/s
Wt (socket) 139
Core: 1090
Mem.: 1738
Core voltage: 843
Mem. voltage:
VDDCI voltage: 800
Чиста печалба
0.229$
Монета:
FiroPow
Mem. vendor: Micron MT51J256M32
Хешрейт: 15.67 MH/s
Wt (socket) 172
Core: 1170
Mem.: 2075
Core voltage: 843
Mem. voltage:
VDDCI voltage: 800
Чиста печалба
0.201$
Монета:
FiroPow
Mem. vendor: SK Hynix H5GC8H24AJR
Хешрейт: 15.52 MH/s
Wt (socket) 175
Core: 1160
Mem.: 2100
Core voltage: 806
Mem. voltage:
VDDCI voltage: 800
Чиста печалба
0.20$
Монета:
FiroPow
Mem. vendor: Samsung K4G41325FE
Хешрейт: 15.28 MH/s
Wt (socket) 172
Core: 1156
Mem.: 2050
Core voltage: 862
Mem. voltage:
VDDCI voltage: 800
Чиста печалба
0.196$
Монета:
FiroPow
Mem. vendor: SK Hynix H5GC4H24AJR
Хешрейт: 15.23 MH/s
Wt (socket) 159
Core: 1150
Mem.: 2055
Core voltage: 781
Mem. voltage:
VDDCI voltage: 800
Чиста печалба
0.196$
Монета:
FiroPow
Mem. vendor: Samsung K4G80325FB
Хешрейт: 15.07 MH/s
Wt (socket) 164
Core: 1150
Mem.: 2013
Core voltage: 818
Mem. voltage:
VDDCI voltage: 800
Чиста печалба
0.194$
Монета:
FiroPow
Mem. vendor: Samsung K4G80325FC
Хешрейт: 15.05 MH/s
Wt (socket) 159
Core: 1150
Mem.: 2025
Core voltage: 818
Mem. voltage:
VDDCI voltage: 800
Чиста печалба
0.193$
Монета:
FiroPow
Mem. vendor: SK Hynix H5GQ8H24MJR
Хешрейт: 14.97 MH/s
Wt (socket) 174
Core: 1166
Mem.: 2063
Core voltage: 818
Mem. voltage:
VDDCI voltage: 800
Чиста печалба
0.192$
Монета:
FiroPow
Mem. vendor: Micron MT51J256M3
Хешрейт: 14.65 MH/s
Wt (socket) 184
Core: 1120
Mem.: 1975
Core voltage: 868
Mem. voltage:
VDDCI voltage: 800
Чиста печалба
0.188$
Монета:
FiroPow
Mem. vendor: Elpida EDW4032BABG
Хешрейт: 14.43 MH/s
Wt (socket) 135
Core: 1090
Mem.: 1738
Core voltage: 843
Mem. voltage:
VDDCI voltage: 800
Чиста печалба
0.186$
Монета:
Autolykos
Mem. vendor: Micron MT51J256M32
Хешрейт: 63 MH/s
Wt (socket) 103
Core: 1170
Mem.: 1900
Core voltage: 837
Mem. voltage:
VDDCI voltage: 800
Чиста печалба
0.155$
Монета:
Kawpow
Mem. vendor:
Хешрейт: 14 MH/s
Wt (socket)
Core:
Mem.:
Core voltage:
Mem. voltage:
VDDCI voltage:
Чиста печалба
0.155$
Монета:
Autolykos
Mem. vendor: SK Hynix H5GC8H24AJR
Хешрейт: 62.37 MH/s
Wt (socket) 105
Core: 1160
Mem.: 1925
Core voltage: 800
Mem. voltage:
VDDCI voltage: 800
Чиста печалба
0.154$
Монета:
Blake 3
Mem. vendor: Micron MT51J256M32
Хешрейт: 0.54 GH/s
Wt (socket) 113
Core: 1233
Mem.: 300
Core voltage: 862
Mem. voltage:
VDDCI voltage: 800
Чиста печалба
0.153$
Монета:
Autolykos
Mem. vendor: Samsung K4G41325FE
Хешрейт: 61.41 MH/s
Wt (socket) 103
Core: 1156
Mem.: 1875
Core voltage: 856
Mem. voltage:
VDDCI voltage: 800
Чиста печалба
0.151$
Монета:
Blake 3
Mem. vendor: SK Hynix H5GC8H24AJR
Хешрейт: 0.535 GH/s
Wt (socket) 115
Core: 1223
Mem.: 300
Core voltage: 825
Mem. voltage:
VDDCI voltage: 800
Чиста печалба
0.151$
Монета:
Autolykos
Mem. vendor: SK Hynix H5GC4H24AJR
Хешрейт: 61.23 MH/s
Wt (socket) 96
Core: 1150
Mem.: 1875
Core voltage: 775
Mem. voltage:
VDDCI voltage: 800
Чиста печалба
0.151$
Монета:
Autolykos
Mem. vendor: Samsung K4G80325FB
Хешрейт: 60.57 MH/s
Wt (socket) 98
Core: 1150
Mem.: 1838
Core voltage: 812
Mem. voltage:
VDDCI voltage: 800
Чиста печалба
0.149$
Монета:
Autolykos
Mem. vendor: Samsung K4G80325FC
Хешрейт: 60.51 MH/s
Wt (socket) 95
Core: 1150
Mem.: 1850
Core voltage: 812
Mem. voltage:
VDDCI voltage: 800
Чиста печалба
0.149$
Монета:
Blake 3
Mem. vendor: Samsung K4G41325FE
Хешрейт: 0.527 GH/s
Wt (socket) 113
Core: 1219
Mem.: 300
Core voltage: 881
Mem. voltage:
VDDCI voltage: 800
Чиста печалба
0.149$
Монета:
Autolykos
Mem. vendor: SK Hynix H5GQ8H24MJR
Хешрейт: 60.18 MH/s
Wt (socket) 104
Core: 1166
Mem.: 1888
Core voltage: 812
Mem. voltage:
VDDCI voltage: 800
Чиста печалба
0.148$
Монета:
Blake 3
Mem. vendor: SK Hynix H5GC4H24AJR
Хешрейт: 0.525 GH/s
Wt (socket) 105
Core: 1212
Mem.: 300
Core voltage: 800
Mem. voltage:
VDDCI voltage: 800
Чиста печалба
0.148$
Монета:
Blake 3
Mem. vendor: Samsung K4G80325FB
Хешрейт: 0.52 GH/s
Wt (socket) 108
Core: 1212
Mem.: 300
Core voltage: 837
Mem. voltage:
VDDCI voltage: 800
Чиста печалба
0.147$
Монета:
Blake 3
Mem. vendor: Samsung K4G80325FC
Хешрейт: 0.519 GH/s
Wt (socket) 105
Core: 1212
Mem.: 300
Core voltage: 837
Mem. voltage:
VDDCI voltage: 800
Чиста печалба
0.147$
Монета:
Blake 3
Mem. vendor: SK Hynix H5GQ8H24MJR
Хешрейт: 0.516 GH/s
Wt (socket) 114
Core: 1229
Mem.: 300
Core voltage: 837
Mem. voltage:
VDDCI voltage: 800
Чиста печалба
0.146$
Монета:
Autolykos
Mem. vendor: Micron MT51J256M3
Хешрейт: 58.9 MH/s
Wt (socket) 110
Core: 1120
Mem.: 1800
Core voltage: 862
Mem. voltage:
VDDCI voltage: 800
Чиста печалба
0.145$
Монета:
Autolykos
Mem. vendor: Elpida EDW4032BABG
Хешрейт: 57.98 MH/s
Wt (socket) 81
Core: 1090
Mem.: 1738
Core voltage: 843
Mem. voltage:
VDDCI voltage: 800
Чиста печалба
0.143$
Монета:
Blake 3
Mem. vendor: Micron MT51J256M3
Хешрейт: 0.505 GH/s
Wt (socket) 121
Core: 1181
Mem.: 300
Core voltage: 887
Mem. voltage:
VDDCI voltage: 800
Чиста печалба
0.143$
Монета:
Blake 3
Mem. vendor: Elpida EDW4032BABG
Хешрейт: 0.497 GH/s
Wt (socket) 89
Core: 1149
Mem.: 300
Core voltage: 868
Mem. voltage:
VDDCI voltage: 800
Чиста печалба
0.14$
Монета:
Verthash
Mem. vendor:
Хешрейт: 535 kH/s
Wt (socket)
Core:
Mem.:
Core voltage:
Mem. voltage:
VDDCI voltage:
Чиста печалба
0.119$
Монета:
Ethash
Mem. vendor: Micron MT51J256M32
Хешрейт: 32.16 MH/s
Wt (socket) 133
Core: 1170
Mem.: 2100
Core voltage: 850
Mem. voltage: -
VDDCI voltage: 800
Чиста печалба
0.102$
Монета:
Ethash
Mem. vendor: SK Hynix H5GC8H24AJR
Хешрейт: 31.84 MH/s
Wt (socket) 135
Core: 1160
Mem.: 2125
Core voltage: 812
Mem. voltage: -
VDDCI voltage: 800
Чиста печалба
0.101$
Монета:
Ethash
Mem. vendor: Samsung K4G41325FE
Хешрейт: 31.35 MH/s
Wt (socket) 133
Core: 1156
Mem.: 2075
Core voltage: 868
Mem. voltage: -
VDDCI voltage: 800
Чиста печалба
0.099$
Монета:
Ethash
Mem. vendor: SK Hynix H5GC4H24AJR
Хешрейт: 31.26 MH/s
Wt (socket) 124
Core: 1150
Mem.: 2080
Core voltage: 787
Mem. voltage: -
VDDCI voltage: 800
Чиста печалба
0.099$
Монета:
Ethash
Mem. vendor: Samsung K4G80325FB
Хешрейт: 30.92 MH/s
Wt (socket) 127
Core: 1150
Mem.: 2038
Core voltage: 825
Mem. voltage: -
VDDCI voltage: 800
Чиста печалба
0.098$
Монета:
Ethash
Mem. vendor: Samsung K4G80325FC
Хешрейт: 30.89 MH/s
Wt (socket) 123
Core: 1150
Mem.: 2050
Core voltage: 825
Mem. voltage: -
VDDCI voltage: 800
Чиста печалба
0.098$
Монета:
Ethash
Mem. vendor: SK Hynix H5GQ8H24MJR
Хешрейт: 30.72 MH/s
Wt (socket) 134
Core: 1166
Mem.: 2088
Core voltage: 825
Mem. voltage: -
VDDCI voltage: 800
Чиста печалба
0.097$
Монета:
Ethash
Heavyhash
Mem. vendor: Micron MT51J256M32
Хешрейт: 29.92 MH/s 117.5 MH/s
Wt (socket) 186
Core: 1218
Mem.: 2075
Core voltage: 893
Mem. voltage:
VDDCI voltage: 800
Чиста печалба
0.095$
Монета:
Ethash
Mem. vendor: Micron MT51J256M3
Хешрейт: 30.07 MH/s
Wt (socket) 142
Core: 1120
Mem.: 2000
Core voltage: 875
Mem. voltage: -
VDDCI voltage: 800
Чиста печалба
0.095$
Монета:
Ethash
Heavyhash
Mem. vendor: SK Hynix H5GC8H24AJR
Хешрейт: 29.62 MH/s 117.5 MH/s
Wt (socket) 189
Core: 1208
Mem.: 2100
Core voltage: 856
Mem. voltage:
VDDCI voltage: 800
Чиста печалба
0.094$
Монета:
Ethash
Mem. vendor: Elpida EDW4032BABG
Хешрейт: 29.6 MH/s
Wt (socket) 105
Core: 1090
Mem.: 1925
Core voltage: 856
Mem. voltage: -
VDDCI voltage: 800
Чиста печалба
0.094$
Монета:
Ethash
Heavyhash
Mem. vendor: Samsung K4G41325FE
Хешрейт: 29.17 MH/s 117.5 MH/s
Wt (socket) 186
Core: 1204
Mem.: 2050
Core voltage: 912
Mem. voltage:
VDDCI voltage: 800
Чиста печалба
0.093$
Монета:
Ethash
Heavyhash
Mem. vendor: SK Hynix H5GC4H24AJR
Хешрейт: 29.08 MH/s 117.5 MH/s
Wt (socket) 174
Core: 1198
Mem.: 2050
Core voltage: 825
Mem. voltage:
VDDCI voltage: 800
Чиста печалба
0.093$
Монета:
Ethash
Heavyhash
Mem. vendor: Samsung K4G80325FB
Хешрейт: 28.77 MH/s 117.5 MH/s
Wt (socket) 178
Core: 1198
Mem.: 2013
Core voltage: 868
Mem. voltage:
VDDCI voltage: 800
Чиста печалба
0.092$
Монета:
NexaPow
Mem. vendor:
Хешрейт: 16.6 MH/s
Wt (socket)
Core:
Mem.:
Core voltage:
Mem. voltage:
VDDCI voltage:
Чиста печалба
0.092$
Монета:
Ethash
Heavyhash
Mem. vendor: Samsung K4G80325FC
Хешрейт: 28.74 MH/s 117.5 MH/s
Wt (socket) 172
Core: 1198
Mem.: 2025
Core voltage: 868
Mem. voltage:
VDDCI voltage: 800
Чиста печалба
0.091$
Монета:
Ethash
Heavyhash
Mem. vendor: SK Hynix H5GQ8H24MJR
Хешрейт: 28.58 MH/s 117.5 MH/s
Wt (socket) 188
Core: 1214
Mem.: 2063
Core voltage: 868
Mem. voltage:
VDDCI voltage: 800
Чиста печалба
0.091$
Монета:
Ethash
Heavyhash
Mem. vendor: Micron MT51J256M3
Хешрейт: 27.98 MH/s 117.5 MH/s
Wt (socket) 199
Core: 1166
Mem.: 1975
Core voltage: 918
Mem. voltage:
VDDCI voltage: 800
Чиста печалба
0.089$
Монета:
Ethash
Heavyhash
Mem. vendor: Elpida EDW4032BABG
Хешрейт: 27.54 MH/s 117.5 MH/s
Wt (socket) 147
Core: 1135
Mem.: 1900
Core voltage: 900
Mem. voltage:
VDDCI voltage: 800
Чиста печалба
0.088$
Монета:
Etchash
Mem. vendor: Micron MT51J256M32
Хешрейт: 32.16 MH/s
Wt (socket) 133
Core: 1170
Mem.: 2100
Core voltage: 850
Mem. voltage: -
VDDCI voltage: 800
Чиста печалба
0.086$
Монета:
Etchash
Mem. vendor: SK Hynix H5GC8H24AJR
Хешрейт: 31.84 MH/s
Wt (socket) 135
Core: 1160
Mem.: 2125
Core voltage: 812
Mem. voltage: -
VDDCI voltage: 800
Чиста печалба
0.085$
Монета:
Etchash
Mem. vendor: Samsung K4G41325FE
Хешрейт: 31.35 MH/s
Wt (socket) 133
Core: 1156
Mem.: 2075
Core voltage: 868
Mem. voltage: -
VDDCI voltage: 800
Чиста печалба
0.083$
Монета:
Etchash
Mem. vendor: SK Hynix H5GC4H24AJR
Хешрейт: 31.26 MH/s
Wt (socket) 124
Core: 1150
Mem.: 2080
Core voltage: 787
Mem. voltage: -
VDDCI voltage: 800
Чиста печалба
0.083$
Монета:
Etchash
Mem. vendor: Samsung K4G80325FB
Хешрейт: 30.92 MH/s
Wt (socket) 127
Core: 1150
Mem.: 2038
Core voltage: 825
Mem. voltage: -
VDDCI voltage: 800
Чиста печалба
0.082$
Монета:
Etchash
Mem. vendor: Samsung K4G80325FC
Хешрейт: 30.89 MH/s
Wt (socket) 123
Core: 1150
Mem.: 2050
Core voltage: 825
Mem. voltage: -
VDDCI voltage: 800
Чиста печалба
0.082$
Монета:
Etchash
Mem. vendor: SK Hynix H5GQ8H24MJR
Хешрейт: 30.72 MH/s
Wt (socket) 134
Core: 1166
Mem.: 2088
Core voltage: 825
Mem. voltage: -
VDDCI voltage: 800
Чиста печалба
0.082$
Монета:
Ethash
Mem. vendor: Micron MT51J256M32
Хешрейт: 32.16 MH/s
Wt (socket) 133
Core: 1170
Mem.: 2100
Core voltage: 850
Mem. voltage: -
VDDCI voltage: 800
Чиста печалба
0.081$
Монета:
Etchash
Heavyhash
Mem. vendor: Micron MT51J256M32
Хешрейт: 29.92 MH/s 117.5 MH/s
Wt (socket) 186
Core: 1218
Mem.: 2075
Core voltage: 893
Mem. voltage:
VDDCI voltage: 800
Чиста печалба
0.08$
Монета:
Ethash
Mem. vendor: SK Hynix H5GC8H24AJR
Хешрейт: 31.84 MH/s
Wt (socket) 135
Core: 1160
Mem.: 2125
Core voltage: 812
Mem. voltage: -
VDDCI voltage: 800
Чиста печалба
0.08$
Монета:
Etchash
Mem. vendor: Micron MT51J256M3
Хешрейт: 30.07 MH/s
Wt (socket) 142
Core: 1120
Mem.: 2000
Core voltage: 875
Mem. voltage: -
VDDCI voltage: 800
Чиста печалба
0.08$
Монета:
Etchash
Heavyhash
Mem. vendor: SK Hynix H5GC8H24AJR
Хешрейт: 29.62 MH/s 117.5 MH/s
Wt (socket) 189
Core: 1208
Mem.: 2100
Core voltage: 856
Mem. voltage:
VDDCI voltage: 800
Чиста печалба
0.079$
Монета:
Ethash
Mem. vendor: Samsung K4G41325FE
Хешрейт: 31.35 MH/s
Wt (socket) 133
Core: 1156
Mem.: 2075
Core voltage: 868
Mem. voltage: -
VDDCI voltage: 800
Чиста печалба
0.079$
Монета:
Etchash
Mem. vendor: Elpida EDW4032BABG
Хешрейт: 29.6 MH/s
Wt (socket) 105
Core: 1090
Mem.: 1925
Core voltage: 856
Mem. voltage: -
VDDCI voltage: 800
Чиста печалба
0.079$
Монета:
Ethash
Mem. vendor: SK Hynix H5GC4H24AJR
Хешрейт: 31.26 MH/s
Wt (socket) 124
Core: 1150
Mem.: 2080
Core voltage: 787
Mem. voltage: -
VDDCI voltage: 800
Чиста печалба
0.078$
Монета:
Etchash
Heavyhash
Mem. vendor: Samsung K4G41325FE
Хешрейт: 29.17 MH/s 117.5 MH/s
Wt (socket) 186
Core: 1204
Mem.: 2050
Core voltage: 912
Mem. voltage:
VDDCI voltage: 800
Чиста печалба
0.078$
Монета:
Etchash
Heavyhash
Mem. vendor: SK Hynix H5GC4H24AJR
Хешрейт: 29.08 MH/s 117.5 MH/s
Wt (socket) 174
Core: 1198
Mem.: 2050
Core voltage: 825
Mem. voltage:
VDDCI voltage: 800
Чиста печалба
0.078$
Монета:
Ethash
Mem. vendor: Samsung K4G80325FB
Хешрейт: 30.92 MH/s
Wt (socket) 127
Core: 1150
Mem.: 2038
Core voltage: 825
Mem. voltage: -
VDDCI voltage: 800
Чиста печалба
0.078$
Монета:
Ethash
Mem. vendor: Samsung K4G80325FC
Хешрейт: 30.89 MH/s
Wt (socket) 123
Core: 1150
Mem.: 2050
Core voltage: 825
Mem. voltage: -
VDDCI voltage: 800
Чиста печалба
0.078$
Монета:
Ethash
Mem. vendor: SK Hynix H5GQ8H24MJR
Хешрейт: 30.72 MH/s
Wt (socket) 134
Core: 1166
Mem.: 2088
Core voltage: 825
Mem. voltage: -
VDDCI voltage: 800
Чиста печалба
0.077$
Монета:
Etchash
Heavyhash
Mem. vendor: Samsung K4G80325FB
Хешрейт: 28.77 MH/s 117.5 MH/s
Wt (socket) 178
Core: 1198
Mem.: 2013
Core voltage: 868
Mem. voltage:
VDDCI voltage: 800
Чиста печалба
0.077$
Монета:
Etchash
Heavyhash
Mem. vendor: Samsung K4G80325FC
Хешрейт: 28.74 MH/s 117.5 MH/s
Wt (socket) 172
Core: 1198
Mem.: 2025
Core voltage: 868
Mem. voltage:
VDDCI voltage: 800
Чиста печалба
0.077$
Монета:
Etchash
Heavyhash
Mem. vendor: SK Hynix H5GQ8H24MJR
Хешрейт: 28.58 MH/s 117.5 MH/s
Wt (socket) 188
Core: 1214
Mem.: 2063
Core voltage: 868
Mem. voltage:
VDDCI voltage: 800
Чиста печалба
0.077$
Монета:
Ethash
Mem. vendor: Micron MT51J256M3
Хешрейт: 30.07 MH/s
Wt (socket) 142
Core: 1120
Mem.: 2000
Core voltage: 875
Mem. voltage: -
VDDCI voltage: 800
Чиста печалба
0.076$
Монета:
Etchash
Heavyhash
Mem. vendor: Micron MT51J256M3
Хешрейт: 27.98 MH/s 117.5 MH/s
Wt (socket) 199
Core: 1166
Mem.: 1975
Core voltage: 918
Mem. voltage:
VDDCI voltage: 800
Чиста печалба
0.075$
Монета:
Ethash
Mem. vendor: Elpida EDW4032BABG
Хешрейт: 29.6 MH/s
Wt (socket) 105
Core: 1090
Mem.: 1925
Core voltage: 856
Mem. voltage: -
VDDCI voltage: 800
Чиста печалба
0.074$
Монета:
Etchash
Heavyhash
Mem. vendor: Elpida EDW4032BABG
Хешрейт: 27.54 MH/s 117.5 MH/s
Wt (socket) 147
Core: 1135
Mem.: 1900
Core voltage: 900
Mem. voltage:
VDDCI voltage: 800
Чиста печалба
0.074$
Монета:
Karlsen
Mem. vendor:
Хешрейт: 240 MH/s
Wt (socket)
Core:
Mem.:
Core voltage:
Mem. voltage:
VDDCI voltage:
Чиста печалба
0.072$
Монета:
Pyrin
Mem. vendor:
Хешрейт: 650 MH/s
Wt (socket)
Core:
Mem.:
Core voltage:
Mem. voltage:
VDDCI voltage:
Чиста печалба
0.061$
Монета:
Heavyhash
Mem. vendor: Micron MT51J256M32
Хешрейт: 173.01 MH/s
Wt (socket) 116
Core: 1233
Mem.: 300
Core voltage: 862
Mem. voltage:
VDDCI voltage: 800
Чиста печалба
0.001$
Монета:
Heavyhash
Mem. vendor: SK Hynix H5GC8H24AJR
Хешрейт: 171.29 MH/s
Wt (socket) 118
Core: 1223
Mem.: 300
Core voltage: 825
Mem. voltage:
VDDCI voltage: 770
Чиста печалба
0.001$
Монета:
Heavyhash
Mem. vendor: Samsung K4G41325FE
Хешрейт: 168.66 MH/s
Wt (socket) 116
Core: 1219
Mem.: 300
Core voltage: 875
Mem. voltage:
VDDCI voltage: 800
Чиста печалба
0.001$
Монета:
Heavyhash
Mem. vendor: SK Hynix H5GC4H24AJR
Хешрейт: 168.17 MH/s
Wt (socket) 109
Core: 1212
Mem.: 300
Core voltage: 800
Mem. voltage:
VDDCI voltage: 800
Чиста печалба
0.001$
Монета:
Heavyhash
Mem. vendor: Samsung K4G80325FB
Хешрейт: 166.34 MH/s
Wt (socket) 111
Core: 1212
Mem.: 300
Core voltage: 837
Mem. voltage:
VDDCI voltage: 800
Чиста печалба
0.001$
Монета:
Heavyhash
Mem. vendor: Samsung K4G80325FC
Хешрейт: 166.18 MH/s
Wt (socket) 108
Core: 1212
Mem.: 300
Core voltage: 837
Mem. voltage:
VDDCI voltage: 800
Чиста печалба
0.001$
Монета:
Heavyhash
Mem. vendor: SK Hynix H5GQ8H24MJR
Хешрейт: 165.27 MH/s
Wt (socket) 117
Core: 1229
Mem.: 300
Core voltage: 837
Mem. voltage:
VDDCI voltage: 800
Чиста печалба
0.001$
Монета:
Heavyhash
Mem. vendor: Micron MT51J256M3
Хешрейт: 161.77 MH/s
Wt (socket) 124
Core: 1181
Mem.: 300
Core voltage: 887
Mem. voltage:
VDDCI voltage: 800
Чиста печалба
0.001$
Монета:
Heavyhash
Mem. vendor: Elpida EDW4032BABG
Хешрейт: 159.24 MH/s
Wt (socket) 92
Core: 1149
Mem.: 300
Core voltage: 868
Mem. voltage:
VDDCI voltage: 800
Чиста печалба
0.001$
Производител
Дата на излизане
0
Процесор
Начална цена
0$
Текуща цена
0$
TDP
0W
Тип памет
Памет
0GB
Ширина на шината
0
AMD RX580 8 GB графична карта хешрейт
Дата на издаване и цена
Графичната карта AMD RX580 беше пусната през 2017 г. Цената към момента на пускане е - 0.00 $. Текущата приблизителна цена е - 340.00 $. Моля, разгледайте промяната в цената от годината, в която е пусната, преди да решите дали да закупите карта AMD RX580 card.
RX580 в майнинг
Най -доброто от всичко в момента е, че графичният процесор RX580 добива - MeowCoin, раздавайки 15.67 MH/s. За ден с дневна трудност ще спечелите 0.318 $, тоест при текущата цена картата ще бъде спечелена след 1071 дни.
Консумация RX580
TDP на видеокартата е 185 вата, докато при копаенето средната RX580 карта консумира 176 вата.
